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[发明专利]双结型单光子雪崩二极管、光电探测器阵列-CN202211264140.0有效
发明人：兰潇健;马四光;马静;刘超晖 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及以雪崩模式工作的势垒技术领域，尤其涉及一种双结型单光子雪崩二极管、光电探测器阵列。双结型单光子雪崩二极管，所述双结型单光子雪崩二极管包括：设置在不同深度的第一雪崩结构和第二雪崩结构，所述第一雪崩结构和第二雪崩结构分别包括单独的耗尽层；各个耗尽层周边还单独设置有保护环结构，各个所述保护环结构的掺杂浓度使得第一雪崩结构和第二雪崩结构之间的电流密度增加幅度在第一预设阈值之内本公开提供的单光子雪崩二极管能够避免两个雪崩结构之间电流密度增加的幅度超过第一预设阈值，减少了雪崩结构因为电流密度突然增大导致边缘击穿的概率，能够使得双结型单光子雪崩二极管的使用寿命增加和损耗率降低。
双结型单光子雪崩二极管光电探测器阵列

[实用新型]一种渔网机用单双结切换装置-CN202122622477.1有效
发明人：王金才;赵正彬;陈立军 -专利权人：扬州鑫渔纺织机械有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： D04G1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了渔网机领域内的一种渔网机用单双结切换装置，包括安装架，所述安装架上设置有齿条，所述齿条与齿轮啮合，所述齿轮上设置有上钩，所述齿条的两侧分别连接有可调单结摆动结构和可调双结摆动结构，所述可调单结摆动结构和可调双结摆动结构分别与单结动力机构以及双结动力机构相连；齿条两侧分别与可调单结摆动结构和可调双结摆动结构相连，在需要使用打单结时，只需要将调整可调双结摆动结构，使其对齿条不施加影响，进而只有单结摆动结构动作，拉动齿轮在安装架上来回移动，进而带动齿轮转动，使得与齿轮相连的上钩随着齿轮转动，实现打单结，反之亦然，本实用新型用于渔网的单双结切换功能。
一种渔网机用单双结切换装置

[发明专利]一种基于标准工艺的双PN结型单光子雪崩二极管结构-CN201610062186.2在审
发明人：卜晓峰;马浩文;沈寒冰;吴俊辉 -专利权人：苏州超锐微电子有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于标准工艺的双PN结型单光子雪崩二极管结构，该结构在纵向包含两个PN结，用于探测光子信号，其基本结构包括P型硅衬底（4）上方设有深N阱（3），p型衬底通过重掺杂P型区域（1）以及p阱区域（2）连接电极（11），形成欧姆接触，深N阱（3）和P型衬底（4）之间形成一个PN结（13）；深N阱（3）内包含一个P阱区域（2），P阱（3）通过重掺杂P型区域（1）连接到电极（9）；深N阱（3）通过N阱（6）以及重掺杂N型区域（5）连接到电极（10），形成欧姆接触；深N阱（3）和其内部包含的P阱（2）形成一个PN结（12）。PN结（12）和（13）形成本发明提出的双PN结单光子雪崩二极管的两个感光区。
一种基于标准工艺 pn 结型单光子雪崩二极管结构

[发明专利]一种双结单光子雪崩二极管、探测器及制作方法-CN202211136469.9在审
发明人：刘丹璐;徐跃 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种双结单光子雪崩二极管，该二极管的特点是在器件中形成双雪崩区，利用重掺杂n型埋层和高压p阱形成的PN结作为深雪崩区，高压p阱和n阱形成浅雪崩区。该双结二极管结构能够提高对近红外光子的探测效率，提高器件整体的光子探测效率，实现单光子的宽光谱响应，为实现低成本、高探测效率的激光测距、三维成像等提供可行的方案。本发明还公开一种双结单光子雪崩二极管探测器及制作方法。
一种双结单光子雪崩二极管探测器制作方法

[发明专利]双Z型单异质结CuO/WO3-CN201910265869.1有效
发明人：张朝红;王迪;王君;李芳轶;纪剑峰;郜炜;刘继泽 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及双Z型单异质结CuO/WO3/CdS光催化剂及其制备方法和应用。/CdS复合物和WO3混合，加水搅拌后，超声分散，调节混合液的pH为3～4后，继续搅拌，离心，所得沉淀干燥后，于300～350℃煅烧2.0～3.0h，研磨，得双Z型单异质结(2Z+1H)CuO/WO3/CdS光催化剂。本发明的双Z型单异质结催化剂在太阳光作用下，可高效降解有机染料并同时制氢。
型单异质结 cuo wo base sub

