“墙层间”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3318441个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710163795.1有效
发明人：戚德奎 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供包括像素区的衬底，像素区包括相邻感光区域和浮置扩散区域；在感光区域衬底内形成深掺杂区；在浮置扩散区域衬底内形成浮置扩散区；在感光区域和浮置扩散区域交界处衬底上形成栅极结构；形成保形覆盖栅极结构和衬底的侧墙膜；去除浮置扩散区域的栅极结构顶部和衬底上的侧墙膜，剩余侧墙膜作为侧墙；以侧墙为掩膜在栅极结构一侧的浮置扩散区内形成第一源漏掺杂区；在第一源漏掺杂区上形成金属连接层；在衬底上形成层间介质层；在层间介质层内形成与金属连接层电连接的源漏接触孔插塞
半导体结构及其形成方法

[发明专利]栅极侧墙及其形成方法-CN201810107090.2有效
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极侧墙，包括：由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的栅极结构；自对准形成于多晶硅栅侧面的侧墙；多晶硅栅的顶部被回刻一定厚度且回刻后的多晶硅栅的顶部表面低于侧墙的顶部表面；层间介质层和穿过层间介质层的接触孔；延伸到多晶硅栅的顶部表面上方的侧墙部分作为多晶硅栅和邻近的接触孔之间的阻挡层，用于防止多晶硅栅和邻近的所述接触孔产生击穿。本发明公开了一种栅极侧墙的形成方法。
栅极及其形成方法

[发明专利]一种高效保温墙结构-CN201711209127.4在审
发明人：李跃民 -专利权人：李跃民
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种墙体结构，更具体地说，尤其涉及一种高效保温墙结构，属于建筑材料领域。一种高效保温墙结构，包括墙本体，所述的墙本体中部设有两层蜂窝层夹板，两层蜂窝层夹板之间设有钢筋板,所述钢筋板与蜂窝层夹板之间通过多跟加强筋贯穿连接，所述在所述蜂窝层夹板两侧依次设有保温层，墙体基本层，油漆层；所述墙体基本层和所述保温岩棉层间设有无纺布衬布，所述无纺布衬布浸入抹面砂浆形成抹面层，使所述基层和所述保温岩棉层固定连接。
夹板蜂窝层高效保温墙结构保温岩棉层钢筋板基本层墙本体无纺布衬布两层墙体建筑材料领域浸入隔热性能抹面砂浆墙体结构隔音保温层加强筋抹面层油漆层贯穿基层安全

[发明专利]电润湿显示器-CN200710075321.8有效
发明人：陈松延;王建文 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2007-07-25 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：该电润湿显示器包括一第一基板、一第二基板，多个隔绝墙、一疏水性绝缘层、第一流体、第二流体及多个不同颜色的着色层。该多个隔绝墙呈格状设置在该第二基板上，从而界定多个子像素单元。该疏水性绝缘层填充在相邻隔绝墙间的疏水性绝缘层上。该第一流体填充在相邻隔绝墙间的疏水性绝缘层上，其透光性较第二流体差，且与该第二流体互不相溶。该多个不同颜色的着色层分别对应各子像素单元设置在该疏水性绝缘层与该第二基板之间。该电润湿显示器可实现全彩化显示且制造成本较低。
润湿显示器

[实用新型]一种单跨墙变多跨墙的结构-CN201820842921.6有效
发明人：陈德超;胡恩;陈涛;严保山 -专利权人：无锡市天宇民防建筑设计研究院有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：所述支撑点通过在第一单跨墙和第二单跨墙之间设置层间板来形成，且所述层间板均与所述第一单跨墙和所述第二单跨墙垂直。或者所述支撑点为在所述第一单跨墙和/或所述第二单跨墙上设置支撑墙，所述支撑墙均与所述第一单跨墙和所述第二单跨墙形成T型或工型结构。本实用新型通过沿高度增加层间板或沿开间布置支撑墙，将单跨墙改变为连续的多跨墙，通过改变墙体受力方式和传力途径，从而减小构件截面和配筋，同时减小单构件的空间体积。
层间板支撑墙多跨支撑点本实用新型减小高度增加工型结构构件截面受力方式单构件传力开间墙体垂直

