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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法-CN201611104136.2有效
发明人：张耀文;黄建修;蔡正原;郑光茗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括在衬底中形成沟槽，沟槽形成在衬底的第一侧内并且设置在部分衬底周围。在衬底的第一侧上方和沟槽上方形成第一绝缘材料，并且在第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料。在第二绝缘材料和部分衬底上方的第一绝缘材料中形成孔。在孔中形成部件，并且载体连接至部件和第二绝缘材料。平坦化衬底的第二侧，衬底的第二侧衬底的第一侧相对。去除第二绝缘材料，并且去除载体。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法以及分割

[发明专利]半导体装置、膜堆叠体以及其制造方法-CN201611257099.9有效
发明人：张耀文;黄建修;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本揭露实施例提供一种半导体装置、膜堆叠体以及其制造方法。所述膜堆叠体包含多个第一含金属膜，以及多个第二含金属膜。所述第一含金属膜与所述第二含金属膜彼此交替堆叠。所述第一含金属膜以及所述第二含金属膜包括相同金属元素以及相同非金属元素，以及在所述第二含金属膜中所述金属元素的浓度大于在所述第二含金属膜中所述非金属元素的浓度。
半导体装置堆叠及其制造方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201810355437.5在审
发明人： 黄建修;黄彦钧;唐邦泰;彭治棠;黄泰钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开实施例为有关于半导体装置以及制造方法，特别为在沟槽中具有增强的间隙填充层的半导体装置。本公开实施例提供通过使用多步骤沉积和原位处理工艺形成的新颖的间隙填充层。沉积工艺可为通过使用一种或多种辅助气体以及低反应性粘附系数(RSC)分子的流动式化学气相(FCVD)沉积。处理工艺可为在沉积工艺之后的原位工艺，且包含将沉积的间隙填充层暴露于等离子体活化辅助气体，辅助气体可由氨形成。低反应性粘附系数分子可由三硅烷胺(TSA)或全氢聚硅氮烷(PHPS)形成。
沉积间隙填充层辅助气体半导体装置低反应性粘附等离子体活化全氢聚硅氮烷半导体结构处理工艺原位处理原位工艺硅烷胺流动式制造暴露

[发明专利]检测电路接合可靠度的布局结构-CN201510058210.0有效
发明人： 黄建修;林囿延 -专利权人：凌巨科技股份有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：一种检测电路接合可靠度的布局结构，其包含基板(81)、电子元件(2)、第一走线(31)、第二走线(32)及柔性电路板(40)，基板(81)包含多个接合垫，电子元件包含一测试脚位(20)，测试脚位包含多个接合区，该些接合区接合在接合垫并且形成多个接合位置；第一走线与第二走线位于基板上，连接在这些接合垫之间；及柔性电路板包含多个柔性走线，该些柔性走线与该些接合垫连接并且形成多个连接位置；其中，该些接合位置、第一走线、第二走线、该些连接位置用于检测电子元件的接合可靠度。实施本发明检测电路接合可靠度的布局结构的有益效果是，即使在电路焊接完毕后，也能正确测量电子元件是否正确接合在基板上。
检测电路接合可靠布局结构

[发明专利]用于RRAM的保护侧壁技术-CN201510114823.1有效
发明人：张耀文;黄建修;林杏莲;蔡正原;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一些实施例涉及电阻式随机存取存储器(RRAM)。该RRAM包括RRAM底部金属电极、布置在RRAM底部金属电极上方的可变电阻介电层以及布置在可变电阻介电层上方的RRAM顶部金属电极。覆盖层布置在RRAM顶部金属电极上方。覆盖层的下表面和RRAM顶部金属电极的上表面在界面处接触。保护侧壁邻近RRAM顶部金属电极的外侧壁。保护侧壁具有与RRAM顶部金属电极的上表面接触覆盖层的下表面的界面至少基本对准的上表面。本发明还涉及用于RRAM的保护侧壁技术。
用于 rram 保护侧壁技术

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