[发明专利]一种编织的技术方法-CN201811607821.6在审
发明人：李学忠 -专利权人：苏州迪塔杉针织有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： D04G5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种编织的技术方法，包括八字编织技术、平结编织技术、单平结编织技术、十字结编织技术、雀头结编织技术、双联接编织技术和单线双联结编织技术，通过八字编织技术、平结编织技术、单平结编织技术、十字结编织技术、雀头结编织技术、双联接编织技术和单线双联结编织技术进行编织，从而可以很好的根据不同编织需要来进行编织使用，使得在编织的时候更加立体，图形更加形象，而平结编织技术、单平结编织技术和十字结编织技术，使得在进行编织双面立体和立体图案的时候更加便利，八字编织技术、雀头结编织技术、双联接编织技术和单线双联结编织技术，使得编织和连接使用的时候更加方便。
一种编织技术方法

[实用新型]一种双结射频隔离器单格栅散热装置-CN201920875548.9有效
发明人：朱清诚 -专利权人：四川省天亚通科技有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01P1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双结射频隔离器单格栅散热装置，包括双结射频隔离器以及安装在该双结射频隔离器上的若干单格栅，所述单格栅为开设有两个矩形插孔的矩形片，该矩形铜片上还开设有若干散热孔；所述单格栅通过螺栓连接在所述双结射频隔离器上，相邻的单格栅之间的螺栓栓体上套设有一螺母。本设计通过安装可拆卸的单格栅在双结射频隔离器上用于实现有效散热，和现有的散热片相比，散热片一般成组或成套安装在设备上，由固定的模具倒模制成、或通过铣床切割制成，若尺寸不合适还需要重新制模等，采用单格栅可以方便拆卸适配双结射频隔离器，且该单格栅经过螺栓连接，通过螺母产生一定间隔，从而组成散热装置。
单格射频隔离双结螺母螺栓连接散热装置散热片铣床本实用新型方便拆卸矩形插孔矩形铜片可拆卸的螺栓栓体模具倒模有效散热固定的矩形片散热孔上套适配制模切割

[发明专利]一种具有双结的红外光发光二极管-CN201511035172.3在审
发明人：黄俊凯;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双结的红外光发光二极管，以隧穿结串连两个多量子阱，所述隧穿结是重掺杂P型Al_XGa_1-XAs材料与重掺杂N型Al_XGa_1-XAs或重掺杂N型InGaP材料相接而成。用隧穿结串联两个发光二极管，其上部活性层与底部活性层同时发光，使得发光强度更强，可以获得单结型发光二极管1.5倍以上发光亮度，并且可以复合不同波长，达到调适波长的效果，形成高效率且复合发光波长的双结红外光发光二极管
一种具有红外光发光二极管

[发明专利]势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器-CN202111275921.5在审
发明人：徐志成;李光昊 -专利权人：中科爱毕赛思（常州）光电科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种势垒增强同型异质结II类超晶格长/长波双色红外探测器，包括：在衬底上依次外延生长的缓冲层、P型第一欧姆接触层，P型第一长波吸收层、P型空穴势垒层、P型第二长波吸收层、P型第二欧姆接触层；P型第一长波吸收层以及P型第二长波吸收层分别与P型空穴势垒层形成同型掺杂异质结。本发明公开的结构通过偏压调制实现了在长波段的双色探测功能，结构简单；通过同型掺杂异质结和单势垒结构的引入，相较于传统NPPN结构的双色探测器，大幅降低了长波吸收区中的空间电场，有效抑制了吸收区中的产生‑
增强型异质结 ii 晶格长波红外探测器

[实用新型]苇帘编织机-CN200520122095.0无效
发明人：张德贵;李庆先 -专利权人：张德贵;李庆先
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： B27J1/02 文献下载
摘要：一种苇帘编织机，由机架，传动机构、线叉机构、推筛机构组成，传动机构的减速轮与输出轮皮带联接，该输出轮与离合器、凸轮同轴联接，该离合器轴上装有在离合器上可调位置的单结输入半锥齿轮和双结输入半锥齿轮，处在不同工位的单、双结输入半锥齿轮分别与传动轴上的锥齿轮相啮合，该传动轴的另一端装有输出锥齿轮，该输出锥齿轮分别与装在线叉链轮轴上处在不同工位的单、双结输出锥齿轮相啮合。传动机构带动线叉机构、推筛机构运转，工作效率高，而且单双结可调，织出的苇帘质量好，适应编织各种规格的苇帘。
苇帘编织机

