“基片载置台”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2633381个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基片载置装置和基片载置方法-CN201910316575.7在审
发明人：牛丸浩二;糸永将司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种在载置台载置基片时，以水平的姿态载置基片的技术。载置台在表面形成有各自支承基片的多个突起，在该载置台载置基片时，由吸引孔对与载置与上述载置台的基片的、位于上述突起的上方的区域不同的区域进行了吸引的状态下，将基片吸附在载置台，之后减小吸引孔的吸引。因此，能够在消除了基片的翘曲的状态下将基片载置在载置台，并且能够抑制因较强地吸引晶片W的下表面而产生的基片的形变，能够将基片以水平的姿态载置在载置台。
载置载置台吸引孔突起吸引表面形成载置装置支承基片下表面形变减小晶片翘曲吸附

[发明专利]基片载置台和基片处理方法-CN202210046574.7在审
发明人：边见笃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供基片载置台和基片处理方法。本发明的基片载置台包括：载置台主体，其具有用于载置基片的载置面；多个孔，其沿纵向形成于所述载置台主体，该多个孔在所述载置面开口；多个支承体，其分别设置于多个孔的每个孔，用于支承基片来使基片在载置面与该载置面的上方的位置之间移动；调节载置台主体和支承体的温度的温度调节部；使各支承体升降的升降机构；和弹性部件，其以可通过变形来使各支承体的纵向的长度变化的方式设置于各支承体，使得成为能够利用停止了升降机构的升降后的各支承体来将基片载置于载置面并且对该基片向上方施力的状态根据本发明，能够以可在基片的面内进行均匀性高的处理的方式将该基片载置于载置台。
基片载置台处理方法

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202010876608.6在审
发明人：田中澄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种对基片进行处理的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：能够在上表面载置基片并对所载置的该基片进行加热的载置台；构成为能够从上述载置台的上表面伸出或没入该上表面，并且能够支承基片的基片支承销；和光照射机构，其对载置于上述载置台的上表面的基片中的与上述基片支承销的伸出或没入位置对应的特定的部分照射光根据本发明，在用载置台来对载置于基片支承销所伸出或没入的载置台的上表面的基片进行加热的情况下，能够改善基片的温度的面内均匀性。
处理装置方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201910161278.X在审
发明人：高山航;近江宗行;伊深怜;五十岚大;铃木贵幸;村上贵宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明能够将由于对基片进行等离子体处理而产生的反应生成物很好地从载置台的载置面的周缘部除去。等离子体处理方法包括：等离子体处理工序，其一边在形成于载置台的内部的致冷剂流路流通0℃以下的致冷剂，一边对载置于载置台的载置面的基片进行等离子体处理；载置工序，其代替基片而将仿真基片载置在载置台的载置面；和除去工序，其在仿真基片载置于载置台的载置面的状态下，一边利用处理气体的等离子体经由仿真基片加热载置面，一边利用处理气体的等离子体将因基片的等离子体处理而产生的反应生成物从载置面的周缘部除去。
等离子体处理载置载置台等离子体反应生成物处理气体载置面周缘部等离子体处理装置致冷剂流路致冷剂加热流通

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202110250009.8在审
发明人：田中诚治;依田悠;增泽健二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制对基片的基片处理的不均匀，并且抑制生成物的沉积的基片处理装置和基片处理方法。载置台配置在处理容器内，规定载置基片的载置区域。整流壁以形成从载置区域侧贯通至载置台的外周侧的间隙地包围载置区域的方式，配置在载置台的包围载置区域的周边区域上。
处理装置方法

[发明专利]载置台和基片处理装置-CN202011277967.6在审
发明人：舆水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供对边缘环稳定地施加电压的载置台和基片处理装置。载置台包括：载置基片的基片载置面；在上述基片载置面的周围载置边缘环的边缘环载置面；和形成于上述边缘环载置面的导电性的电极，其能够将电压供给到上述边缘环。
载置台处理装置

[发明专利]基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法-CN201911181295.6有效
发明人：南雅人;佐佐木芳彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，上述覆盖层之中载置上述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。本发明在对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制在载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕。
基片载置台处理装置制造方法

[发明专利]检查装置和探针的研磨方法-CN202111209613.2在审
发明人：小林将人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01R3/00 文献下载
摘要：检查装置用于对检查对象基片进行检查，包括：检查用载置台；输送机构；载置研磨用基片的研磨用载置台，研磨用基片用于对在检查时与基片接触的探针进行研磨、且具有可由输送机构输送的形状和大小；使检查用载置台移动以相对于探针进退的第1进退机构；和使研磨用载置台移动以相对于探针进退的第2进退机构，研磨用载置台是在检查用载置台以外另外设置的，检查用载置台的退避区域与研磨用载置台的退避区域在俯视时位于将探针夹在中间的相反侧的位置，第2进退机构构成为：使得研磨用基片中的与该研磨用基片的退避区域侧相反的一侧在俯视时能够与探针重叠，而该研磨用基片的退避区域侧在俯视时不能与探针重叠。
检查装置探针研磨方法

