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[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN202011024852.6在审
发明人：朴钟庆;徐智贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列可以包括多个存储器单元。外围电路对多个存储器单元中的被选存储器单元执行编程操作。控制逻辑控制外围电路以对被选存储器单元当中的要被编程为高编程状态的第一存储器单元执行预编程操作，并在预编程操作之后对被选存储器单元执行正常编程操作。
半导体存储器装置及其操作方法

[发明专利]具有共享源极线的MRAM装置-CN200880125502.X有效
发明人：杨赛森;钟成;朴东奎;穆罕默德·H·阿布-拉赫马 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：在特定实施例中，一种存储器装置包含第一存储器单元和第二存储器单元。所述存储器装置还包含：第一位线，其与所述第一存储器单元相关联；以及第二位线，其与所述第二存储器单元相关联。所述存储器装置还包含源极线，其耦合到所述第一存储器单元且耦合到所述第二存储器单元。所述存储器单元可由具有选择场效应晶体管的自旋转移矩磁致电阻存储器单元形成。所述存储器单元还可形成为互补单元对。对半选择单元供电或在其上供电以防止读取干扰。
具有共享源极线 mram 装置

[发明专利]存储器设备和包括其的电子设备-CN202011541820.3在审
发明人：金佳琳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种存储器设备包括：存储器单元阵列，包括连接到一条位线并配置为分布式地存储N比特数据的M个存储器单元，其中，N是自然数，并且M是2以上且N以下的自然数，M个存储器单元包括具有不同感测裕度的第一存储器单元和第二存储器单元；以及包括页缓冲器的存储器控制器，该存储器控制器配置为将N比特数据分布式地存储在M个存储器单元中并依次读取存储在M个存储器单元中的数据以获得N比特数据，以及配置为使用N比特数据来执行操作的操作逻辑，存储器控制器配置为向第一存储器单元和第二存储器单元提供不同的读取电压
存储器设备包括电子设备

[发明专利]电阻式随机存取存储器以及存储及检索电阻式随机存取存储器的信息的方法-CN201480020193.5有效
发明人：亚当·琼森 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：一些实施例包含存储及检索电阻式随机存取存储器RRAM阵列的数据的方法。所述阵列被细分为多个存储器位，其中每一存储器位具有至少两个存储器单元。通过同时改变存储器位内的所有存储器单元的电阻状态而编程所述存储器位。通过确定通过所述存储器位内所有存储器单元的总电流来读取所述存储器位。一些实施例包含具有多个存储器单元的RRAM。通过位线/字线组合唯一地寻址所述存储器单元中的每一者。存储器位含有耦合在一起的多个存储器单元，其中每一存储器位内的所述耦合的存储器单元处于彼此相同的电阻状态中。
电阻随机存取存储器以及存储检索信息方法

[发明专利]存储器单元布置-CN202110796013.4有效
发明人： M·门内加 -专利权人：铁电存储器股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器单元布置。根据各个方面，所述存储器单元布置包含：第一控制线和第二控制线；多个存储器结构，其设置在该第一控制线与该第二控制线之间，其中，所述多个存储器结构中的每个存储器结构包括第三控制线、第一存储器单元和第二存储器单元；其中，对于所述多个存储器结构中的每个存储器结构，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元通过所述第三控制线彼此耦合；其中，对于所述多个存储器结构中的每个存储器结构，所述第一存储器单元耦合至所述第一控制线，并且所述第二存储器单元耦合至所述第二控制线。
存储器单元布置

[发明专利]带有冗余位及存储器元件表决电路的存储器阵列-CN201110379089.3有效
发明人：徐彦忠 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明涉及带有冗余位及存储器元件表决电路的存储器阵列。集成电路可以具有存储器元件的阵列。每一个存储器元件可以具有多个存储器单元。每一个存储器元件可以具有表决电路，其从该存储器元件中的存储器单元接收信号。表决电路可以基于该信号产生输出。由每一个存储器元件的存储器单元所存储的信号可以是冗余的，使得即使在辐照导致一些存储器单元将其状态翻转至错误值的情况下，表决电路也可以产生正确的输出。存储器元件可以基于如下存储器单元，例如静态随机访问存取存储器单元和基于晶闸管的单元。
带有冗余存储器元件表决电路阵列

[发明专利]存储器装置及其操作存储器的方法-CN200810170464.1有效
发明人：蔡文哲;欧天凡;黄竣祥 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其操作存储器的方法。此存储器装置包括多个存储器单元，且每个存储器单元都与相邻的存储器单元共享一个源极/漏极区。此方法施加一电子流至两个存储器单元之间的一个源极/漏极区，使得当欲程序化的存储器单元在其邻近的存储器单元具有高阈值电压时，仍然有足够的电子将所述存储器单元程序化，进而降低存储器单元在被程序化速率上的歧异度
存储器装置及其操作方法

[发明专利]闪速存储器控制电路及其存储系统与数据传输方法-CN200910148452.3有效
发明人：叶志刚 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：本发明提供一种闪速存储器控制电路及其存储系统与数据传输方法，其中闪速存储器控制电路包括微处理器单元、第一与第二接口单元、缓冲存储器、存储器管理单元以及数据读写单元。存储器管理单元管理多个闪速存储器单元，其中每一闪速存储器单元具有至少一闪速存储器且每一闪速存储器分别地具有至少包括一上页与一下页的多个存储单元阵列。存储器管理单元将对应的每一闪速存储器的其中一个存储单元阵列进行分群多个数据传输单位组，并且数据读写单元依据数据传输单位组将主机系统欲写入的数据交错地传输至闪速存储器单元中。因此，闪速存储器控制电路可稳定地传输数据而降低缓冲存储器的使用。
存储器控制电路及其存储系统数据传输方法

