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- [发明专利]闪存器件的制造方法-CN202010456519.6有效
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刘宪周
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2020-05-26
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2023-08-01
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H10B41/30
- 本发明提供一种闪存器件的制造方法，通过在介质层中的第一开口的侧壁上形成第一侧墙层和第二侧墙层；在栅结构层中形成第二开口；依次形成第三侧墙层和氮化层，所述第三侧墙层覆盖暴露出的所述栅结构层的第二侧面，并延伸覆盖暴露出的所述第二侧墙层，所述氮化层覆盖暴露出的所述半导体衬底、所述第三侧墙层和所述字线多晶硅层；形成层间膜层，所述层间膜层覆盖所述氮化层表面，且所述层间膜层的材质与所述氮化层和所述第三侧墙层以及所述第二侧墙层的材质均不同；因此，在刻蚀所述层间膜层时，可以沿位于所述第三侧墙层侧壁上的氮化层表面向下刻蚀所述层间膜层，形成接触孔，可以减小后续形成的存储单元的面积，提高器件的存储密度。
- 闪存器件制造方法
- [发明专利]半导体器件制造方法-CN201210495187.8有效
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秦长亮;尹海洲;殷华湘;洪培真;王桂磊;赵超
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中国科学院微电子研究所
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2012-11-28
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2017-11-21
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H01L21/336
- 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括在衬底上形成多个假栅极堆叠、每个假栅极堆叠两侧的多个第一侧墙、以及多个第一侧墙之间的第一层间介质层；去除假栅极堆叠以及第一层间介质层，在衬底上留下多个第一侧墙；在每个第一侧墙两侧的衬底上形成多个第二侧墙；在多个第二侧墙之间形成第二层间介质层；去除第一侧墙和第二侧墙，形成多个源漏沟槽；在每个源漏沟槽中形成第三层间介质层；去除第二层间介质层，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠。依照本发明的半导体器件制造方法，采用多个侧墙和层间介质层的组合，多次分步形成栅极沟槽，减小了最终栅极堆叠的线宽，提高了器件的性能和可靠性。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]金属栅极的制造方法-CN201810486044.8有效
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李镇全
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上海华力集成电路制造有限公司
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2018-05-21
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2021-02-02
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H01L21/8234
- 本发明公开了一种金属栅极的制造方法，包括步骤：步骤一、形成多个伪栅结构，由第一侧墙和第二侧墙叠加组成侧墙，接触孔刻蚀停止层和层间膜；第二侧墙的材料的刻蚀速率和两侧的第一侧墙和接触孔刻蚀停止层的刻蚀速率不同步骤二、自对准刻蚀去除第二侧墙并形成第一间隙。步骤三、淀积第三介质层填充第一间隙，利用第一间隙的顶部和底部的填充速率差异使第三介质层在第一间隙的顶部产生封口并在第一间隙的底部保留空隙从而形成间隙侧墙。本发明能形成间隙侧墙，能通过间隙侧墙降低侧墙的介电常数，从而能降低栅极寄生电容并提高器件的频率特性。
- 金属栅极制造方法
- [实用新型]一种抗震剪力墙-CN201520023738.X有效
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侯丕吉
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西安科技大学
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2015-01-09
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2015-08-12
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E04B2/56
- 本实用新型公开了一种抗震剪力墙，包括侧板，侧板内侧设有端部剪力墙，端部剪力墙侧面设有缝间剪力墙，侧板、端部剪力墙及缝间剪力墙之间通过连接管连接，且连接管一端延伸在侧板1外侧螺纹连接有管卡，管卡用于将侧板、端部剪力墙及缝间剪力墙进行固定，另一端穿过缝间剪力墙螺纹连接有龙骨，龙骨上设有固定架，固定架之间设有加强筋，缝间剪力墙外侧设有混凝土浇筑层，龙骨安装在混凝土浇筑层内，混凝土浇筑层内侧设置有水泥层，水泥层内设置有若干个平行排列的预埋管
- 一种抗震剪力
- [发明专利]金属栅极的制造方法-CN202310946079.6在审
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许涛;许鹏凯;刘山
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上海华力集成电路制造有限公司
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2023-07-28
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2023-09-15
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H01L21/28
- 本发明提供一种金属栅极的制造方法，提供衬底，衬底上形成有伪栅多晶硅层，伪栅多晶硅层的侧壁形成有侧墙，形成覆盖伪栅多晶硅层、侧墙的刻蚀停止层，之后形成覆盖刻蚀停止层的层间介质层，研磨层间介质层至伪栅多晶硅层裸露，两伪栅多晶硅层之间剩余的层间介质层的表面形成有凹陷；利用刻蚀停止层、侧墙、伪栅多晶硅层相对于层间介质层高选择比的回刻蚀工艺刻蚀衬底研磨后的结构，使得刻蚀停止层、侧墙、伪栅多晶硅层的高度低于层间介质层；去除剩余的伪栅多晶硅层形成沟槽，沟槽用于定义出金属栅结构形成的位置；形成填充沟槽且覆盖层间介质层的金属栅层；研磨金属栅层至目标厚度。
- 金属栅极制造方法
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