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202110205233.5在审
发明人：中川西学;前田幸治;居本伸二;山形基 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供能够高效地进行构成基片处理装置的载置台与制冷装置之间的热交换的、基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：处理容器，其在内部具有载置基片的载置台和保持靶材的靶材保持件；制冷装置，以在其与上述载置台的下表面之间具有间隙的方式配置，具有制冷机和与上述制冷机层叠的制冷载热体；使上述载置台旋转的旋转装置；使上述载置台升降的第一升降装置；致冷剂流路，其设置在上述制冷装置的内部，对上述间隙供给致冷剂；和冷量传递材料，其配置在上述间隙，与上述载置台和上述制冷载热体这两者可热传导地接触。
处理装置方法

[发明专利]基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法-CN202310174413.0在审
发明人：深泽润一;边见笃;大上胜行;山科井作 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法，该基片载置台具有用于吸附基片的吸附电极，并且使在形成有气体供给孔的基片载台的表面形成的电场均匀化。在利用静电吸附力保持基片的基片载置台中，电介质层层叠在基座的上部侧，其上表面成为上述基片的载置面，使静电吸附力产生的吸附电极埋设在该电介质层中。用于向基片供给气体的气体供给孔贯通基座、吸附电极和电介质层并在载置面开口，形成于上述吸附电极的贯通孔以经由隔离部隔离地包围上述气体供给孔的方式设置，由导体构成的屏蔽层与上述吸附电极电隔离地配置，以俯视时覆盖上述隔离部的至少一部分且包围上述气体供给孔的方式形成
基片载置台处理装置制造方法

[发明专利]成膜载具以及太阳能电池的制作方法-CN201810993338.X有效
发明人：陈桂栋;张淳;盛健;蔡文浩;董建文;麻增智;杨亚娣;吕加先;顾文操;钱小立;马志杰;尚严鑫 -专利权人：协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于承载待处理基片，成膜载具包括至少一个承载层，承载层包括载台以及限位框，载台用于与基片的一面贴合，限位框由载台贴合基片的一侧凸起，同一承载层的载台与限位框围设成至少一个基片容置空间，基片容置空间用于容置基片膜载具通过设置载台以及限位框而形成了基片容置空间。太阳能电池制作过程中，将基片的第一面与载台贴合。进而可在基片的与第一面相背的第二面上沉积形成硅薄膜层时，有效防止硅薄膜层绕镀到基片的第一面；或者，可在基片的与第一面相背的第二面上进行扩散掺杂时，有效防止基片的第一面也被扩散掺杂。因此，本申请提供的成膜载具以及太阳能电池的制作方法可以有效提高太阳能电池的性能。
成膜载具以及太阳能电池制作方法

[发明专利]载置台装置和基片处理装置-CN202110727345.7在审
发明人： M·韦尔巴斯;津田荣之辅;朝仓贤太朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供载置台装置和基片处理装置，能够抑制载置台中的供升降销升降的销孔的周围、升降销成为低温部位，而载置面的温度在面内变得不均匀的情况，其中，载置台具有能够载置基片的载置面。载置台装置包括：载置台，其具有销孔，并且具有能够载置基片的载置面；能够在上述销孔中升降的升降销；和使上述升降销升降的升降机，上述载置台在其内部具有加热上述载置台的第1加热部，上述升降销在其内部或者周围具有加热上述升降销的第
载置台装置处理

[发明专利]边缘环及其更换方法、基片支承台和等离子体处理系统-CN202110264471.3在审
发明人：辻本宏;桑原有生;李黎夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种边缘环、基片支承台、等离子体处理系统和边缘环的更换方法，其具有：载置基片的基片载置面；载置边缘环的环载置面，其中所述边缘环以包围被载置于所述基片载置面的基片的方式配置；和用于将所述边缘环通过静电力来吸附并保持于所述环载置面的电极，所述边缘环在与所述环载置面相对的面粘贴有传热片，且经由该传热片载置于所述环载置面，所述传热片在与所述环载置面相对的面形成有导电膜，所述边缘环通过借助由所述电极形成的静电力来吸附被粘贴于该边缘环的所述传热片的所述导电膜，而被保持于所述环载置面。根据本发明，能够维持隔着传热片的边缘环与基片支承台之间的热传导性的同时，提高传热片从基片支承台剥离的剥离性。
边缘及其更换方法支承等离子体处理系统

[发明专利]载置台的表面处理方法-CN200810086917.2有效
发明人：青砥雅;菊池英一郎;樋熊政一;樋口公博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种载置台的表面处理方法，使安装表面能够与将形成的基片相符合，节省了时间和精力。将基片安装在载置台的安装表面上，该载置台位于基片处理设备的容纳室里，在该容纳室中对基片进行等离子体处理。所安装的基片受热膨胀。
载置台表面处理方法

[发明专利]载置台、处理基片的装置和对基片进行温度调节的方法-CN202110737507.5在审
发明人：小林聪树;津田荣之辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供载置台、处理基片的装置和对基片进行温度调节的方法，能够对基片在面内均匀地进行温度调节。载置台包括：载置台主体，其能够载置基片，并且至少接收来自外部的热输入；冷媒流路，其设置于上述载置台主体，用于用冷媒从上述载置台主体吸收热；切换机构，将对上述冷媒流路供给上述冷媒的位置和从上述冷媒流路排出上述冷媒的位置在上述冷媒流路的一端与另一端之间切换，以将冷媒在上述冷媒流路内流动的方向反转；以及控制部，上述控制部构成为能够在上述载置台主体接收热输入的期间中，控制上述切换机构以使得反复反转上述冷媒流动的方向。
载置台处理装置进行温度调节方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条