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[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201810343202.4有效
发明人：李熙烈;权景喆;李东训;郑玟珪;郑圣蓉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：根据实施例的具有改进的可靠性的存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其对多个存储器单元之中的选择的存储器单元执行编程操作；以及控制逻辑，其在编程操作完成之后，控制外围电路对选择的存储器单元之中的、对应于深度擦除状态的存储器单元执行附加编程操作，对应于该深度擦除状态的存储器单元的阈值电压具有低于对应于擦除状态的阈值电压的电压电平。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]控制突触元件中电阻逐渐变化的装置和方法-CN202080055825.7在审
发明人：金俊成 -专利权人：金俊成
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种存储器装置，该存储器装置能够产生用于处理用于实现神经形态系统的突触元件的分析信息的逐渐电阻变化。为了解决前述缺陷，本发明提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器阵列，其包括能够选择性地存储逻辑状态的多个存储器单元以及连接到所述多个存储器单元的多条位线和字线；控制器，其控制写入步骤和读取步骤；写入单元；以及读取单元，其中，在所述写入步骤中，所述控制器使得所述写入单元从所述多个存储器单元中选择一个或更多个存储器单元，依次向其施加写入电压以允许写入逻辑状态，并且在所述读取步骤中，使得所述读取单元将读取电压施加到被选择为写入所述逻辑状态的所述一个或更多个存储器单元，并且基于流经所述一个或更多个存储器单元的电流的总和来确定突触权重，使得将所选择的一个或更多个存储器单元被识别为作为突触元件运行。
控制突触元件电阻逐渐变化装置方法

[发明专利]存储器子系统数据迁移-CN202210931170.6在审
发明人：罗婷;罗贤钢;J·黄;P·S·阮 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种方法包含接收将数据写入到存储器装置的命令以及将所述数据写入到所述存储器装置的第一存储器层次。所述存储器装置的所述第一存储器层次是利用单层级单元SLC、多层级单元MLC和三层级单元TLC的动态存储器层次。所述方法进一步包含将所述数据从所述存储器装置的所述第一存储器层次迁移到所述存储器装置的第二存储器层次。所述存储器装置的所述第二存储器层次是利用四层级单元QLC的静态存储器层次。
存储器子系统数据迁移

[发明专利]一种分层存储器阵列及其工作方法-CN201410053297.8有效
发明人：景蔚亮;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种分层存储器阵列及其工作方法，包括：易失性静态随机访问存储器阵列层(包括多个静态随机访问存储单元)；多个非易失性存储器阵列层(包括非易失性存储器单元组成的阵列)；控制端组，其包括静态随机访问存储器和非易失性存储器的多个控制端；每个易失性静态随机访问存储器的控制端控制着多个易失性静态随机访问存储器单元，每个非易失性存储器的控制端控制着多个非易失性存储器单元；非易失性存储器阵列层中的每一个非易失性存储器单元均与易失性静态随机访问存储器阵列层中的一个静态随机访问存储单元连接
一种分层存储器阵列及其工作方法

[发明专利]以基于温度的频率对存储器系统的存储器单元执行操作-CN201980017592.9在审
发明人： S·K·瑞特南;V·P·拉亚普鲁;M·N·凯纳克;P·菲利;K·K·姆奇尔拉;R·C·帕迪拉;S·诺埃尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-02-07 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：确定与存储器组件相关联的温度。基于与所述存储器组件相关联的所述温度确定对与所述存储器组件相关联的存储器单元执行操作的频率。以所述所确定频率对所述存储器单元执行所述操作，以使所述存储器单元从与存储在所述存储器单元处的数据的增大的错误率相关联的状态转变到与存储在所述存储器单元处的所述数据的减小的错误率相关联的另一状态。
基于温度频率存储器系统单元执行操作

[发明专利]操作存储器元件的系统及方法-CN200810183345.X有效
发明人：金钟五;权彝振;刘承杰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种用于操作存储器元件的系统包含：具有若干存储器单元的存储器阵列以及以字符线耦接至存储器单元的一组动态参考单元。动态参考单元中的每一个向相关联的存储器单元提供用于判定相关联的存储器单元中的至少一个的状态的动态参考值。这个动态参考值能够反映出相关联的存储器单元中的至少一个的临限值变化。
操作存储器元件系统方法

[发明专利]存储器的冗余方案-CN201710478536.8有效
发明人：维韦克·诺蒂亚;法赫尔丁·阿里·博赫拉;萨蒂德吉特·辛格;吉滕达拉·达萨尼;施里·萨加尔·德维韦迪 -专利权人： ARM 有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：集成电路可以包括设置在集成电路的第一区域中的第一存储器单元阵列。第一存储器单元阵列包括第一存储器单元。集成电路可以包括设置在集成电路的与第一区域不同的第二区域中的第二存储器单元阵列。第二存储器单元阵列包括与第一存储器单元分离的冗余存储器单元。
存储器冗余方案

[发明专利]基于非易失性存储器单元的行为的编程方法-CN200480030734.9有效
发明人：陈建;杰弗里·W·卢策;李彦;丹尼尔·C·古特曼;田中智晴 -专利权人：桑迪士克股份有限公司;株式会社东芝
申请日： 2004-10-12 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：该用于编程一组存储器单元的处理是修改基于该等存储器单元的行为编程处理得以改进。例如，施加一组编程脉冲到一组快闪存储器单元的字线。对哪些存储器单元较易编程和哪些存储器单元较难编程作出判定。可基于哪些存储器单元较易编程和哪些存储器单元较难编程的所述判定来调整位线电压(或其它参数)。接着将藉由所述调整的位线电压(或其它参数)继续所述编程处理。
基于非易失性存储器单元行为编程方法

