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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法-CN201310156946.2有效
发明人：黄新运;李勇;陶佳佳;张帅;居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，所述鳍式双极结型晶体管包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部为基区；所述鳍部包括相互隔开的第一区和第二区；位于所述第一区上的集电区；位于所述第二区上的发射区。由本发明提供的方法形成的鳍式双极结型晶体管，基区与发射区之间形成的PN结具有较大的面积，该PN结面积可调，且可调范围很大。
鳍式双极结型晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法-CN201310156947.7有效
发明人：陶佳佳;三重野文健;李勇;张帅;黄新运;居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，所述鳍式双极结型晶体管包括：基底；位于基底上掺杂有杂质的鳍部，所述鳍部为第一区；位于所述第一区上基区；位于所述基区上或基区内的第二区，所述第一区为发射区、第二区为集电区或者第一区为集电区本鳍式双极结型晶体管，基区与发射区之间形成的PN结具有较大的面积，该PN结面积可调，且可调范围很大。
鳍式双极结型晶体管及其形成方法

[发明专利]带有双鳍部的雷达模块-CN202080019401.5在审
发明人：罗兰·鲍尔 -专利权人： VEGA格里沙贝两合公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种雷达模块，其被配置为用于工厂监测并包括微波芯片，该微波芯片包括雷达信号源以及连接到雷达信号源并将雷达信号源产生的雷达信号耦合到波导或天线中的耦合器。
带有双鳍部雷达模块

[发明专利]双极型晶体管及其形成方法-CN201610006633.2有效
发明人：杨晓蕾;李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种双极型晶体管及其形成方法，所述双极型晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述半导体衬底和鳍部内形成第二类型掺杂阱；在所述鳍部内形成第一类型掺杂区；在所述鳍部内形成第二类型掺杂区，所述第一类型掺杂区和第二类型掺杂区沿鳍部长度方向分布；在所述第一类型掺杂区的部分表面以及第二类型掺杂区表面形成第二类型重掺杂层；在所述第一类型掺杂区部分表面形成第一类型重掺杂层所述方法可以提高形成的双极型晶体管的集成度，且制作工艺与CMOS制作工艺兼容。
双极型晶体管及其形成方法

[发明专利]鳍片式双极型半导体器件及其制造方法-CN201510551705.7在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开了鳍片式双极型半导体器件及其制造方法。该鳍片式双极型半导体器件包括基区、集电区和发射区。其中，基区的位于半导体衬底中的第一部分与发射区的位于半导体衬底中的第三部分邻接并形成发射结界面，该发射结界面位于所述衬底中；基区的第一半导体鳍片、集电区的第二半导体鳍片以及发射区的第三半导体鳍片彼此物理地分离由于发射结界面形成在半导体衬底中，发射结界面较大，并且不存在由于刻蚀导致发射结界面存在的缺陷，因而本发明的鳍片式双极型半导体器件的漏电流较小、线性度和电性均匀性较好，在使用该鳍片式双极型半导体器件时，各个器件之间也更易于匹配
鳍片式双极型半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种双尾鳍破冰船-CN202220714828.3有效
发明人：何光伟;巫振汉;李玉香;余刚;王炳亮 -专利权人：广船国际有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B63B35/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双尾鳍破冰船，包括船艏部和船尾部，所述船尾部底部设置有第一尾鳍、第二尾鳍、第一螺旋桨和第二螺旋桨，所述第一尾鳍和第二尾鳍相对所述第一螺旋桨和第二螺旋桨更靠近所述船艏部，所述第一尾鳍和第二尾鳍分别设置于所述船尾部的两侧，且所述第一尾鳍和第二尾鳍之间具有第一间隔，所述第一螺旋桨和第二螺旋桨分别设置于所述船尾部的两侧，且所述第一螺旋桨和第二螺旋桨之间具有第二间隔，所述第一间隔中设置有导冰鳍，所述导冰鳍相对于所述船尾部向底部突出本实用新型提供的双尾鳍破冰船具有较好的避免冰塞效果。
一种尾鳍破冰船

[发明专利]双艉鳍船-CN200880128858.9无效
发明人：坂本利伸 -专利权人：三菱重工业株式会社
申请日： 2008-10-20 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： B63B1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够进一步实现推进性能(推进效率)的提高的双艉鳍船。在船尾的船底(2)上设置有左右一对艉鳍(3)的双艉鳍船(10)中，在经由螺旋桨轴(4a)安装在所述艉鳍(3)上的螺旋桨(4)的正前方的流动具有与所述螺旋桨(4)的旋转方向相同方向的分量的范围内设置有从固定设置在设于所述艉鳍(3)的后端部的艉柱(7)上的凸起(6)或者从设于该凸起(6)上的鳍板毂以放射状延伸的、由多张鳍板(5a)构成的反作用鳍板(5)。
双艉鳍船

[发明专利]具有单轴应变鳍的非平面器件及其制造方法-CN201180057308.4有效
发明人： S·M·塞亚;R·科特利尔;J·T·卡瓦列罗斯;M·D·贾尔斯;T·加尼;K·J·库恩;M·库恩;N·M·泽利克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述方法包括：提供包括第一材料的衬底；以及提供包括第二材料的鳍，所述鳍设置在所述衬底上并具有器件有源部分，所述第一材料和所述第二材料在其各自的晶体结构之间呈现晶格失配。提供所述鳍包括：在所述衬底上提供包括所述第二材料的双轴应变膜；并且去除所述双轴应变膜的一部分以由其形成基本上单轴应变的鳍。
具有应变平面器件及其制造方法

