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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810584241.3有效
发明人：陈志谚;林鑫成;林信志 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含设置于基底之上的通道层、设置于通道层之上的阻挡层、设置于阻挡层之上的栅极电极、以及设置栅极电极两侧的一对源极/漏极电极。这对源极/漏极电极至少延伸穿过部分的阻挡层。此半导体装置还包含顺应性地设置于这对源极/漏极电极的底部上的衬层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201711143483.0有效
发明人： 林信志;周钰杰 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置包括基板以及设置于基板上的第一III‑V族半导体层。第一III‑V族半导体层包括鳍片结构，且上述鳍片结构包括顶表面、第一侧壁以及相对于上述第一侧壁的第二侧壁。上述半导体装置亦包括设置于第一III‑V族半导体层上的第二III‑V族半导体层。第一III‑V族半导体层与第二III‑V族半导体层包括相异的材料，且第二III‑V族半导体层覆盖上述鳍片结构的顶表面、第一侧壁以及第二侧壁，以沿着上述鳍片结构的顶表面、第一侧壁以及第二侧壁形成异质接合。上述半导体装置亦包括设置于第二III‑V族半导体层上的栅极电极。本发明可增加异质接合的接触面积，因此可增加二维电子云的面积而提高装置效能。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]一种有机电致发光显示面板及其制备方法-CN202011331511.3有效
发明人：王钊;林信志 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10K50/858 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光显示面板及其制备方法，涉及显示技术领域，包括：一玻璃基板，所述玻璃基板上形成一透光区域和一非透光区域；一盲孔，穿设所述透光区域且所述盲孔内填充有一透明的第一胶体；一封装层，形成于所述透光区域和所述非透光区域的上方。有益效果是保证盲孔区域的透过率大于80％的同时，防止摄像头透过盲孔区域时出现拍摄异常形态；生产工艺复杂度较低，具备量产优势。
一种有机电致发光显示面板及其制备方法

[发明专利]半导体装置结构及其制造方法-CN201811025096.1有效
发明人：周政伟;林信志;周钰杰 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置结构及其制造方法。上述制造方法包含提供衬底基板。上述制造方法亦包含形成缓冲层于衬底基板上。上述制造方法更包含形成图案化硅层于缓冲层上。图案化硅层具有开口露出部分的缓冲层。此外，上述制造方法包含依序外延生长图案化沟道层及图案化障壁层于图案化硅层的上表面上。载流子沟道形成于图案化沟道层与图案化障壁层之间的界面上。上述制造方法亦包含形成栅极电极于图案化障壁层上。本发明可以提升半导体装置结构的品质，降低半导体装置结构的制造成本。
半导体装置结构及其制造方法

[发明专利]高电子移动率晶体管及其形成方法-CN201811037757.2有效
发明人：周钰杰;林信志;洪章响 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高电子移动率晶体管及其形成方法，高电子移动率晶体管包括：缓冲层位于基板上；阻障层位于缓冲层上，通道区位于缓冲层中，邻近缓冲层与阻障层的界面；能带调整层位于阻障层上，由上而下包括第一能带调整层、第二能带调整层及第三能带调整层；钝化层位于阻障层上，邻接能带调整层；栅极电极位于能带调整层上，并与能带调整层电性连接；及源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧，穿过钝化层，设于阻障层上；第一能带调整层、第二能带调整层、及第三能带调整层分别包括N型掺杂、未掺杂及P型掺杂三五族半导体或二六族半导体。
电子移动晶体管及其形成方法

[发明专利]像素电路和有机发光显示装置-CN202111030900.7在审
发明人： 林信志;谷朝辉;王建刚;田震 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本申请提供一种像素电路和有机发光显示装置，其中，像素电路包括：第一晶体管至第七晶体管、存储电容以及有机发光二极管；其中，所述第六晶体管的第一端与第一初始化信号线连接，其第二端与第二节点连接，所述第七晶体管的第一端与第二初始化信号线连接，其第二端与有机发光二极管的阳极连接。在本申请提供的像素电路和有机发光显示装置中，采用双初始化信号线设计的像素电路，通过两条初始化信号线分别对驱动晶体管的栅极和有机发光二极管的阳极进行初始化，由此降低第六晶体管的源漏压差，进而减少第六晶体管的漏电流，改善有机发光显示装置在低频驱动下显示画面闪烁的问题。
像素电路有机发光显示装置

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN201910912028.5有效
发明人： 林信志;王钊;梁逸南;魏佳;李博 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10K59/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置。其中显示面板包括显示区和围绕显示区的非显示区，显示区包括指纹识别区；还包括衬底基板以及设置于衬底基板一侧的多个像素电路，像素电路包括多条不透光的走线以及位于走线之间的透光区；透光区的面积a与像素电路的面积b的比值满足：本发明实施例提供的显示面板，可以有效提升指纹识别区的光线透过率，提高指纹识别速度和指纹识别灵敏度。
一种显示面板显示装置

[发明专利]高电子移动率晶体管-CN201810026948.2有效
发明人：林鑫成;林信志;林永豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电子移动率晶体管，包括：缓冲层位于基板上；临界电压调整层位于缓冲层上；通道区位于缓冲层中，邻近缓冲层与临界电压调整层的介面；能带调整层，位于临界电压调整层上；第一增强层，顺应性地覆盖于临界电压调整层及能带调整层上；栅极电极，位于第一增强层上；及源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧，穿过临界电压调整层及第一增强层，设于缓冲层上；其中临界电压调整层与第一增强层为三五族半导体。
电子移动晶体管