[发明专利]存储器设备和驱动写入电流的方法-CN201910623371.8在审
发明人：金灿景;金兑炫;徐宣揆;全相仲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了存储器设备和驱动写入电流的方法。存储器设备包括：存储器单元阵列，包括存储器单元，该存储器单元被配置为基于第一写入电流存储第一数据；写入驱动器，被配置为基于控制值输出第一写入电流；以及电流控制器，包括副本存储器单元，电流控制器被配置为基于存储在副本存储器单元中的第二数据的状态生成控制值
存储器单元写入电流存储器设备电流控制器副本配置存储存储器单元阵列写入驱动器第一数据状态生成驱动输出

[发明专利]存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器储存装置-CN201610003016.7有效
发明人：李明彦 -专利权人：群联电子股份有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器储存装置。本存储器管理方法包括根据可复写式非易失性存储器模块的每一实体抹除单元记录使用信息。本存储器管理方法也包括根据使用信息配置多个超实体单元，其中在第一超实体单元的第一实体抹除单元中对应第一非可用实体程序化单元的地址偏置值是相同于在第一超实体单元的第二实体抹除单元中对应第一可用实体程序化单元的地址偏置值本发明的存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器储存装置，可通过为可复写式非易失性存储器模块中的每个实体抹除单元记录使用信息，来确实地识别出每个实体抹除单元中的非可用实体程序化单元，以决定出较多的可用容量
存储器管理方法控制电路单元储存装置

[发明专利]用于存储器控制的方法和系统-CN202080077741.3在审
发明人：牛迪民;段立德;肖志斌;王雨豪;范小鑫 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：本申请公开了用于提高存储器控制的方法和系统。本申请的一个存储器架构包括多个存储器单元和接口。所述多个存储器单元中的相应存储器单元被配置为PIM架构。所述接口包括多条线。所述接口耦合在耦合在所述多个存储器单元和主机之间。所述接口用于经由所述多条线从主机接收一个或多个信号。所述多个存储器单元中的相应存储器单元耦合到所述多条线中的相应线，并且，所述相应存储器单元还通过接口接收所述一个或多个信号中的相应信号以便于被所述主机单独选择。
用于存储器控制方法系统

[发明专利]写入到交叉点非易失性存储器-CN202010864196.4有效
发明人：王蓓;A·卡德罗尼;W·肯尼;A·约翰逊;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案涉及写入到交叉点非易失性存储器。描述针对非易失性存储器阵列的用于在目标存储器单元的重复存取操作期间防止对非目标存储器单元的干扰的方法、系统及装置。多个存储器单元可与共同导电线电子通信，且每一存储器单元可具有电非线性选择组件。在对目标存储器单元的存取操作(例如，读取或写入操作)之后，可通过将放电电压施加到所述共同导电线将非目标存储器单元放电。在其它实例中，可在存取尝试之间建立延迟以便将所述非目标存储器单元放电。
写入交叉点非易失性存储器

[实用新型]在半导体衬底上的非易失性存储器-CN201520965493.2有效
发明人： F·拉罗萨;S·尼埃尔;A·雷尼耶 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型涉及在半导体衬底上的非易失性存储器。一种非易失性存储器(MEM1)包括存储器单元(C1,j)的行和列，存储器单元的列包括成对的双生存储器单元(C1,j、C2,j1)，双生存储器单元包括共用的选择栅极(CSG1,2)。根据本实用新型，存储器单元的每列设置有两个位线(B1,j、B2,j+1)。相同列的相邻的双生存储器单元没有连接到相同的位线，而相同列的非双生存储器单元连接到相同的位线。
半导体衬底非易失性存储器

[发明专利]用于DRAM故障校正的位替代技术-CN201080061838.1无效
发明人： F·A·韦尔;E·特塞恩;T·福格尔桑 -专利权人：拉姆伯斯公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本公开的实施方案提供了一种动态存储器装置，包括一组动态存储器单元和一组替代动态存储器单元。该组替代动态存储器单元包括包含在该组动态存储器单元中的预定故障单元的替代数据位的数据单元和包含识别故障单元的地址位的地址单元，其中每个数据单元与识别在动态存储器单元中的相关联的故障单元的一组地址单元相关联该动态存储器装置还包括一个重映射电路，该电路重映射在该组动态存储器单元中的故障单元到在该组替代单元中的相关联的替代单元。
用于 dram 故障校正替代技术

[发明专利]相变存储器系统、相变存储器设备及其刷新方法-CN202011114785.7在审
发明人：申闰盛;李光振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种相变存储器系统，包括相变存储器设备和相变存储器控制器，该相变存储器设备包括多个存储器单元，该多个存储器单元包括以至少一个或多个码字为单位的多个存储器元件，该相变存储器控制器执行用于刷新整个相变存储器设备的芯片刷新操作，其中相变存储器设备包括设置电路、刷新控制器、感测电路和请求电路，该设置电路以期望的方式确定多个存储器单元中的一个，该刷新控制器刷新所确定的存储器单元，该感测电路感测刷新的存储器单元中包括的至少一个或多个码字的数据
相变存储器系统设备及其刷新方法