[发明专利]具有双浅沟槽隔离及可调内外鳍片轮廓的鳍片制程-CN201810572009.8有效
发明人：布莱恩·J·葛伦;布瑞斯·纳拉辛哈 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有双浅沟槽隔离及可调内外鳍片轮廓的鳍片制程，其揭露自对准主动区阻挡掩膜用以图案化并定义多个半导体鳍片以及伴随的浅沟槽隔离(STI)结构。该阻挡掩膜(其一部分包括图案化鳍片硬掩膜)允许解耦内外鳍片蚀刻制程，以及独立优化内鳍片及外鳍片介电属性。该鳍片形成方法还防止产生隔离的、独立的鳍片，从而降低在制程期间机械损伤该鳍片的可能性。
具有沟槽隔离可调内外轮廓鳍片制程

[发明专利]用于半导体器件的双氮化物应力源和制造方法-CN201510766042.0有效
发明人：杨玉麟;何嘉政;叶致锴;彭成毅;李宗霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构和在鳍结构的第一部分上方形成第一栅极结构。在鳍结构的第二部分上方形成第一氮化物层。将第一氮化物层曝光于紫外辐射。在鳍结构的第二部分处形成源极/漏极区。本发明实施例涉及用于半导体器件的双氮化物应力源和制造方法。
用于半导体器件氮化物应力制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710596233.6有效
发明人：王彦;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在部分基底上形成至少一个抬高层和抬高层上的牺牲层；在抬高层和牺牲层侧壁形成侧墙，在相邻牺牲层侧壁的侧墙间形成第一开口；去除牺牲层，形成暴露出抬高层的第二开口；以侧墙为掩膜，去除第一开口底部的基底、以及第二开口底部抬高层和基底，形成双鳍部结构，所述双鳍部结构包括位于第二开口底部的第三开口、第三开口底部的连接部、以及位于第三开口和连接部两侧的鳍部，鳍部位于侧墙底部；形成双鳍部结构后，去除侧墙；去除侧墙后，形成横跨鳍部和第三开口的栅极结构，且栅极结构覆盖鳍部顶部以及第三开口的部分侧壁和底部表面
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710597803.3有效
发明人：王彦;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在相邻牺牲层和侧墙之间形成第一开口；在第一开口底部形成抬高层，抬高层覆盖侧墙的部分侧壁；去除牺牲层，形成暴露出基底的第二开口；以侧墙为掩膜，刻蚀第一开口底部的抬高层和基底、以及第二开口底部的基底，形成双鳍部结构，双鳍部结构包括位于第一开口底部的第三开口、第三开口底部的连接部、以及位于第三开口和连接部两侧的鳍部，鳍部位于侧墙底部；形成双鳍部结构后，去除侧墙；去除侧墙后，形成横跨鳍部和第三开口的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部顶部以及第三开口的部分侧壁和底部表面
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310011741.5有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括半导体层，位于所述半导体层表面的鳍部结构，位于所述鳍部结构一侧侧壁表面的主栅结构，位于所述鳍部结构另一侧侧壁表面的应力材料层，位于所述应力材料层侧壁表面的背栅结构，所述应力材料层位于鳍部结构和背栅结构之间。由于所述半导体结构具有双栅结构，靠近主栅结构的鳍部结构侧壁形成沟道区，且所述应力材料层位于鳍部结构和背栅结构之间，利用所述应力材料层可以为沟道区提供大小均匀的应力作用，从而有利于提高沟道区的载流子迁移率且所述应力材料层与主栅结构之间具有鳍部结构，使得所述应力材料层对主栅结构的栅介质层的应力作用较小，不会影响栅介质层的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]散热器组合结构-CN02236504.4无效
发明人：吕鋑兴;林保龙 -专利权人：宝陆科技有限公司
申请日： 2002-05-27 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：一种散热器组合结构，尤指一种具有双侧透气效果且导热面积大幅增加以具有绝佳散热效率的散热器组合结构。其包括一散热座及多个鳍片，该散热座开设有一空气流道，而各该鳍片则开设有一缺口且均具有抵接部，且各该鳍片并借其缺口而跨接于该散热座上；又相邻叠设的鳍片间借其抵接部而形成间隔空间。
散热器组合结构

[发明专利]制造场效应晶体管的方法和设备-CN201310217162.6有效
发明人： V·S·巴斯克;卜惠明;程慷果;B·S·哈兰;N·罗贝特;S·波诺斯;S·施密茨;T·E·斯坦德尔特;山下典洪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：描述了一种用于制造双外延鳍片FET的方法。该方法包括向鳍片阵列添加第一外延材料。该方法也包括使用第一掩蔽材料覆盖鳍片阵列的至少第一部分以及从鳍片阵列的未被覆盖的部分除去第一外延材料。该方法中包括向鳍片阵列的未被覆盖的部分中的鳍片添加第二外延材料。该方法也包括使用第二掩蔽材料覆盖鳍片阵列的第二部分，以及使用第一掩蔽材料和第二掩蔽材料进行定向蚀刻。也描述了设备和计算机程序产品。
制造场效应晶体管方法设备

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