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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器设备及其操作方法-CN202110897698.1在审
发明人：林侊敃;李熙烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器设备及其操作方法。一种半导体存储器设备包括存储器块、外围电路和控制逻辑。存储器块包括连接到虚设字线的虚设存储器单元和连接到正常字线的正常存储器单元。外围电路对存储器块执行擦除操作。控制逻辑控制外围电路的操作。控制逻辑控制外围电路：响应于针对存储器块的擦除命令，对连接到虚设字线之中的第一虚设字线的第一虚设存储器单元执行预编程操作；并且在对第一虚设存储器单元的预编程操作之后，对连接到虚设字线之中的第二虚设字线的第二虚设存储器单元执行预编程操作控制逻辑控制外围电路对正常存储器单元执行擦除操作。
半导体存储器设备及其操作方法

[发明专利]存储器装置-CN202310097230.3在审
发明人：辛弦燮;郭东勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种存储器装置包括多个存储器单元，每个存储器单元被配置为根据其内所存储的数据而处于擦除状态或者多个编程状态之一。存储器装置还包括外围电路，外围电路被配置为在对多个存储器单元的编程操作中，对第一存储器单元执行第一编程电压施加操作，第一存储器单元要被编程到第一相应编程状态。外围电路还被配置为在第一编程电压施加操作之后，对第二存储器单元执行预编程电压施加操作，第二存储器单元要被编程到第二相应编程状态。
存储器装置

[发明专利]用于修复半导体存储器的设备和方法-CN200680032046.5有效
发明人：克里斯·G·马丁;特洛伊·A·曼宁;布伦特·基斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于修复半导体存储器装置的设备和方法，其包括第一存储器单元阵列、第一冗余单元阵列和修复电路，所述修复电路经配置以非易失性地存储指示所述第一存储器单元阵列中的至少一个缺陷存储器单元的第一地址第一易失性高速缓冲存储器存储对应于指示所述至少一个缺陷存储器单元的所述第一地址的第一高速缓存地址。所述修复电路将指示所述第一存储器单元阵列的所述至少一个缺陷存储器单元的所述第一地址分配给所述第一易失性高速缓冲存储器。当第一存储器存取对应于所述第一高速缓存地址时，匹配电路用来自所述第一冗余单元阵列的至少一个冗余存储器单元来取代所述第一存储器单元阵列中的所述至少一个缺陷存储器单元。
用于修复半导体存储器设备方法

[发明专利]混合式存储器管理-CN200980119526.9无效
发明人：威廉·H·德雷克;迈克尔·默里;马丁·朗纳·富鲁耶尔姆;约翰·盖尔德曼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-05-28 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明揭示用于管理利用单电平存储器单元和多电平存储器单元的混合式存储器装置中的数据存储的方法和设备。可基于所执行的写入操作的频率而在单电平存储器单元和多电平存储器单元之间分布逻辑地址。可通过各种方法来确定对应于存储器中的逻辑地址的数据的初始存储，包括将所有数据初始写入到单电平存储器或将所有数据初始写入到多电平存储器。其它方法准许主机基于预期使用而将逻辑地址写入引导到单电平存储器单元或多电平存储器单元。
混合式存储器管理

[发明专利]用于暂存存储内容的存储器装置和方法-CN201811242463.3在审
发明人：斯特芬·桑尼卡尔布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G06F12/0808 文献下载
摘要：根据一个实施例，描述了一种存储器装置，其具有：存储器；第一缓冲存储器；第一缓冲存储器控制单元，所述第一缓冲存储器控制单元配置为，在将来自所述存储器的存储内容存储到第一缓冲存储器中时，借助修改使在存储器中的存储内容无效；第二缓冲存储器和第二缓冲存储器控制单元，所述第二缓冲存储器控制单元配置为，从所述存储器读取存储内容，以检验：从存储器读取的存储内容是否有效，并且如果从所述存储器读取的存储内容无效，则将对所述修改的逆向操作应用于所读取的存储内容
存储内容缓冲存储器控制存储器读取缓冲存储器存储器存储器装置单元配置读取操作应用暂存存储检验

[发明专利]半导体存储器设备和存储器系统-CN202010546678.5在审
发明人：车相彦;宋镐永;李明奎;赵诚慧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：提供一种半导体存储器设备和存储器系统。该半导体存储器设备包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)引擎电路、错误信息寄存器和控制逻辑电路。存储器单元阵列包括存储器单元行。控制逻辑电路控制ECC引擎电路以基于在擦洗操作中对第一存储器单元行中的第一子页面执行第一ECC解码并且基于在对第二存储器单元行的正常读取操作中对第二存储器单元行中的第二子页面执行第二ECC解码来生成错误生成信号控制逻辑电路将错误信息记录在错误信息寄存器中，并基于错误信息控制ECC引擎电路跳过对第一存储器单元行和第二存储器单元行的所选择的存储器单元行的ECC编码和ECC解码。
半导体存储器设备系统

[发明专利]在存储系统的两遍编程之前执行读取操作-CN201880092010.9在审
发明人：张扬 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：从多个存储器单元中的存储器单元的第一部分读取数据。通过将新数据提供到所述多个存储器单元中的另一存储器单元，对所述另一存储器单元执行第一编程遍次。通过基于所述存储器单元的所述第一部分的所述读取将额外数据提供到所述存储器单元的所述第一部分，对所述存储器单元执行第二编程遍次。所述第一编程遍次及所述第二编程遍次对应于与所述多个存储器单元相关联的两遍编程操作。
存储系统编程之前执行读取操作

