“图形形貌”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果231014个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种刻蚀图形的分析系统及方法-CN201910148632.5有效
发明人：郭奥;康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种刻蚀图形的分析方法，包括如下步骤：S01：形成截面预测模型；S02：将待分析晶圆的表面形貌图输入所述刻蚀图形分析系统中，采用图像提取算法分别对待分析晶圆的表面形貌图中的白边图形进行数据提取，得出待分析晶圆的白边图形数据；S03：将待分析晶圆的白边图形数据传输至所述截面预测模型进行预测，并输出待分析晶圆的预测截面形貌图。本发明提供的一种刻蚀图形的分析系统及方法，从刻蚀图形的表面形貌图中提取白边图形数据，并根据白边图形数据以及量测的实际截面形貌图建立截面预测模型，从而利用该模型以及刻蚀图形的表面形貌图实现对刻蚀图形的截面形貌图的预测
一种刻蚀图形分析系统方法

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版-CN201910742911.4在审
发明人：王辉;张雪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构，曝光光强越大的区域光刻图形的侧壁的高度越低以及曝光光强越小的区域光刻图形的侧壁的高度高，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌。本发明还公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法。本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形侧壁形貌掩模版曝光光侧壁掩模版图形图形结构侧面逐渐变化光刻工艺

[发明专利]图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管-CN201810667825.7有效
发明人：高明圆 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管。包括初始阶段：在衬底上形成具有初始形貌的图形化掩膜；形貌形成阶段，通入第一刻蚀气体，在预设的第一刻蚀工艺参数下，形成具有预定形貌的图形化掩膜以及初步图形化衬底；拐角形成抑制阶段：通入第二刻蚀气体，在预设的第二刻蚀工艺参数下，抑制所述具有预定形貌的图形化掩膜拐角的形成，以获得中间图形化衬底；形貌修饰阶段，通入第三刻蚀气体，在预设的第三刻蚀工艺参数下，对中间图形化衬底的侧壁形貌进行修饰，以获得最终图形化衬底。
图形衬底制作方法发光二极管

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法-CN201910742905.9在审
发明人：王辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，包括：步骤一、进行掩模版设计，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构；步骤二、在需要曝光的基底上涂布光刻胶；步骤三、采用掩模版对光刻胶进行曝光，进行显影形成光刻图形，在曝光过程中，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形掩模版侧壁形貌掩模版图形图形结构侧面逐渐变化曝光光侧壁掩模版设计光刻工艺曝光过程曝光光刻胶后烘基底显影

[发明专利]一种导电图形打印多传感器非接触式形貌检测系统及方法-CN201910910026.2有效
发明人：黄进;曹彤;孟凡博;白楠 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： B29C64/386 文献下载
摘要：本发明属于3D打印技术领域，公开了一种导电图形打印多传感器非接触式形貌检测系统及方法，在导电图形打印完成后，红外温度传感模块对打印的导电图形进行表面温度非接触式测量，实现导电图形打印后温度检测，获得温度分布图；表面温度测量完成后，激光检测模块通过分光镜将激光器发射的激光一束折射到打印的导电图形表面，另一束反射到参考平面；测量相机模块捕获导电图形激光光斑灰度变化值，获得导电图形表面形貌；将表面温度分布以及表面形貌数据进行加权融合，实现对导电图形形貌进行平整度评估和烧结程度分析，实现闭环烧结。本发明能有效解决打印后在不破坏导电图形表面基础上完成非接触式形貌观测、打印图形质量检验等问题。
一种导电图形打印传感器接触形貌检测系统方法

[实用新型]地球仪-CN202122885564.6有效
发明人：钟小军 -专利权人：上海兴感半导体有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G09B27/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种地球仪，包括：球体、基座、以及控制按钮，所述基座用于支撑球体，所述球体外表面设置曲面屏，所述曲面屏用于显示地球形貌特征；球体内的空心球腔用于内置处理芯片；所述处理芯片预先存储曲面屏各位点的平面图形及立体图形数据；所述控制按钮用于切换曲面屏显示平面图形以及立体图形所述球体外表面设置曲面屏；所述曲面屏显示的地球形貌为立体图形，并且能够通过触摸曲面屏放大局部区域的地球形貌。通过内设处理芯片存储大量地球形貌信息，并通过可控的曲面屏显示地球形貌，使得体积较小的地球仪即可反映较为丰富的地球形貌，并且操作简便。
地球仪

