“边见笃”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法-CN202310202362.8在审
发明人：深泽润一;边见笃;大上胜行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供一种抑制基板处理在与升降销相对应的位置处变得不均匀的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。一种基板载置台，其具有载置基板的载置面，其中，该基板载置台具备：基材，其位于所述载置面的下方，由导体构成；升降销，其由导体构成，相对于所述载置面升降；以及销孔，其具有在所述载置面开口的开口部，该销孔形成于所述基材的内部，供所述升降销突出没入，所述升降销包括能够与所述基板接触的上部和与所述上部的下侧连接的下部，在所述上部具有空腔部。
基板载置台处理装置以及方法

[发明专利]基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法-CN202310202363.2在审
发明人：深泽润一;边见笃;大上胜行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供抑制基板处理在与升降销对应的位置变得不均匀的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。一种基板载置台，其具有载置基板的载置面，其具备：基材；升降销，其由导体构成，相对于载置面升降，在上部与下部之间具有台阶，上部的直径比下部的直径大；销孔，其在载置面开口，形成于基材的内部，供升降销突出没入；以及保持件，其包括供升降销贯穿的贯通孔，该保持件设置于基材，由导体构成，保持件具备外侧保持件和内侧保持件，贯通孔以能够使升降销上下运动的方式形成于内侧保持件的中心轴线上，贯通孔的直径比升降销的上部的直径小，内侧保持件借助在内侧保持件与外侧保持件之间配置的弹性构件而以能够滑动的方式支承于外侧保持件。
基板载置台处理装置以及方法

[发明专利]基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法-CN202310174413.0在审
发明人：深泽润一;边见笃;大上胜行;山科井作 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法，该基片载置台具有用于吸附基片的吸附电极，并且使在形成有气体供给孔的基片载台的表面形成的电场均匀化。在利用静电吸附力保持基片的基片载置台中，电介质层层叠在基座的上部侧，其上表面成为上述基片的载置面，使静电吸附力产生的吸附电极埋设在该电介质层中。用于向基片供给气体的气体供给孔贯通基座、吸附电极和电介质层并在载置面开口，形成于上述吸附电极的贯通孔以经由隔离部隔离地包围上述气体供给孔的方式设置，由导体构成的屏蔽层与上述吸附电极电隔离地配置，以俯视时覆盖上述隔离部的至少一部分且包围上述气体供给孔的方式形成。
基片载置台处理装置制造方法

[发明专利]基板载置台的研磨方法和基板处理装置-CN202210293100.2在审
发明人：南雅人;佐佐木芳彦;边见笃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供基板载置台的研磨方法和基板处理装置。抑制在基板载置台的加工时因切削负荷的影响使加工工具倾斜导致加工错移而产生台阶，抑制蚀刻斑的产生。基板载置台的研磨方法用于研磨作为基板载置台的上表面的基板载置面，该基板载置台包括基材、设于所述基材上的下层喷镀膜、以及设于电极层上的上层喷镀膜，该基板载置台的研磨方法具有以下工序：对所述上层喷镀膜和所述下层喷镀膜利用浸渍剂施加浸渍处理；对所述基板载置面利用磨削加工施加平坦化处理；以及遮蔽所述基板载置面的周缘部，对所述基板载置面的除周缘部以外的中央部施加粗糙化处理。
基板载置台研磨方法处理装置

[发明专利]基片载置台和基片处理方法-CN202210046574.7在审
发明人： 边见笃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供基片载置台和基片处理方法。本发明的基片载置台包括：载置台主体，其具有用于载置基片的载置面；多个孔，其沿纵向形成于所述载置台主体，该多个孔在所述载置面开口；多个支承体，其分别设置于多个孔的每个孔，用于支承基片来使基片在载置面与该载置面的上方的位置之间移动；调节载置台主体和支承体的温度的温度调节部；使各支承体升降的升降机构；和弹性部件，其以可通过变形来使各支承体的纵向的长度变化的方式设置于各支承体，使得成为能够利用停止了升降机构的升降后的各支承体来将基片载置于载置面并且对该基片向上方施力的状态。根据本发明，能够以可在基片的面内进行均匀性高的处理的方式将该基片载置于载置台。
基片载置台处理方法