[发明专利]半导体运算放大装置和半导体感测装置-CN202011142199.3有效
发明人：陈建章 -专利权人：杭州晶华微电子有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：该半导体运算放大装置包括：主运算放大电路，包括被配置为接收差分输入信号的第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管；以及输入电流补偿电路，包括第三双极结型晶体管、钳位运算放大器和电流镜。钳位运算放大器被配置为使第三双极结型晶体管与第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管在相同的偏置下工作。电流镜被耦合在第一节点与第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管和第三双极结型晶体管的基极之间，并且电流镜被配置为分别向第一双极结型晶体管、第二双极结型晶体管和第三双极结型晶体管的基极提供彼此成比例的偏置电流
半导体运算放大装置

[实用新型]组装式悬挑模板支撑排架-CN202022840106.6有效
发明人：潘鑫;王颜辉;王宏亮;王飞;安康;于海涛 -专利权人：中铁九局集团第一建设有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： E04G13/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了组装式悬挑模板支撑排架，包括建筑楼板和建筑外墙，所述简直楼板的表面装配有建筑外墙，所述建筑外墙的表面固定装配有结构悬挑板，所述结构悬挑板位于钢管架体的外围，所述工字钢梁的下端固定装配有单拉结件，且所述单拉结件的下端铰接有斜撑杆，所述斜撑杆的下端螺接有螺旋撑杆，所述螺旋撑杆的端头铰接有双拉结件，所述双拉结件通过U型螺栓与建筑外墙相连，所述工字钢梁的下端固定装配有防护外架，本实用新型提供了组装式悬挑模板支撑排架
组装式悬挑模板支撑排架

[发明专利]利用双材料微悬臂实现连续变化纳米间隙的芯片及制备方法-CN201610203656.2在审
发明人：向东;赵智凯;王璐;王玲;梅婷婷;倪立发 -专利权人：南开大学
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用双材料的微悬臂梁受热偏转的特性实现温度控制电极间距连续变化的裂结芯片。本发明属于一种新型的温控裂结芯片，可运用于单分子电子领域以及传感器领域。利用双材料微悬臂上下两层不同材料对于温度具有不同的热膨胀系数，温度变化时双材料片自由端受热发生偏转，会偏向于形变小的一侧，利用这微小的形变操纵两电极间的距离，从而实现单分子结的构筑，进而实现对单分子结特性的研究，为单分子器件的研制提供有价值的参考。
利用材料悬臂实现连续变化纳米间隙芯片制备方法

[发明专利]一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件-CN201210189789.0无效
发明人：任敏;赵起越;邓光敏;张鹏;宋询奕;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统超结VDMOS器件的超结结构中第二导电类型掺杂半导体柱区（4）的下方，引入一层二氧化硅介质层（12）。与传统超结VDMOS结构相比，通过二氧化硅介质层（12）的引入，使得器件在受到单粒子辐照时产生的空穴-电子对数量大幅减少、复合速率加快，并可以防止了寄生双极型晶体管的雪崩注入型二次击穿。
一种粒子辐照 vdmos 器件

[发明专利]单PN结型器件激光损伤效应分析方法-CN201710432606.6有效
发明人：师宇斌;张检民;刘永棠;徐作冬;张震;窦鹏程;林新伟;李云鹏;程德艳 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于等效电路参数提取的单PN结型器件激光损伤效应分析方法，以解决现有分析方法测试成本过高及可能会对器件造成永久性破坏的问题。首先建立待研究单PN结型器件的等效电路模型，然后通过粒子群算法准确获取该等效电路模型中的模型参数(I_SD、R_s和R_sh)，分析激光损伤前后相应模型参数的变化，通过这些模型参数与单PN结型器件材料内部物理量的联系，对单PN结型器件内部损伤进行分析。本发明方法简单、原理可靠，测试成本低，且能够在不破坏单PN结型器件的前提下准确获取单PN结型器件激光辐照前后的等效电路模型中的模型参数，通过对辐照前后的模型参数进行比较，就能得到单PN结型器件损伤前后的内部掺杂浓度
pn 器件激光损伤效应分析方法

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