专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果7007093个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]侧壁光电检测器-CN201010221055.7有效
  • M·T·莫斯;M·J·帕尼恰;O·I·多森穆 - 英特尔公司
  • 2010-06-30 - 2011-01-05 - H01L31/105
  • 本发明公开了侧壁光电检测器。用于集成光子器件的侧壁光电检测器及其制造方法被公开。一个实施例包括形成在衬底半导体特征的侧壁上的p-i-n膜堆叠,其具有大得足以容纳多模光纤的斑点大小的面积。一个实施例包括通过波导被耦合到第二侧壁光电检测器的第一侧壁光电检测器,所述第一侧壁光电检测器具有的i层被调节成吸收入射到第一侧壁的光的第一波长,并且将光的第二波长传递到具有被调节成吸收第二波长的i层的第二侧壁光电检测器
  • 侧壁光电检测器
  • [发明专利]芯片封装侧壁植球工艺-CN201610809742.8有效
  • 薛海韵;冯光建 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2016-09-08 - 2019-01-04 - H01L21/768
  • 本发明涉及一种芯片封装侧壁植球工艺,其特征是,包括以下步骤:(1)在晶圆上制RDL走线层和TSV孔,在TSV孔中制作TSV孔金属,RDL走线层的末端和TSV孔互连的地方作为焊盘;(2)在晶圆上制作沟槽,露出TSV孔金属的侧面或侧面和底面;(3)在RDL走线层的末端上表面进行植球工艺,回流在焊盘和TSV孔金属的侧壁形成凸点;(4)通过切割或背部减薄使芯片分离,得到侧壁带凸点的单一芯片。本发明通过刻蚀工艺使金属焊垫露出,避免了金属离子对硅材质的污染;通过植球工艺在晶圆表面进行植球,晶圆四周侧壁有焊锡球,有利于侧壁焊接。
  • 芯片封装侧壁工艺
  • [发明专利]侧壁套管防水封堵结构-CN201710055600.1有效
  • 姚扬;宋庆云;周卓;陈兵兵;陈晨 - 悉地(苏州)勘察设计顾问有限公司
  • 2017-01-25 - 2017-11-14 - E02D29/045
  • 本发明涉及一种侧壁套管防水封堵结构,属于建筑防水结构的技术领域。本发明的侧壁套管防水封堵结构,包括预埋在地下管廊侧壁上的穿墙套管,所述穿墙套管内设置有沥青麻丝封堵,所述穿墙套管的第一端安装有可拆卸预制防水盖板,所述穿墙套管的第二端连接排管的第一端,所述排管的第二端安装有可拆卸预制防水盖板且所述排管的第二端内部设置有沥青麻丝封堵长期不使用的预留防水套管不会出现地下水渗漏情况;施工时在防水套管内外两端安装根据管径预制的采用本发明的防水材料制作的封闭盖板,不安装管线的预留套管保持封闭状态,安装管线时将盖板拆卸采用柔性防水材料封堵即可
  • 侧壁套管防水封堵结构
  • [发明专利]隔离沟槽的侧壁掺杂方法-CN03159797.1有效
  • 吴兆爵 - 茂德科技股份有限公司
  • 2003-09-25 - 2005-03-30 - H01L21/76
  • 本发明公开一种隔离沟槽的侧壁掺杂方法,先提供一衬底,其具有一沟槽,再于沟槽中形成一阻挡层,其中阻挡层的顶面低于衬底的顶面。随后,进行一侧壁掺杂工艺,以于沟槽侧壁顶部的衬底中形成一掺杂区,再去除沟槽中的阻挡层。由于进行侧壁掺杂工艺时沟槽下半部有阻挡层的保护,所以不会掺杂至沟槽底部及整个侧壁,进而防止漏电流产生。
  • 隔离沟槽侧壁掺杂方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top