[实用新型]一种层间防火洗墙灯安装结构-CN201922499594.6有效
发明人：索勇 -专利权人：深圳市索氏照明设计事务所有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种层间防火洗墙灯安装结构，涉及照明设计与照明工程领域，其技术方案要点是包括安装于楼体外壁上且位于楼层之间的防火墙和层间防火洗墙灯，所述防火墙沿水平方向开设有容置通槽，所述层间防火洗墙灯包括抵接于防火墙朝向楼体的一侧的背板
一种防火洗墙灯安装结构

[实用新型]一种幕墙安装脚手架装置-CN202223380692.6有效
发明人：魏惠强;李有江;黄和桂;颜海潘;唐中波 -专利权人：深圳瑞和建筑装饰股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： E04G1/38 文献下载
摘要：本申请公开一种幕墙安装脚手架装置，包括调节脚架、横杆、层间连接件、竖杆、纵杆、斜杆、承载板、连墙件以及预埋件，两所述调节脚架安装于所述横杆的下方，两所述竖杆分别穿过所述层间连接件且所述竖杆的两端均相对于所述层间连接件伸出，两所述竖杆的下端套设于所述横杆的上方，两所述连墙件的下端分别套设于两所述竖杆的上端，两所述连墙件的上端与所述预埋件固定连接，所述预埋件紧固安装于所述墙体上；本装置脚安装拆卸非常方便，满足幕墙不同施工阶段脚手板与结构主体之间距离要求不同所需要的调节功能
一种幕墙安装脚手架装置

[发明专利]一种防水屋面及防水屋面的施工方法-CN202110541415.X在审
发明人：王伟栋;文超;张献 -专利权人：广东深望达建材科技工程有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： E04D11/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种防水屋面及防水屋面的施工方法，涉及建筑防水的领域；其包括屋顶、连接墙及设于屋顶与连接墙间的防水结构，其中屋顶及连接墙形成阴角；防水结构包括连接层、防水层及定位杆，其中连接层设于屋顶及连接墙表面，用于固定防水层；防水层由各个搭接铺设在屋顶和连接墙表面的防水卷材形成，各个防水卷材均位于连接层上方，各个防水卷材通过连接层同时与屋顶及连接墙固定；定位杆设于屋顶与连接墙的交接处，屋顶及连接墙上设有固定件本申请达到了有效提高屋顶与连接墙交接处防水能力的效果。
一种防水屋面施工方法

[发明专利]一种全包围栅结构的制造方法-CN201510435409.0在审
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种全包围栅极结构的制造方法，先采用图形化掩膜层刻蚀半导体衬底形成鳍体，然后形成与鳍体顶部齐平的层间介质层，在第一次回刻蚀层间介质层后，形成了刻蚀比不同的侧墙半导体层来作为后续的悬空沟道，去除鳍体顶部的掩膜层后，通过对鳍体进行刻蚀以及对层间介质层进行第二次回刻蚀后，使侧墙半导体层悬空而用作悬空沟道，进而获得全包围栅极结构。
一种包围结构制造方法

[发明专利]晶体管源漏极形成方法及晶体管源漏极-CN200710094448.4无效
发明人：钱文生;吕赵鸿 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管源漏极形成方法，在源漏选择性外延生长后、金属硅化物生成之前，生长一个辅助侧墙，把侧墙和硅间的交界面保护起来。这样，在金属硅化物生成过程中，很好地防止了用于形成金属硅化物的金属在侧墙与硅的界面处形成残留，降低了源漏与栅的桥链效应引起的漏电，改善了器件的性能。本发明还公开了一种晶体管源漏极，包括轻掺杂漏、侧墙、外延层、金属硅化物层，还包括辅助侧墙，辅助侧墙位于金属硅化物层外侧的外延层之上同侧墙相接。
晶体管源漏极形成方法

