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[发明专利]半导体元件-CN201911004932.2有效
发明人： 谢克·麦斯坦巴雪;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，包括第一导电型阱、第二导电型阱、源极区域、漏极区域以及多晶硅环栅极结构。第一导电型阱配置于第一导电型衬底中。第二导电型阱配置于第一导电型阱旁边且被第一导电型阱环绕。源极区域配置于第一导电型阱中。漏极区域配置于第二导电型阱中。多晶硅环栅极结构配置于第一导电型阱及第二导电型阱上方，位于源极区域及漏极区域之间且环绕漏极区域。源极区域与第二导电型阱之间在第一方向上的距离小于或等于在第二方向上的距离，第一方向与第二方向垂直，且第二方向为多晶硅环栅极结构的长边方向。本发明除了能够维持较高的电流，更可最小化波动，阀值电压以及线性区间漏极电流在X方向及Y方向上均能够较佳地受到控制。
半导体元件

[发明专利]高压半导体装置及其制造方法-CN201811453965.0在审
发明人：许健;韦维克;陈柏安;谢克·麦斯坦巴雪;戴许曼·普佳·瑞凡卓;巴提·莫尼卡;席德·内亚兹·依曼 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高压半导体装置及其制造方法。该高压半导体装置包含半导体基底，具有第一导电类型，第一高压阱设置于半导体基底内且具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第一埋层设置于第一高压阱上且具有第一导电类型，第二埋层和第三埋层设置于第一高压阱上且具有第二导电类型，其中第一埋层位于第二埋层与第三埋层之间，外延层设置于半导体基底上，其中第一埋层、第二埋层和第三埋层自半导体基底延伸至外延层内，以及源极区和漏极区设置于第一埋层上且具有第二导电类型。
埋层半导体基底第一导电类型导电类型高压阱高压半导体装置外延层漏极区源极区延伸制造