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[发明专利]功率半导体器件及其制备工艺-CN202010032135.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：清纯半导体（上海）有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供的功率半导体器件及其制备工艺，该功率半导体器件通过在第一导电类型半导体层内设置第一导电类型阱区，在第一导电类型阱区设置第二导电类型阱区，并且第二导电类型阱区被第一导电类型阱区完全包围，这样设置可以降低功率半导体器件的输出电容
功率半导体器件及其制备工艺

[发明专利]包括拉伸应变和压缩应变的鳍片部分的鳍片堆叠-CN202180076382.4在审
发明人：程慷果;J·弗鲁吉尔;谢瑞龙;朴灿鲁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/161 文献下载
摘要：提供了一种鳍式单片半导体结构、其制造方法和半导体器件。该鳍式单片半导体结构包括衬底层(21)，相对于衬底层垂直延伸的鳍片结构，该鳍片结构包括垂直堆叠的层，其包括具有第一应变类型的底部半导体鳍区(34)，具有第二应变类型的顶部层半导体鳍区(26”)，以及在顶部半导体鳍片区(26”)和底部半导体鳍片区之间且将其电隔离的介电层(36A)，其中第一应变类型与第二应变类型不同。，在底部半导体基底区上的至少一个沟槽(24)内外延形成第一半导体鳍片区(34)，该第一半导体鳍片区(34)具有第一应变类型，以及在第一半导体鳍片区域(34)上方的至少一个沟槽(24)内外延形成第二半导体鳍片区域(26”)，该第二半导体鳍片区域(26')具有第二应变类型，其中该第一应变类型与该第二应变类型不同。
包括拉伸应变压缩部分堆叠

[发明专利]制造半导体发光装置的方法-CN201310196886.7在审
发明人：朴基镐;金起成;金喆敏;尹皙胡;李泰泫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上设置支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。湿法蚀刻半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离。清洗半导体生长基板。
制造半导体发光装置方法

[实用新型]静电放电鲁棒性半导体晶体管-CN201621051359.2有效
发明人：藤原秀二;R·S·布顿 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及静电放电鲁棒性半导体晶体管。要解决的一个技术问题是提供改进的静电放电鲁棒性半导体晶体管。静电放电鲁棒性半导体晶体管包括第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的衬底接触区，衬底接触区与半导体衬底耦接；第二导电类型的源极区；第二导电类型的沟道区；第一导电类型的栅极区；具有第一导电类型的第一漏极区和第二导电类型的第二漏极区的漏极区；以及电导体，电导体耦接在第二漏极区和第一漏极区的一部分上，其中第一漏极区的未被电导体覆盖的一部分形成电阻式电子镇流器区，电阻式电子镇流器区被配置成保护静电放电鲁棒性半导体晶体管免受静电放电(ESD)感应的电压脉冲通过本实用新型，获得了改进的静电放电鲁棒性半导体晶体管。
静电放电鲁棒性半导体晶体管

[发明专利]半导体器件及其制程方法、半导体芯片及其制程方法-CN202111350273.5在审
发明人：程亚杰 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制程方法、半导体芯片及其制程方法。该半导体器件的制程方法包括：提供半导体衬底，其中，半导体衬底包括第一类型阱区和第二类型阱区；在半导体衬底上形成栅极置换层并图案化栅极置换层以定义栅极区域；在栅极区域形成栅极；对第一类型阱区对应的栅极进行预掺杂以形成第一类型栅极，保留第二类型阱区对应的栅极以作为第二类型栅极；去除残留的栅极置换层。该制程方法能够有效提高形成的第一类型栅极的性能，并保证形成的第一类型栅极和第二类型栅极的形貌的完整性以及关键尺寸的均匀性较好。
半导体器件及其方法半导体芯片

[发明专利]制造光电转换器件的方法-CN200910252645.3有效
发明人：浦贤一郎;福元嘉彦;片冈有三 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
制造光电转换器件方法

[发明专利]光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统-CN200710128400.0有效
发明人：浦贤一郎;福元嘉彦;片冈有三 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统，光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。
光电转换器件具有摄像系统

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201710509378.8在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括MOS器件区，在所述MOS器件区的所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的预定形成源漏区的区域形成凹槽；在所述凹槽的底部和侧壁上形成掺杂材料层，其中，所述掺杂材料层中包括第一导电类型掺杂杂质或者第二导电类型掺杂杂质；进行退火处理，以使所述第一导电类型掺杂杂质或者所述第二导电类型掺杂杂质扩散到所述凹槽外侧的半导体材料中，以形成具有所述第一导电类型或者具有所述第二导电类型的轻掺杂漏区
掺杂杂质第一导电类型导电类型衬底半导体半导体器件掺杂材料栅极结构半导体材料半导体技术领域轻掺杂漏区区域形成退火处理源漏区侧壁制造扩散