[发明专利]一种用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法-CN202110597299.3在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种用于减少寄生电容的FinFET的空气侧墙制作方法，位于基底上的源区外延区和漏区外延区；栅极结构包括：金属栅；包围金属栅侧壁和底部的功函数层；依附于功函数层侧壁的内侧墙；依附于内侧墙侧壁的SiN侧墙；栅极结构的SiN侧墙的侧壁形成有外侧墙；基底上形成有覆盖栅极结构的层间介质层；对栅极结构进行纵向回刻，去除栅极结构的部分，形成凹槽；去除SiN侧墙在凹槽的位置形成栓塞，使得在栅极结构的两侧去除SiN侧墙的位置形成空气侧墙。本发明在FinFET的制作过程中，在栅极侧墙位置形成空气侧墙以降低寄生电容。由于空气的介电常数比低K介质层和SiN小很多，有利于降低栅与接触孔之间的电容以及栅与源漏外延之间的寄生电容。
一种用于减少寄生电容 finfet 空气制作方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110350105.X有效
发明人：崔兆培;朱柄宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底的上表面形成位线阵列，位线阵列包括若干条间隔排布的位线，且位线之间通过支撑图形相连接，支撑图形沿位线排布的方向贯穿位线阵列；于位线的侧壁形成位线侧墙，位线侧墙包括由内至外依次叠置的第一侧墙介质层、牺牲层及第二侧墙介质层，位线侧墙与位线构成位线结构；去除部分支撑图形以暴露牺牲层；去除牺牲层，以于第一侧墙介质层及第二侧墙介质层之间形成空气间隙。本发明提供的半导体结构的制备方法，通过在导电材料间形成空气间隙(Air Gap)，空气间隙的形成能够进一步减少介电常数，从而减少位线结构之间的寄生电容，提高半导体器件性能。
半导体结构及其制备方法

[实用新型]卫生间淋浴房的防水结构-CN202120218255.0有效
发明人：宋晶宁;肖力;刘会平 -专利权人：武汉市华天仑建筑装饰工程有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： E04B1/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种卫生间淋浴房的防水结构，涉及卫生间防水的技术领域。它包括安装在基层上的细石混凝土导墙，所述细石混凝土导墙两侧设有自下而上依次铺设在基层上的找平层和第一防水层，所述细石混凝土导墙上铺设有第一砂浆层，第一砂浆层上依次铺设有防水抗渗层和混凝土层，混凝土层上连接有钢化玻璃，第一防水层顶面铺设有第二砂浆层，所述第二砂浆层顶面铺设有玻化砖饰面层，所述细石混凝土导墙顶面位于玻化砖饰面层顶面上方。
卫生间淋浴防水结构

[发明专利]低温热水辐射供暖地面卫生间止水墙施工方法-CN201410073839.8在审
发明人：沈新鹏;蔡培;袁国民;江明山;周玉明;蔡璟衢;徐玉健;陶志根 -专利权人：江苏省苏中建设集团股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： E04B2/00 文献下载
摘要：本发明属于建筑施工技术领域，具体涉及一种低温热水辐射供暖地面卫生间止水墙施工方法，包括如下步骤：止水墙及无水相邻房间地暖地面找平层施工、止水墙迎水面基层处理、止水墙迎水面水泥基渗透结晶体防水涂料涂刷、地暖管穿止水墙迎水面管根部位防水卷材裹粘、止水墙迎水面防水卷材粘贴、止水墙迎水面卷材保护层施工、止水墙闭水试验，本发明的施工方法工序设计新颖、操作简单易行、适用范围广、可带水湿作业、防水效果好。
低温热水辐射供暖地面卫生间止水施工方法

[发明专利]CMOS图像传感器的制作方法-CN202211170495.3有效
发明人：陈维邦;林智伟 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该制作方法包括：提供包括第一区和第二区的基底，基底上表面形成有硬掩模层；在硬掩模层上形成芯模结构；在芯模结构的侧壁形成侧墙，去除芯模结构，第一区上相邻的侧墙之间具有第一间距，第二区上相邻的侧墙之间具有第二间距；以第一区和/或第二区作为修整区，通过刻蚀工艺修整修整区上的侧墙的轮廓；以侧墙为掩模，刻蚀硬掩模层和基底，在第一区和第二区的基底中分别形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽，其中，通过修整修整区上的侧墙的轮廓
cmos 图像传感器制作方法