专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2618934个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]对准提示模块和对准提示方法-CN201410729348.4在审
  • 曾金;陈红军 - 北大方正集团有限公司;重庆方正高密电子有限公司
  • 2014-12-03 - 2016-06-29 - G01B7/00
  • 本发明提出了一种对准提示模块和一种对准提示方法,其中,所述对准提示模块包括:基准孔,所述基准孔下方设置有基准探针,用于插设在待测多层线路板的测试对准孔内;至少一个对准检测孔,所述至少一个对准检测孔中的每个对准检测孔下方均设置有对准检测针,当所述基准探针插设在所述测试对准孔内时,所述对准检测针将插设在所述待测多层线路板的测试孔内,且所述对准检测孔的上方设置有提示装置,用于提示所述测试孔是否偏移所述对准检测针。通过本发明的技术方案,可以使用户准确地判断多层线路板上的检测孔是否偏移,以及实际的偏移量,从而有效地提高多层线路板的对准检测的准确性和效率。
  • 对准提示模块方法
  • [发明专利]对准图案化-CN202010690877.3在审
  • B·T·曾;Y·K·萧;J·博迈尔斯 - IMEC非营利协会
  • 2020-07-17 - 2021-01-19 - H01L21/336
  • 一种方法,包括以下步骤:a.通过自对准多重图案化来在要被图案化的(3)上形成规则地间隔开的芯模(4)的第一图案,b.随后,在所述芯模(4)的侧壁上形成硬掩模间隔物(5),由此形成第二图案,所述第二图案由包括芯模(4)和其侧壁上的硬掩模间隔物(5)的组装件(4,5)来形成,以及c.随后,在要被图案化的(3)中蚀刻所述第二图案。
  • 对准图案
  • [发明专利]滤色器对准-CN200880128486.X无效
  • 奥尔多·萨尔韦斯特罗 - 柯达图像传递加拿大公司
  • 2008-04-24 - 2011-03-02 - G02F1/01
  • 在本发明的一个实施例中,提供一种用于使滤色器元件的经图案化与显示器组合件对准的方法。所述方法包含激活第一组可寻址像素元件以改变所述第一组所述像素元件中的每一像素元件的激活状态。可至少基于所述经激活第一组或第二组所述像素元件而确定滤色器元件的所述经图案化与所述显示器组合件的所需对准。根据所述所需对准使滤色器元件的所述经图案化与所述显示器组合件对准
  • 滤色器层对准
  • [发明专利]重叠对准标记和具有该重叠对准标记的基片-CN201410100759.7有效
  • 李天慧 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-03-18 - 2018-03-23 - H01L23/544
  • 本申请提供了一种重叠对准标记和具有该重叠对准标记的基片。重叠对准标记设置于基片上,基片包括基础和设置于基础上的多个片,重叠对准标记包括基础对准标记,基础对准标记设置于基础的标记区域上;片对准标记,各片对准标记设置于相应的片上,其中,设置有片对准标记的各片中至少两个片通过相应的片对准标记和同一个基础对准标记之间的位置关系实现与基础对准在本申请的重叠对准标记布置方式下,更多的标记区域如划线槽的区域被释放出来,节约了重叠对准标记占用的标记区域。
  • 重叠对准标记具有
  • [发明专利]光刻对准方法及系统-CN202010468233.X有效
  • 冯耀斌 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-05-28 - 2021-06-01 - G03F7/20
  • 本发明提供了一种光刻对准方法及系统,方法如下:在有第一图形的衬底上形成第二图形,在光刻时获取第一图形对准标记位置信息;量测第二图形套刻偏差并计算第一、第二图形的实际对准标记相对偏差;在第二图形上形成第三图形,在光刻时获取第二图形对准标记位置信息;将实际对准标记相对偏差代入第二图形对准标记位置信息,得到第一图形计算对准标记位置信息并根据计算对准标记位置信息完成第三图形对准。本发明通过获取第一、第二图形对准标记位置信息及套刻偏差,得到其实际对准标记相对偏差,并用于第三图形对准。该方法有效消除了第三图形对第一图形间接对准对准偏差,使对准更精确,提升了产品良率。
  • 光刻对准方法系统
  • [实用新型]套刻对准标记及掩模板组件-CN202120925351.9有效
  • 沈俊明;吴建宏;林士程 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2021-04-29 - 2021-11-05 - G03F1/42
  • 本实用新型提供了一种套刻对准标记,包括前对准标记、形变缓存区和当对准标记,所述前对准标记和所述形变缓存区位于同一前材料中,所述形变缓存区位于所述前对准标记外侧,所述当对准标记位于所述前材料上,且所述当对准标记位于所述前对准标记内侧或者所述当对准标记与所述前对准标记交错设置。通过在前对准标记的外侧四周设置形变缓存区,在晶圆经过热处理工艺时,所述形变缓存区作为缓冲区,可以减少所述前对准标记的热膨胀变形,从而能够解决黄光量测时前的套刻标记产生形变而导致量测失真的问题。
  • 对准标记模板组件
  • [发明专利]一种对准装置及其对准方法、光刻机-CN202010519014.X有效
  • 赵晓伟;徐兵;周畅;李煜芝;陈跃飞 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2020-06-09 - 2023-02-28 - G03F9/00