[发明专利]一种快速恢复二极管及其制造方法-CN201610424393.8在审
发明人：吴迪;刘钺杨;何延强;和峰;金锐;温家良;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网公司;国网浙江省电力公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法，该快速恢复二极管包括第一导电类型半导体层(2)；第二导电类型半导体层(4)，其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结；局域寿命控制层(5)，设置在所述第二导电类型半导体层(4)内，且所述局域寿命控制层(5)的中心距离所述第二导电类型半导体层(4)的所述底面至少3μm，距离所述第二导电类型半导体层(4)的顶面至少7μm。
一种快速恢复二极管及其制造方法

[发明专利]高压半导体装置及其制造方法-CN201811453965.0在审
发明人：许健;韦维克;陈柏安;谢克·麦斯坦巴雪;戴许曼·普佳·瑞凡卓;巴提·莫尼卡;席德·内亚兹·依曼 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高压半导体装置及其制造方法。该高压半导体装置包含半导体基底，具有第一导电类型，第一高压阱设置于半导体基底内且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一埋层设置于第一高压阱上且具有第一导电类型，第二埋层和第三埋层设置于第一高压阱上且具有第二导电类型，其中第一埋层位于第二埋层与第三埋层之间，外延层设置于半导体基底上，其中第一埋层、第二埋层和第三埋层自半导体基底延伸至外延层内，以及源极区和漏极区设置于第一埋层上且具有第二导电类型。
埋层半导体基底第一导电类型导电类型高压阱高压半导体装置外延层漏极区源极区延伸制造

[发明专利]发光器件及其发光器件封装-CN201110173945.X有效
发明人：丁焕熙;李尚烈;文智炯;金青松;宋俊午;崔光基 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层；被布置在发光结构下面的第二电极层；第一电极层，其至少一部分延伸通过第二导电类型半导体层和有源层以接触第一导电类型半导体层；以及绝缘层，其布置在第二电极层和第一电极层之间、在第二导电类型半导体层和第一电极层之间、以及在有源层和第一电极层之间，其中接触第一导电类型半导体层的第一电极层的至少一部分具有粗糙。
发光器件及其封装

[发明专利]双端子垂直型1T－动态随机存取存储器及其制造方法-CN201780073851.0有效
发明人：朴在勤;宋昇弦;金旻源 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，双端子垂直型1T－动态随机存取存储器包括：阴极层，由第一类型的高浓度半导体层形成；基区，包括形成于上述阴极层的第二类型的低浓度半导体层及形成于上述第二类型的低浓度半导体层的第一类型的低浓度半导体层；以及阳极层，在上述第一类型的低浓度半导体层上由第二类型的高浓度半导体层形成。
端子垂直动态随机存取存储器及其制造方法

[实用新型]一种微型发光二极管器件-CN201821793190.7有效
发明人：蔡景元;黄俊凯;吴俊毅 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种发光二极管外延结构，其包括外延衬底、外延衬底上的外延半导体层叠结构、设置于外延半导体层叠结构上的热分解层，半导体层叠结构包括第一类型导电性半导体层、发光层和第二类型导电性半导体层；以及一种微型发光二极管器件，包括：支撑基板、支撑基板上的热分解层、热分解层上支撑的微发光二极管单元；微发光二极管单元包括第一类型导电性半导体层、发光层和第二类型导电性半导体层，以及第一类型导电性半导体层电性连接的第一电极和与第二类型导电性半导体层电性连接的第二电极
导电性半导体层热分解层微型发光二极管微发光二极管外延半导体层叠结构电性连接支撑基板发光层衬底发光二极管外延结构半导体层叠结构本实用新型第二电极第一电极上支撑

[发明专利]光电转换设备、成像系统、放射线成像系统和可移动物体-CN202010110632.9在审
发明人：筱原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电转换单元包括设置在半导体基板的表面侧的第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域、设置在第一深度处的第一导电类型的第三半导体区域、设置在第二深度处并且在平面图中与第二半导体区域重叠的第二导电类型的第四半导体区域以及设置在第三深度处的第一导电类型的第五半导体区域，并且在平面图中第三半导体区域和第五半导体区域与第一半导体区域、第二半导体区域和第四半导体区域重叠。
光电转换设备成像系统放射线移动物体

[发明专利]半导体封装结构和其制造方法-CN201911284154.7在审
发明人：林咏胜;高金利;方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包含：半导体管芯表面，所述半导体管芯表面具有较窄间距区域和与所述较窄间距区域相邻的较宽间距区域；多个第一类型导电柱，所述第一类型导电柱位于所述较窄间距区域中，所述第一类型导电柱中的每个第一类型导电柱具有铜‑铜界面；以及多个第二类型导电柱，所述第二类型导电柱位于所述较宽间距区域中，所述第二类型导电柱中的每个第二类型导电柱具有铜‑焊料界面。还公开了一种用于制造本文所述的半导体封装结构的方法。
半导体封装结构制造方法