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[发明专利]接面场效应晶体管-CN202110493713.6在审
发明人： 巴提·莫尼卡;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：一种接面场效应晶体管包括基底、形成于基底上的外延层、源极区域、漏极区域、栅极区域、第一内埋层以及第二内埋层。基底具有第一导电型，外延层具有第二导电型。源极区域、漏极区域与栅极区域分别设置于外延层的表面内。栅极区域具有第一导电型，源极区域和漏极区域具有第二导电型。第一内埋层具有第二导电型，位于栅极区域正下方的外延层与基底之间。第二内埋层具有第一导电型，位于外延层与基底之间，所述第二内埋层在外延层上的垂直投影是在栅极区域与源极区域之间且不与栅极区域重叠。本发明能够调整与改善JFET的夹止电压，并通过在埋入层靠近源极的一侧设置与通道具有不同导电型的另一埋入层，使该处达到电荷平衡，进而增加崩溃电压。
场效应晶体管

[发明专利]高压半导体装置及其制造方法-CN201811453965.0在审
发明人：许健;韦维克;陈柏安;谢克·麦斯坦巴雪;戴许曼·普佳·瑞凡卓;巴提·莫尼卡;席德·内亚兹·依曼 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高压半导体装置及其制造方法。该高压半导体装置包含半导体基底，具有第一导电类型，第一高压阱设置于半导体基底内且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一埋层设置于第一高压阱上且具有第一导电类型，第二埋层和第三埋层设置于第一高压阱上且具有第二导电类型，其中第一埋层位于第二埋层与第三埋层之间，外延层设置于半导体基底上，其中第一埋层、第二埋层和第三埋层自半导体基底延伸至外延层内，以及源极区和漏极区设置于第一埋层上且具有第二导电类型。
埋层半导体基底第一导电类型导电类型高压阱高压半导体装置外延层漏极区源极区延伸制造