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[发明专利]电容型压力传感器及其制备方法-CN201711350604.9在审
发明人：潘革波;张龙;吴浩迪 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容型压力传感器及其制备方法，所述电容型压力传感器包括底电极、顶电极、第一介电层、第二介电层及两个支撑部，所述第一介电层、第二介电层、两个支撑部均位于所述底电极与所述顶电极之间，所述两个支撑部位于所述底电极的两端，第一介电层、第二介电层分别位于两个支撑部之间且第一介电层位于第二介电层与顶电极之间，第二介电层的介电常数大于第一介电层的介电常数，第一介电层为空气层或薄膜。本发明提供的电容型压力传感器通过设置两层介电层，这样可以增加电容型压力传感器的介电常数，从而增加电容型压力传感器的电容值变化率，提升了电容型压力传感器的灵敏度和检测范围。
介电层压力传感器电容型介电常数底电极顶电极制备支撑电容值变化支撑部位灵敏度空气层薄膜两层检测

[发明专利]一种太阳能电池叠层钝化结构及其制备方法-CN202180008582.6在审
发明人：张学玲;柳伟;陈红;简磊;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述太阳能电池叠层钝化结构包括P型硅衬底，以及在所述的P型硅衬底背面从里到外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层和第四介电层。所述制备方法包括：在P型硅衬底背面生成第一介电层，再在所述第一介电层上依次沉积第二介电层、第三介电层和第四介电层。
一种太阳能电池钝化结构及其制备方法

[实用新型]低介电性胶膜-CN201520807430.4有效
发明人：杜伯贤;李韦志;金艳;林志铭 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低介电性胶膜，包括芯层、低介电胶层和离型层，芯层具有相对的上、下表面，低介电胶层具有两层且分别为上低介电胶层和下低介电胶层，上低介电胶层和下低介电胶层分别形成于所述芯层的上、下表面，离型层具有两层且分别为上离型层和下离型层，上离型层形成于上低介电胶层的表面，下离型层形成于下低介电胶层的表面。本实用新型的低介电性胶膜不但电性良好，而且可挠性佳、耐焊锡性高、接着强度佳、操作性良好，并且可以在低温进行压合，可以使用快压设备，以及压合后可使FPC有极佳的平坦性。
低介电性胶膜

[实用新型]半导体装置-CN202221763038.0有效
发明人：邱诗航;吴仲强;王唯诚;陈嘉伟;陈建豪;刘冠廷;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：栅极结构包括栅极介电层，n型功函数层埋置于栅极介电层中，介电盖层埋置于n型功函数层中，以及p型功函数层埋置于介电盖层中。栅极结构的上表面露出n型功函数层的上表面、介电盖层的上表面、与p型功函数层的上表面。半导体结构亦包括第一金属盖位于n型功函数层上，以及第二金属盖位于该p型功函数层上。第一金属盖与第二金属盖分开且不形成于介电盖层上。
半导体装置

[发明专利]光电池元件及显示面板-CN200910002059.3有效
发明人：卓恩宗;彭佳添;陈昱丞;林弘章;温亦谦;孙伟珉;洪集茂;陈俊雄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种光电池元件及显示面板，该光电池元件包括一第一电极、一N型掺杂富硅介电层、一P型掺杂富硅介电层以及一第二电极。N型掺杂富硅介电层位于第一电极上，其中N型掺杂富硅介电层中掺杂有一N型掺杂剂。P型掺杂富硅介电层位于N型掺杂富硅介电层上，其中P型掺杂富硅介电层中掺杂有一P型掺杂剂。第二电极位于P型掺杂富硅介电层上。本发明的光电池元件具有较佳的光电转换效率，以及较佳的结构稳定性。
光电池元件显示面板

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202011293784.3在审
发明人：刘仕佑;谢明修;黃子萱;温在宇;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括一基底，包括一P型元件区以及一N型元件区，其中该P型元件区包括锗掺杂。一第一栅极介电层位于该P型元件区上。一第二栅极介电层位于该N型元件区上。该第一栅极介电层与该第二栅极介电层是通过相同氧化制作工艺同时形成，且该第一栅极介电层包括氮掺杂，该第二栅极介电层不包括该氮掺杂。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202110151249.2在审
发明人：许智育;陈建豪;陈嘉伟;廖善美;陈蕙祺;梁育嘉;林士豪;林揆伦;游国丰;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种晶体管包括具有第一栅极介电层和第二栅极介电层的栅极结构。第一栅极介电层设置在衬底上方。第一栅极介电层包含具有第一介电常数的第一类型的介电材料。第二栅极介电层设置在第一栅极介电层上方。第二栅极介电层包含具有第二介电常数的第二类型的介电材料。第二介电常数大于第一介电常数。第一介电常数和第二介电常数各自大于氧化硅的介电常数。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110176871.5有效
发明人：陈永初;洪崇祐;朱建文 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体结构包括阱区、介电结构、第一掺杂层、第二掺杂层与第一掺杂区。介电结构位于阱区上。介电结构具有相对的第一介电侧边与第二介电侧边。介电结构包括第一介电部分与第二介电部分，位于第一介电侧边与第二介电侧边之间。第一掺杂层位于第一介电部分与第二介电部分之间的阱区上。第二掺杂层位于第一掺杂层上。第一掺杂区位于第一介电侧边上的阱区中。阱区、第一掺杂层与第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂层具有相反于第一导电型的第二导电型。半导体结构可包括耐高压肖特基二极管。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种太阳能电池叠层钝化结构及其制备方法-CN202110396613.1在审
发明人：张学玲;柳伟;陈红;简磊;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述太阳能电池叠层钝化结构包括P型硅衬底，以及在所述的P型硅衬底背面从里到外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层和第四介电层。所述制备方法包括：在P型硅衬底背面生成第一介电层，再在所述第一介电层上依次沉积第二介电层、第三介电层和第四介电层。
一种太阳能电池钝化结构及其制备方法