[发明专利]电子装置及非挥发性存储器装置与编程方法-CN201510222594.5有效
发明人：谢志昌;陈弟文;李永骏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器装置。该存储器装置包含多个存储器单元及耦接至存储器单元的控制电路。控制电路用以：提供一第一编程电压至该些存储器单元；以一中间位准验证电压验证该些存储器单元，以依据该些存储器单元是否未到达或已到达该中间位准验证电压而分别将该些存储器单元分为一第一组存储器单元及一第二组存储器单元；提供一第二编程电压至该第一组存储器单元，并禁止该第二组存储器单元接收该第二编程电压，该第二编程电压大于或等于该第一编程电压；以及以一期望位准电压验证该第一组存储器单元及该第二组存储器单元。基于该存储器装置，本发明还提供了相应的编程方法及电子装置。
电子装置挥发性存储器编程方法

[发明专利]用于存储器装置的磁性高速缓存器-CN202110675845.0在审
发明人： D·A·尤达诺夫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请案是针对用于存储器装置的磁性高速缓存器。磁性存储元件(例如，磁性存储器单元，例如自旋转移力矩STT存储器单元或磁性穿隧结MTJ存储器单元)可被配置成充当用于存储器阵列的高速缓存器，其中所述存储器阵列包含不同类型的存储器单元。所述磁性存储元件可以电感方式耦合到用于所述存储器阵列的存取线。基于此电感耦合，当存储器值写入到所述阵列的存储器单元或从所述阵列的存储器单元读取时，所述存储器值可基于穿过用以写入或读取所述存储器单元的存取线的相关联电流而并行地写入到磁性存储元件。可通过从所述磁性存储元件而非从所述阵列的所述存储器单元读取所述存储器值来执行后续读取请求。
用于存储器装置磁性高速缓存

[发明专利]用于筛选存储器阵列中的弱比特的方法-CN202210442208.3在审
发明人：池育德;李嘉富;刘建瑛;史毅骏;陈冠均;杨学之;吕士濂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种筛选存储器阵列中的弱比特的方法，包括：将第一组数据存储在存储器阵列的具有第一组存储器单元的第一存储器阵列中；至少对第一存储器阵列实施第一烘焙工艺，或者至少对第一存储器阵列施加第一磁场；确定存储在第一存储器阵列中的第一组数据的部分是否由第一烘焙工艺或第一磁场改变；以及如果第一组存储器单元的第一存储器单元存储改变的数据，则跟踪第一组存储器单元的至少第一存储器单元的地址，并且实施以下操作中的至少一个：(1)利用存储器阵列的第二存储器阵列中的对应存储器单元替换存储改变的数据的第一组存储器单元中的第一存储器单元，和(2)丢弃存储改变的数据的第一组存储器单元中的第一存储器单元。
用于筛选存储器阵列中的比特方法

[发明专利]中心单元、存储器模块、存储器系统和对其读和写的方法-CN200510072711.0无效
发明人：李起薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-05-17 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： G06F13/37 文献下载
摘要：一种中心单元、存储器模块、存储器系统和对其进行读和写的方法。在测试模式中，可以忽略存储器模块、存储器器件、或存储器单元识别信息，从而可以测试写入或测试读取所有的存储器模块、存储器器件、或存储器单元。忽略存储器识别信息可以允许所有的存储器模块、存储器器件、或存储器单元同时被写入或读取，从而减少了测试时间。
中心单元存储器模块系统方法

[发明专利]用于控制存储器的系统、装置、存储器控制器及方法-CN201280012921.9有效
发明人：杰里米·W·巴特菲尔德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明描述用于控制存储器的系统、装置、存储器控制器及方法。一种此类方法包含：激活存储器装置的存储器单元；在激活所述存储器单元之后，提供命令给所述存储器装置；以及如果所述命令未指示目标存储器磁盘区，那么使所述存储器单元返回到先前状态，其中如果所述命令指示与所述存储器单元相关联的目标存储器磁盘区，那么所述存储器单元保持作用。
用于控制存储器系统装置控制器方法

[发明专利]非易失性存储器装置及对此装置编程的方法-CN201280068501.2有效
发明人： H.V.特兰;H.Q.阮;A.利;T.吴 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：非易失性存储装置具有用于提供编程电流的电荷泵和非易失性存储器单元的阵列。阵列的每一存储器单元由来自电荷泵的编程电流进行编程。非易失性存储器单元的阵列被划分成多个单位，每一单位包括多个存储器单元。指示器存储器单元与每一单位的非易失性存储器单元关联。当每一单位的50％或更少的存储器单元将被编程时，编程电路使用编程电流对每一单位的存储器单元进行编程，并且当每一单位的多于50％的存储器单元将被编程时，编程电路使用编程电流对每一单位的存储器单元的逆以及与每一单位关联的指示器存储器单元进行编程
非易失性存储器装置对此编程方法

[发明专利]内容定址存储器单元、内容定址存储器装置及其操作方法以及数据搜索比对的方法-CN202111381907.3在审
发明人：曾柏皓;李峯旻 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种内容定址存储器(CAM)单元、CAM存储器装置及其操作方法以及数据搜索比对的方法。CAM单元包括：一第一快闪存储器单元，该第一快闪存储器单元的一第一端用以接收一第一搜索电压；一第二快闪存储器单元，该第二快闪存储器单元的一第一端用以接收一第二搜索电压，该第一快闪存储器单元的一第二端与该第二快闪存储器单元的一第二端电性连接；其中该第一快闪存储器单元与该第二快闪存储器单元串联连接，该内容定址存储器单元的一存储数据决定于该第一快闪存储器单元与该第二快闪存储器单元的多个阈值电压的组合。
内容定址存储器单元装置及其操作方法以及数据搜索方法