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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包含垂直共享位线的多层级三维存储器器件-CN201680049440.3有效
发明人： Z.卢;H.钱;J.阿尔斯梅尔;宫田幸儿;张彤;M.穆伊;J.卡伊;W.史;赵伟;胡晓龙;J.许;G.J.赫明克;C.佩蒂 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：多层级存储器器件形成在衬底之上，使得存储器堆叠体结构穿过每个层内的绝缘层和电气导电层的交替堆叠体延伸。位线形成在具有半导体沟道之上的漏极区域的下卧层和具有在半导体沟道之下的漏极区域的上覆盖层之间，使得位线在下卧层和上覆盖层之间共享。源极线可以形成在每个层之上，其中源极区域上覆盖于半导体沟道和漏极区域。如果另一个层存在于源极线之上，那么源极线可以在两个垂直邻近层之间共享。
包含垂直共享多层三维存储器器件

[发明专利]用于编程非易失性存储器的智能验证-CN201680053927.9有效
发明人： M.邓加;G.J.赫明克;Z.周;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了在编程非易失性储存器时减少电流消耗的技术。使用存储器单元的子集来进行智能验证。通过将智能验证施加到存储器单元的仅一个子集来节省电流。智能验证可以用来表征编程速度。智能验证的结果可以用来确定稍后在编程过程中要被施加的虚拟编程脉冲的幅度。虚拟编程脉冲之后没有编程验证，从而减少了电流。如果虚拟编程脉冲将阈值电压推到足够高，则在稍后的编程中验证时，这些存储器单元将不传导电流。因此，在编程验证期间节省了电流。另外，在编程脉冲之前，接收虚拟脉冲的存储器单元的位线不需要预充电，从而可以节省更多的电流。
用于编程非易失性存储器智能验证

[发明专利]基于擦除速度的字线控制-CN201710128206.6有效
发明人： B.雷;M.东加;G.J.赫明克;C.陈 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：公开了用于擦除深度控制的装置、系统、方法、和计算机程序产品。一种装置包括非易失性存储单元块。控制器被配置成用于对非易失性存储单元块执行第一擦除操作。用于块的控制器被配置成用于基于验证电压阈值来确定所述块中的第一存储单元集合具有比所述块中的第二存储单元集合更快的擦除速度。用于块的控制器被配置成用于针对所述块中的第一存储单元集合和第二存储单元集合使用不同电压对所述块执行第二擦除操作。
基于擦除速度控制

[发明专利]基于单元电流的位线电压-CN201710128208.5有效
发明人： B.雷;G.J.赫明克;M.东加;B.拉加莫哈南;C.陈 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：公开了用于读取电平确定的装置、系统、方法和计算机程序产品。非易失性存储单元块具有多个位线。用于块的控制器被配置成用于使用针对所述位线的第一读取电平来对存储单元集合执行第一读取。控制器被配置成用于至少部分地基于第一读取来确定针对所述位线的至少一部分的第二读取电平。控制器被配置成用于使用针对位线的至少一部分的第二读取电平来对存储器集合执行第二读取。
基于单元电流电压

[发明专利]存储器单元的单脉冲验证-CN201880063944.X在审
发明人： X.杨;曾怀远;D.杜塔;J.吴;G.J.赫明克 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本文中公开内容涉及存储器装置及用于验证所述存储器装置的编程状态的方法。该存储器装置包括耦接到字线的存储器单元。该存储器装置包括耦接到字线的控制器。控制器配置为编程耦接到字线的存储器单元。控制器配置为基于存储器单元的第一子集的编程状态，验证耦接到字线的存储器单元的第一子集的编程状态以及耦接到到字线的存储器单元的第二子集的编程状态。
存储器单元脉冲验证

[发明专利]以非均匀布置的参考阈值电压读取软位的非易失性多位存储器和方法-CN201180068391.5有效
发明人： I.阿尔罗德;E.沙伦;T.米瓦;G.J.赫明克;Y.L.科 -专利权人：桑迪士克以色列有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：非易失性存储器具有被编程在由参考阈值的第一集合跨过阈值窗划分的电压带的第一集合的任意一个内的其单元的阈值。关于参考阈值的第二集合以较高的分辨率读取单元，以便提供用于错误校正的另外的软位。第二集合的参考阈值被设置为非均匀地分布在阈值窗上以便在指定的区域处提供更高的分辨率。同时，它们有助于利用简单的算法和读取电路并使用最少的数据锁存器对要被对称地逐位读取的软位被按组读取。这通过放宽以下要求来实现：参考阈值的第一集合是第二集合的子集，并且得到的软位关于硬位而对称地分布。
均匀布置参考阈值电压读取非易失性多位存储器方法

[发明专利]存储器的适应性擦除和软编程-CN200980154949.4有效
发明人：李世俊;G.J.赫明克 -专利权人：桑迪士克公司
申请日： 2009-09-23 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：非易失性存储器件的擦除序列包括：擦除操作(910)，其后跟有软编程操作(930)。擦除操作例如经由衬底将一个或多个擦除脉冲施加到存储元件(920)，直到满足擦除电平(924)。跟踪并记录擦除脉冲的数量(926)，作为存储器件已经经历的编程-擦除周期的数量的指示。软编程操作(930)将软编程脉冲(944)施加到存储元件，直到满足软编程验证电平(950)。基于擦除脉冲的数量，通过对于作为擦除脉冲的数量的函数的具体数量的初始软编程脉冲跳过验证操作(946)来缩短软编程操作时间。此外，可以最优化软编程操作的特性，诸如开始幅度、步长大小或脉冲持续时间。
存储器适应性擦除编程

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