  • 本发明提供一种对准装置及其对准方法、光刻机,对准装置包括至少两个对准单元,位于待曝光的基板上方;所述至少两个对准单元包括至少一个透光对准单元和至少一个阻光对准单元;所述透光对准单元被配置为对所述基板中透光膜的前对准标记进行测量,所述阻光对准单元被配置为对所述基板中的透光膜和/或阻光膜的前对准标记进行测量;所有的所述透光对准单元与所有的所述阻光对准单元沿第一方向排列成一排,所述第一方向垂直于扫描方向,所述第一方向与所述扫描方向均平行于所述基板本发明提供一种对准装置及其对准方法、光刻机,以实现透光对准单元与阻光对准单元在工艺需要时可以切换使用,从而提升了工艺适应性。
  • 一种对准装置及其方法光刻
  • [发明专利]谐振器及其制造方法-CN201310124937.5在审
  • 庞慰;张孟伦;张浩 - 天津大学
  • 2013-04-11 - 2013-09-11 - H03H9/25
  • 本发明公开了一种谐振器及其制造方法,其中,该制造方法包括:在压电上方形成对准结构,其中,对准结构包括需要进行对准的多个、以及用于将多个进行对准对准;利用对准将多个中部分或全部的边缘部分去除,使经去除后多个的边缘彼此对准。本发明通过设置对准,能够将谐振器中不同的图形自对准,避免了不同的图形未对准导致的谐振器(以及由谐振器构成的滤波器等器件)性能受损的问题,能够有效提高器件的性能。
  • 谐振器及其制造方法
  • [发明专利]半导体元件及其制备方法-CN202211724216.3在审
  • 黄则尧 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-09-15 - H01L23/544
  • 该半导体元件包括:设置于基底上的第一导电以及设置于第一导电上的第二导电;第一次组实体对准标记以及第一次组间隔对准标记。第一次组实体对准标记包括:第一对准标记,经设置于第一导电中;以及第二对准标记,经设置于第二导电中并与第一对准标记偏离。第一次组间隔对准标记包括:该第一次组间隔对准标记的第一对准标记,经设置于第一导电中并与第一次组实体对准标记的第一对准标记远离;第一次组间隔对准标记的第二对准标记,经设置于第二导电中并与第一次组间隔对准标记的第一对准标记偏离第一次组实体对准标记及第一次组间隔对准标记包括一荧光材料。
  • 半导体元件及其制备方法
  • [发明专利]晶片对准标记选取方法-CN202210935088.0在审
  • 郭超;费志平;李玉华;姜冒泉;吴友根;魏育航 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2022-08-05 - 2022-11-22 - G03F9/00
  • 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种晶片对准标记选取方法。晶片对准标记选取方法包括以下步骤:选取与晶片各个前对应的前对准标记集合,每个所述前对准标记集合中包括多种前对准标记;遍历检测光源集合中的所有检测光源,使得每个所述检测光源分别对所有前对准标记集合中的各前对准标记进行检测,确定对应不同前的最佳对准组合;一对所述最佳对准组合包括一种最佳对准标记和一种检测光源的组合;整合对应同一检测光源的最佳对准组合形成最佳对准集合,各个所述最佳对准集合中包括位于不同前中的最佳对准标记;基于目标对准标记数量,在各个最佳对准集合中设定各种最佳对准标记的最佳分配数量。
  • 晶片对准标记选取方法
  • [发明专利]用于对液晶进行图案化的方法和系统-CN202080080827.1在审
  • R·K·科曼杜里;吴哲宇 - 奇跃公司
  • 2020-11-19 - 2022-07-08 - G02F1/1337
  • 在一些实施方式中,通过使用纳米压印对准来图案化液晶来创建光学母版。纳米压印对准和液晶构成光学母版。光学母版位于光对准上面。光学母版被照射并且传播通过纳米压印对准和液晶的光被衍射,并且随后撞击光对准。入射的衍射光使液晶中的图案被转移到光对准。第二液晶被沉积到图案化光对准上,图案化光对准随后用于对准第二液晶的分子。在一些实施方式中,图案化光对准中的第二液晶可被用作复制光学母版或衍射光学元件,诸如用于引导光学装置中的光,诸如显示装置,包括增强现实显示装置。
  • 用于液晶进行图案方法系统
  • [发明专利]薄介质光刻对准标记的制作方法-CN201310675882.7在审
  • 童宇锋;袁春雨 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2013-12-12 - 2015-06-17 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种薄介质光刻对准标记的制作方法,步骤包括:1)在前前金属上对应本介质要放置光刻对准标记的区域处放置整块金属档板;2)进行前介质的沉积、光刻和填充工艺;3)根据本介质光刻对准标记的形状和尺寸,在本介质光刻对准标记下方的前金属上刻蚀形成相应的开孔;4)进行本介质的沉积、光刻和填充工艺,最终形成具有三厚度的光刻对准标记。本发明通过在介质对准标记对应的前金属层位置设计与对准标记形状大小相应的开孔,使最终形成的对准标记具有三厚度且稳定均匀,如此不仅提高了对准标记的高低差,增强了对准信号的强度,而且提高了对准信号的稳定性和可靠性
  • 介质光刻对准标记制作方法
  • [发明专利]一种能对准的不干胶标签-CN201310457072.4无效
  • 侯汉武 - 昆山众汇复合材料有限公司
  • 2013-09-30 - 2014-01-22 - G09F3/02
  • 本发明涉及一种能对准的不干胶标签,包括纸张、胶粘剂和底纸,所述纸张连有透明对准膜,所述透明对准膜上印有对准线,所述对准线至少包括相互垂直的两条线,所述纸张与透明对准膜之间为压痕连接,所述底纸为涂硅保护纸;本发明结构简单,使用方便,使用时直接去掉底纸,用透明对准膜上的对准线对准参照物上的线条,就能够贴正不干胶标签,贴好后还能够撕去透明对准膜。
  • 一种对准不干胶标签

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top