[发明专利]基板载置方法和基板载置机构-CN202110481063.3在审
发明人： 边见笃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供抑制基板变形的基板载置方法和基板载置机构。其具有：设于载置区域的角部的第1升降销、设于载置区域的短边中央部的第2升降销、设于载置区域的长边中央部的第3升降销、以及设于载置区域的表面中央部的第4升降销，该基板载置方法具有如下工序：至少在第4升降销比第3升降销高，第2升降销比第4升降销高的状态下，利用第1升降销～第4升降销支承基板；以及在支承基板的工序后，将第1升降销～第4升降销收纳于载置台而将基板载置于载置区域，在将基板载置于载置区域的工序中，至少，首先将基板的长边中央部载置于载置面，接着将基板的表面中央部载置于载置面，接着将基板的短边中央部载置于载置面。
基板载置方法机构

[发明专利]等离子体处理装置和喷淋头-CN201610537014.6有效
发明人：南雅人;佐藤亮;佐佐木芳彦;边见笃 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种对等离子体腐蚀的耐久性良好的喷淋头。等离子体处理装置(11)中设置的喷淋头(22)包括：基材(60)，其包括用于对腔室(20)内排出处理气体的气体排出孔(40)、以及形成于气体排出孔(40)的气体排出口一侧的凹部；和由陶瓷或不锈钢构成，固定于基材(60)的凹部中的圆筒状的套管，采用由耐等离子体膜(63)将套管的表面和基材(60)的配置有套管的面覆盖的结构。在使用陶瓷套管(61)的情况下，在基材(60)的等离子体生成空间(S)一侧的面与耐等离子体膜(63)之间设置基底膜(62)。
等离子体处理装置喷淋

[发明专利]载置台和等离子体处理装置-CN201510994178.7有效
发明人： 边见笃;南雅人;佐佐木芳彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种在周围配置有由绝缘材料构成的环形部件的载置台，能够抑制粒子或异常放电的产生的技术。设置在等离子体处理装置中的载置台(3)，包括棱柱状的金属制的载置台主体；形成于载置台主体的侧部的作为卡合部的凹部(61)；和与凹部卡合安装于载置台主体上的定位部件(7)。在定位部件上设置有突起部(72、73)，以在该突起部嵌合形成于环形部件(5)的下表面的凹部(55、56)的方式载置设置环形部件。因此，环形部件上表面作构成为未设置上下方向的贯通孔的平坦面，不会形成成为粒子的产生原因的间隙或与从环形部件的上表面用螺丝向载置台固定时的异常放电相关联的间隙，所以能够抑制粒子和异常放电的产生。
载置台等离子体处理装置

[发明专利]载置台和等离子体处理装置-CN201510993810.6有效
发明人：南雅人;佐佐木芳彦;边见笃;齐藤均 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在进行等离子体处理时使用的、具有聚焦环(6)的载置台(2)中，抑制由垂直方向的电场引起的聚焦环的削减，从而降低粒子。使载置有玻璃基板G的载置台主体成为侧周面为平坦的柱状的构造，在聚焦环的下方侧，以包围载置台主体且与载置台主体的侧周面接触的方式设置侧部绝缘部件。因此，在聚焦环的正下方不存在载置台主体，所以在聚焦环不产生垂直方向的电场，能够抑制聚焦环的削减。此外，通过使侧部绝缘部件(31)与下部电极(20)的侧周面压接，使辅助绝缘部件(32)与绝缘间隔部件压接，并且使侧部绝缘部件和辅助绝缘部件之间的间隙成为曲径构造，能够抑制异常放电。
载置台等离子体处理装置

[发明专利]气体导入装置和电感耦合等离子体处理装置-CN201310481558.1有效
发明人： 边见笃;三枝直也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够极力避免处理装置所使用的陶瓷制部件的因热而产生的不良情况的安装结构。气体导入转接器（10A）具备中空状的转接器主体（121）和将该转接器主体（121）固定于第一部分壁（6A）的固定机构（122）。固定机构（122）具备保持转接器主体（121）的上部凸缘（121a）的保持件（123）、作为第一紧固件的环状阳螺纹（124）、作为第二紧固件的螺母（125）和在第一部分壁（6A）的上表面上固定于转接器主体（121）的周围的衬垫（126）。在加热时螺母（125）和衬垫（126）在相反方向上热膨胀，保持件（123）作为用来缓和转接器主体（121）的应力的应力缓和机构发挥功能。
气体导入装置电感耦合等离子体处理

1
共 10 条