[发明专利]具有低电压模式操作的存储器-CN201110221731.5有效
发明人： H·B·恩古延;T·L·库珀;R·拉玛拉朱;A·C·拉塞尔 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种包括存储器单元(113、117、115、119)的存储器，其中该存储器被配置以在正常电压模式和低电压模式中操作。方法包括在正常电压模式期间，在存储器单元的每个单元两端的第一电压之下操作存储器单元。方法还包括在从正常电压模式变换到低电压模式时，在存储器单元的每个单元两端的第二电压之下操作存储器单元，其中第二电压低于第一电压。方法还包括在维持存储器单元两端的第二电压的同时执行对存储器单元的子集的访问。
具有电压模式操作存储器

[发明专利]半导体存储器装置和其形成方法-CN202110324343.3在审
发明人：藤本稔泰;佐佐木隆;寺田忍 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及半导体存储器装置和其形成方法。一种半导体存储器装置包含存储器单元区；存储器片块末端区；存储器片块，其包含所述存储器单元区和所述存储器片块区；多个第一硅区，其布置于所述存储器单元区中；第二硅区，其布置于所述存储器片块末端区中；第一导电层，其设置在所述存储器单元区和所述存储器片块末端区中；且其中所述存储器片块末端区中的所述第二硅区的上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第一硅区的所述上表面位置；且其中所述存储器片块末端区中的所述第一导电层的所述上表面位置高于所述存储器单元区中的所述第一导电层的所述上表面位置
半导体存储器装置形成方法

[发明专利]存储器单元的单脉冲验证-CN201880063944.X在审
发明人： X.杨;曾怀远;D.杜塔;J.吴;G.J.赫明克 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本文中公开内容涉及存储器装置及用于验证所述存储器装置的编程状态的方法。该存储器装置包括耦接到字线的存储器单元。该存储器装置包括耦接到字线的控制器。控制器配置为编程耦接到字线的存储器单元。控制器配置为基于存储器单元的第一子集的编程状态，验证耦接到字线的存储器单元的第一子集的编程状态以及耦接到到字线的存储器单元的第二子集的编程状态。
存储器单元脉冲验证

[发明专利]闪存设备及其编程方法-CN201811156414.8有效
发明人：申晧荣;吴明姬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种闪存设备包括第一存储器单元、第二存储器单元、行解码器和偏置发生器。第一存储器单元是所选存储器单元，第二存储器单元是与连接到第一存储器单元的位线连接的未选存储器单元。行解码器控制要施加到第一存储器单元的字线电压并控制要施加到第二存储器单元的未选源极线电压。偏置发生器基于随环境温度而改变的第一字线晶体管的阈值电压来生成字线电压，并基于所选位线的电压电平来生成未选源极线电压。
闪存设备及其编程方法

[发明专利]非易失性存储器与其操作方法-CN202010045577.X在审
发明人：叶腾豪;吕函庭;刘逸青 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器与其操作方法。非易失性存储器包含多个存储器单元串列、多个位开关、存储器操作电路及多个源极开关。这些位开关电性连接于这些存储器单元串列。存储器操作电路电性连接于这些位开关，用以传送写入信号至存储器单元串列。这些源极开关电性连接于存储器单元串列，使得存储器单元串列经由源极开关接收偏压信号。在写入阶段中，当位开关中的第一位开关导通，使得第一存储器单元串列通过第一位开关接收写入信号时，电性连接于其他存储器单元串列的这些源极开关将导通。
非易失性存储器与其操作方法

[发明专利]存储器阵列及电子设备-CN201210258473.2有效
发明人：胡剑;杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种存储器阵列和电子设备，所述存储器阵列包括多个成阵列排布的存储器单元，所述各存储器单元包含多条互相平行的位线、以及平行排列于位线上且与所述位线垂直的字线，每条位线在列方向上连接各存储器单元的源极或漏极，每条字线在行方向上连接各存储器单元的栅极；其中，所述存储器单元的栅极包括双栅结构及位于双栅结构之间的选择栅，所述双栅结构并列排布于衬底上。所述电子设备配置了上述存储器阵列。本发明针对电可擦可编程只读存储器而设计，能避免对选中的存储器单元进行操作时，对其它存储器单元产生串扰。
存储器阵列电子设备

[发明专利]存储器装置的修改的写入电压-CN202180018754.8有效
发明人： S·达斯古普塔;S·兰加;K·班纳吉;N·加杰拉;M·J·陶布;K·潘加儿 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：本申请涉及用于存储器装置的修改的写入电压。在实例中，所述存储器装置可基于接收到的写入命令而确定要从第一逻辑状态(例如，置位状态)切换到第二逻辑状态(例如，复位状态)的第一组存储器单元。存储器装置可执行读取操作以确定第一组存储器单元的子集(例如，第二组存储器单元)的具有满足基于所述存储器单元的预测漂移满足准则的电导阈值的子集。所述存储器装置可以向第一组存储器单元内的每个存储器单元施加复位脉冲，其中修改施加到所述第二组存储器单元的复位脉冲以减小复位状态下的电压阈值漂移。
存储器装置修改写入电压

[发明专利]存储器装置及其编程方法-CN201810592618.X有效
发明人：申桂完 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：存储器装置及其编程方法。一种存储器装置可包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及控制电路，其被设置为对存储器单元阵列进行编程。控制电路可根据预定编码方法对存储器单元阵列进行编程，使得用于多感测的读电压电平被最小化并且对逻辑页的读操作的次数被分布。因此，该存储器装置可改进多个存储器单元的单元分布和读定时的性能。
存储器装置及其编程方法

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