[发明专利]优化冗余图形的方法-CN202010884240.8在审
发明人：姜立维;朱忠华;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种冗余图形添加优化的算法，包括：查找出版图图形的正向异常的区域和负向异常的区域；对正向异常的区域的图形进行正向异常区域的冗余图形的优化和负向异常的区域的图形进行负向异常区域的冗余图形的优化；化学机械平坦化模型预测优化后的冗余图形的表面形貌；若预测的表面形貌达到设定值，则对版图中添加的冗余图形优化成功。本发明优化了已有冗余图形，并且将化学机械平坦化模型预测优化后的冗余图形的表面形貌作为添加的冗余图形的反馈手段，可以对不同产品间各层次的版图局部图形分布的均匀性进行优化，进而提高冗余图形添加的优化效果，提高工艺加工后各层次表面形貌的均匀性
优化冗余图形方法

[发明专利]用于页面显示的方法、装置、图形用户界面及移动终端-CN201680090053.4有效
发明人：董锋;高璋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G06F3/0481 文献下载
摘要：根据本申请一些实施例提供的用于页面显示的方法、装置、图形用户界面及移动终端，其中，所述方法包括：首先，检测用户的操作动作；当响应于检测到所述操作动作，在第一方向上移动显示在所述显示装置上的页面，其中，所述页面包括一个或多个图形，所述一个或多个图形以初始形貌进行显示；当响应于在所述第一方向上移动所述页面时到达了所述页面的边界，且仍然检测到所述操作动作，则显示在所述多个图形中邻近边界的至少一个图形的变化形貌，其中，所述图形的变化形貌与所述初始形貌不同
用于页面显示方法装置图形用户界面移动终端

[发明专利]自对准双层图形半导体结构的制作方法-CN201410216691.9在审
发明人：崇二敏;黄君 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准双层图形半导体结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一氧化硅层、多晶硅层；在所述多晶硅层上形成核心图形层，所述核心图形层的材质为氮化硅；在所述核心图形层上依次形成抗反射层和光刻胶层，所述光刻胶层定义了核心图形；以所述光刻胶层为掩膜对所述抗反射层和核心图形层进行刻蚀，将所述核心图形的图案转移至所述核心图形层上，所述多晶硅层上留下的核心图形层具有垂直形貌，在所述留下的核心图形层两侧形成具有垂直形貌的第二氧化硅层；以所述具有垂直形貌的第二氧化硅层为掩膜对多晶硅层和第一氧化硅层进行刻蚀，形成具有垂直形貌的自对准双层图形结构。
对准双层图形半导体结构制作方法

[发明专利]自对准双层图形半导体结构的制作方法-CN201410217937.4有效
发明人：崇二敏;黄君 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准双层图形半导体结构的制作方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一氧化硅层、氮化硅层；在所述氮化硅层上形成核心图形层，所述核心图形层的材质为多晶硅；在所述核心图形层上依次形成抗反射层和光刻胶层，所述光刻胶层定义了核心图形；以所述光刻胶层为掩膜对所述抗反射层和核心图形层进行刻蚀，将所述核心图形的图案转移至所述核心图形层上，所述氮化硅层上留下的核心图形层具有垂直形貌，在所述留下的核心图形层两侧形成具有垂直形貌的第二氧化硅层；以所述具有垂直形貌的第二氧化硅层为掩膜对氮化硅层和第一氧化硅层进行刻蚀，形成具有垂直形貌的自对准双层图形结构。
对准双层图形半导体结构制作方法