[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置-CN202110307266.0在审
发明人：金叶;林信志 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本申请提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置，其中，像素电路包括：像素驱动子电路和指纹识别子电路；像素驱动子电路包括有机发光二极管和开关组件；指纹识别子电路包括光电二极管、第一电容器和开关晶体管，光电二极管和第一电容器均连接在第一节点与第二电源之间，开关晶体管连接第一节点与数据线之间，开关晶体管的控制端与指纹识别扫描线连接。在本申请提供的像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置中，通过将指纹识别子电路嵌入像素电路中，并利用指纹识别子电路的光电二极管所反馈的信号确定指纹位置，实现触屏即有指纹识别功能，不但无需在显示装置上设置用于指纹识别的膜层，而且无需用力按压，指纹识别效果更佳。
像素电路及其驱动方法显示面板显示装置

[发明专利]一种显示面板的制作方法及显示面板-CN201811110248.8有效
发明人：张平平;林信志 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板的制作方法及显示面板。一种显示面板的制作方法包括：提供一第一基板和第二基板，所述第二基板设置在所述第一基板上；将所述第二基板的下边框的部分区域切割，形成第一开口区，所述第一开口区露出所述第一基板的部分下边框区；将第一膜上芯片型柔性电路板的一端绑定在所述第一开口露出的所述第一基板的部分下边框区；将第二膜上芯片型柔性电路板的一端绑定在未切割的所述第二基板的下边框区。实现减小显示面板的下边框的长度的效果，提升用户观看体验。
一种显示面板制作方法

[发明专利]高空穴移动率晶体管-CN201710844740.7有效
发明人：陈富信;林永豪;林鑫成;林信志;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高空穴移动率晶体管，包括：背阻挡层，位于基板上；导通层，位于背阻挡层上；通道区，位于导通层中，邻近导通层与背阻挡层的界面；掺杂层，位于导通层上；栅极电极，位于掺杂层上；源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧；及能带调整层，位于掺杂层上，并与栅极电极电连接；其中能带调整层为N型掺杂三五族半导体。本发明可形成增强型高空穴移动率晶体管，同时保持良好均匀性及通道低阻值。
空穴移动晶体管

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201711381180.2有效
发明人：陈富信;林鑫成;林永豪;林信志 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：基底、第一III‑V族化合物层、第二III‑V族化合物层、第三III‑V族化合物层以及第四III‑V族化合物层。基底的上方包括第一区域以及第二区域。第一III‑V族化合物层设置于第一区域内，第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上。第一载子通道形成于第一III‑V族化合物层以及第二III‑V族化合物层之间，第二III‑V族化合物层具有第一厚度。第三III‑V族化合物层设置于第二区域内，第四III‑V族化合物层设置于第三III‑V族化合物层上。第二载子通道形成于第四III‑V族化合物层与第三III‑V族化合物层之间，第四III‑V族化合物层具有小于第一厚度的第二厚度。本发明能够降低生产成本以及电路面积。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]彩膜触控显示面板、显示装置及制作方法-CN202011055156.1在审
发明人：李艳虎;徐亮;林信志;郝海燕;王建刚;桑成祥 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供了一种彩膜触控显示面板、显示装置及制作方法，该显示面板包括彩膜触控模组和显示模组，彩膜触控模组的至少一个方向的边框区域设置有触控电极的引线；彩膜触控模组的边框区域和显示模组的边框区域通过胶层粘合；触控电极的引线通过胶层将触控电极的引线引至显示模组的边框区域。本发明显示面板的显示模组和触控彩膜模组通过胶层粘合，且胶层将各个触控电极引至显示模组的电子线路层侧，可以将触控驱动电路和显示驱动电路的功能集成到同一驱动电路中，提高驱动电路的集成化，从而减少制程以及实现窄化显示面板的边框，适应显示面板窄边框化的趋势；另外，本申请的显示面板采用无偏光层的结构，大大降低了显示面板的功耗。
彩膜触控显示面板显示装置制作方法

[发明专利]一种显示面板和显示装置-CN202010681968.0在审
发明人：李艳虎;何志江;林信志;徐亮 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括：第一基底；TFT阵列，位于第一基底一侧；OLED阵列，位于TFT阵列远离第一基底的一侧，由阵列排布的红光OLED、绿光OLED和蓝光OLED构成；薄膜封装层，包覆TFT阵列和OLED阵列；以及图案化黑色盖板，位于薄膜封装层远离第一基底的一侧；图案化黑色盖板包括：第二基底，包括与OLED阵列相对的像素区，和除像素区之外的非像素区；黑色网格膜，位于第二基底靠近第一基底一侧的非像素区；以及保护层，包覆黑色网格膜。本发明提供的显示面板具有较低的反射率，且与现有采用POL的显示面板相比，在相同显示亮度下，本发明提供的显示面板功耗更低，寿命更长。
一种显示面板显示装置

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201811423550.9有效
发明人：周政伟;林信志;周钰杰 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其形成方法，其中，半导体装置包括：半导体装置包含第一复合III‑V族半导体层设置于复合基底上，以及第二III‑V族半导体层设置于第一复合III‑V族半导体层上。半导体装置也包含栅极结构设置于第二III‑V族半导体层上，以及源极电极和漏极电极设置于第二III‑V族半导体层上和栅极结构的相对两侧。半导体装置更包含场板设置于栅极结构与漏极电极之间，以及导电结构穿过第二III‑V族半导体层和第一复合III‑V族半导体层，其中场板藉由导电结构与复合基底电连接。
半导体装置及其形成方法

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