[发明专利]具有带有补偿层和介电层的超级结结构的半导体器件-CN201410179746.3在审
发明人： B.菲舍尔;S.加梅里特;M.施密特;A.维尔梅罗特 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有带有补偿层和介电层的超级结结构的半导体器件。超级结半导体器件包括具有n型补偿层和p型补偿层的分层的补偿结构；介电层，面对p型层；以及中间层，插入在介电层与p型补偿层之间。提供分层的补偿结构和中间层，以使得当在n型补偿层和p型补偿层之间施加反向阻断电压时，在介电层的方向上被加速的空穴具有不足以被吸收并且合并到介电材料中的能量。由于介电层比没有中间层的情况吸收并且合并明显更少的空穴，因此击穿电压在长的操作时间上保持稳定。
具有带有补偿介电层超级结构半导体器件

[发明专利]太阳能电池叠层钝化结构及制备方法-CN202110396614.6在审
发明人：张学玲;柳伟;陈红;简磊;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述太阳能电池叠层钝化结构包括：P型硅衬底，以及在所述的P型硅衬底背面从里到外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层。所述制备方法包括：在P型硅衬底背面生成第一介电层，再在所述第一介电层上依次沉积第二介电层和第三介电层。本发明提供的太阳能电池背面叠层钝化结构含有丰富的氢离子或氢原子，具有非常好的化学钝化效果。
太阳能电池钝化结构制备方法

[发明专利]一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法-CN201811284929.6有效
发明人：郭佳衢;蔡文必 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法：1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；3)对感光型低介电材料进行曝光显影，去除底部电容区域和基极平台区域上的感光型低介电材料；4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔
一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂方法

[发明专利]电路板结构-CN202210617226.0在审
发明人：程石良 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电路板结构，包括基底、第三介电层、第四介电层、第一外部线路层、第二外部线路层、导电通孔、第一环型挡墙以及第二环型挡墙。导电通孔贯穿第三介电层、第二介电层以及第四介电层，且电性连接第一外部线路层与第二外部线路层。第一环型挡墙配置于第三介电层内、围绕导电通孔且电性连接第一外部线路层以及第一内部线路层。第二环型挡墙配置于第四介电层内、围绕导电通孔且电性连接第二外部线路层以及第二内部线路层。本发明的电路板结构，其可有效的阻止能量损失及减少噪声干扰，可具有较佳的信号完整性。
电路板结构

[发明专利]封装结构的联机构件及其制法-CN201310059618.0有效
发明人：林俊宏;卢俊宏;马光华;黄晓君;陈光欣 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种封装结构的联机构件及其制法，该封装结构的联机构件包括基板本体、第一感光型介电层、导电孔、第二感光型介电层与线路层，该基板本体的一表面具有导电部，该第一感光型介电层形成于具有该导电部的基板本体的表面上，且具有外露该表面的导电部的孔，该导电孔形成于该孔中，且连接该导电部，该第二感光型介电层形成于该第一感光型介电层上，且具有外露该导电孔与第一感光型介电层的开孔，该线路层形成于该开孔中，且连接该导电孔。
封装结构联机构件及其制法

[发明专利]形成开口于一高分子型介电层中的方法及其结构-CN01121173.3有效
发明人：陈学忠;陈东郁;刘志建;林庆福 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2001-06-11 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：一种形成一开口于一高分子型介电层中的方法。此方法包括提供一基底，此基底上已形成有一导电结构层，一高分子型介电层。进行一热制造工艺以均匀硬化此高分子型介电层。形成一掩模层于基底上。定义掩模层及高分子型介电层以形成一开口，其中开口暴露出此高分子型介电层的一表面。进行一局部硬化制造工艺，将高分子型介电层被开口暴露的表面局部硬化。
形成开口高分子型介电层中的方法及其结构

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