[发明专利]半导体衬底的刻蚀方法-CN202010567655.2在审
发明人：张君 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体衬底的刻蚀方法，其包括：通过调节指定工艺参数来对覆盖在半导体衬底上的掩膜图形进行刻蚀，以使掩膜图形的横向收缩速率大于半导体衬底的横向收缩速率；对覆盖有刻蚀后的掩膜图形的半导体衬底进行刻蚀，以获得期望形貌的衬底图形。本发明实施例提供的半导体衬底的刻蚀方法，其可以避免衬底图形的截面形貌的顶部出现平台，即可以获得期望形貌的衬底图形，从而可以增大半导体衬底的工艺窗口，满足工艺要求。
半导体衬底刻蚀方法

[发明专利]光学临近效应修正方法-CN201210203733.6有效
发明人：陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学临近效应修正方法，流程为：1）制作两块测试光刻版，第一块放置前层形貌图形；第二块放置后层OPC测试图形；2）对第二块光刻版涂胶曝光显影，收集光刻工艺关键尺寸的数值，建立OPC模型；3）对第一块光刻版涂胶曝光显影，产生前层图形形貌；4）对第二块光刻版涂胶曝光显影，收集光刻工艺关键尺寸的数值，建立SSA算法，表征不同区域要增加的偏离值；5）在有形貌的区域根据偏离值重做OPC修正。该方法先建立正常OPC模型，当大面积形貌或衬底变化后，再次采集OPC测试图形的数据，建立SSA表格，对有形貌的区域重做OPC修正，如此避免了大面积形貌或衬底变化引起的光刻线宽的漂移和芯片面积的浪费。
光学临近效应修正方法

[发明专利]一种改善高深宽比光刻胶形貌的结构和方法-CN201611077084.4有效
发明人：刘鹏;胡伟玲;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善高深宽比光刻胶形貌的结构和方法。具体为通过对光刻胶涂布的结构和成分进行设计，改善高深宽比光刻胶形貌。在多层光刻胶结构中，通过最上层的光刻胶定义图形，通过第二层的硬掩模层转移图形，通过对第三层即多层复合膜层的结构与成分的设计，防止和减缓光刻胶成分在侧向被刻蚀的趋势，并通过形貌修复步骤进一步改善光刻胶形貌，最后形成良好形貌的高深宽比光刻胶图形。因此避免锥形或保龄球形等不良形貌的出现，可进一步改善器件的性能。
一种改善高深光刻形貌结构方法

[实用新型]压印母版-CN202222303245.4有效
发明人：陈和峰;陈定强;郭旭红;楼歆晔;李坤鹏 -专利权人：上海鲲游科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种压印母版，包括：基底；形成于所述基底上的第一图形化结构和第二图形化结构；其中，所述第一图形化结构处的基底厚度小于所述第二图形化结构处的基底厚度。本实用新型提供的技术方案通过形成不同厚度的第一图形化结构和第二图形化结构，使得该压印母版在用于制备衍射光波导时可以在同步转移第一图形化结构和第二图形化结构的图形后，能够分开制作不同形貌的耦出结构和耦入结构，以避免同时刻蚀时对形貌的影响，同时消除了耦出结构和耦入结构的相对位置偏差，并保障耦出结构和耦入结构的形貌能达到预期水平，实现了衍射光波导的整体性能的提升。
压印母版

[发明专利]掩模版关键尺寸数据分析处理方法及装置-CN202211733698.9在审
发明人：刘谆骅 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请提供的一种掩模版关键尺寸数据分析处理方法及装置，通过对采集获取到掩模版特征图形利用量测设备进行量测，得到该掩模版特征图形在不同灰阶阈值下的关键尺寸数据后，利用同一特征图形关键尺寸数据之间的差值，确定同一特征图形的有效灰阶阈值和光刻胶形貌信息；使用有效灰阶阈值对应的有效关键尺寸数据和光刻胶形貌对光学临近效应模型进行训练，得到模型后将待处理掩模版图形数据发送至该模型，得到待处理掩模版图形的光刻胶关键尺寸和形貌，能够提升现有模型的拟合精度，同时解决数据利用不全面的问题
模版关键尺寸数据分析处理方法装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条