“结晶特性”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果547591个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]结晶缺陷评价方法-CN201780054775.9有效
发明人：齐藤久之 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种评价存在于硅晶片内的结晶缺陷的分布的结晶缺陷评价方法，在所述硅晶片上形成与评价的结晶缺陷的尺寸相同的厚度的氧化膜并测定所述硅晶片的GOI特性，在所述GOI特性下降的区域视为存在与所述氧化膜的厚度同等的尺寸的结晶缺陷，并根据所述GOI特性的测定结果来求出所述硅晶片内的评价的结晶缺陷尺寸的结晶缺陷分布。由此，提供一种即使是10nm以下的结晶缺陷尺寸，也能够求出结晶缺陷的分布的结晶缺陷评价方法。
结晶缺陷评价方法

[发明专利]一种压电器件及其制备方法-CN201810111900.1在审
发明人：林瑞钦;黄春奎;赵俊武 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明提供一种压电器件，包括从上到下依次设置的上电极、压电层和下电极，压电层包括用于产生纵向波的c轴优选压电层；所述的压电层还包括设置在c轴优选压电层侧向、用于消除侧向波的非c轴优选压电层；所述的非c轴优选压电层的结晶特性与c轴优选压电层的结晶特性不同；本压电器件还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。本发明通过在同一个压电层，形成2种以上结晶特性的薄膜，由于结晶特性不同的材料，其声波传递阻抗也会不同，因此在c轴优选压电层的侧向设置非c轴优选压电层，能够消除c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振
压电层优选结晶特性压电器件侧向波侧向侧向设置从上到下声波传递依次设置控制层下电极纵向波电极共振寄生薄膜晶向模态制备阻抗生长

[实用新型]一种压电器件-CN201820198583.7有效
发明人：林瑞钦;黄春奎;赵俊武 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压电器件，包括从上到下依次设置的上电极、压电层和下电极，压电层包括用于产生纵向波的c轴优选压电层；所述的压电层还包括设置在c轴优选压电层侧向、用于消除侧向波的非c轴优选压电层；所述的非c轴优选压电层的结晶特性与c轴优选压电层的结晶特性不同；本压电器件还包括用于控制所述非c轴优选压电层在生长时形成的结晶特性的晶向控制层。本实用新型通过在同一个压电层，形成2种以上结晶特性的薄膜，由于结晶特性不同的材料，其声波传递阻抗也会不同，因此在c轴优选压电层的侧向设置非c轴优选压电层，能够消除c轴优选压电层产生的侧向波或是寄生模态的共振
压电层优选结晶特性压电器件本实用新型侧向波侧向侧向设置从上到下声波传递依次设置控制层下电极纵向波电极共振寄生薄膜晶向模态阻抗生长

[发明专利]水泥中粒化高炉矿渣含量的测定方法及装置-CN202011224292.9在审
发明人：任雪红;张文生;叶家元;董刚;王宏霞;张洪滔;李宁;王颖 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明是关于水泥中粒化高炉矿渣含量的测定方法及装置，该方法包括：获取待测水泥试样的DSC曲线；根据所述待测水泥试样的DSC曲线，计算所述待测水泥试样在800‑1100℃之间的结晶放热主峰的积分面积，得到每克所述待测水泥试样的结晶放热量Qc；获取与所述待测水泥试样相同的测试条件下的每克矿渣标准试样的结晶放热量Q0；将每克所述待测水泥试样的结晶放热量Qc与每克矿渣标准试样的结晶放热量Q0作商，得到所述待测水泥试样中的矿渣含量。本发明的测定方法是利用矿渣特有的冷结晶特性，且该特性不受来样水泥组成结构特性的影响，通过矿渣的结晶放热特性，直接测定矿渣含量，提高了测定结果的准确度和可靠性。
水泥中粒化高炉矿渣含量测定方法装置

[发明专利]非水电解液二次电池用正极活性物质和其制造方法以及使用其的非水电解液二次电池-CN201180004576.X无效
发明人：平塚秀和 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：在镍酸锂的合成时，通过在煅烧材料中添加煅烧助剂，在比得到期望的结晶生长所需要的煅烧温度更低的温度下镍酸锂的结晶生长被促进，有助于结构稳定性的元素向结晶内的置换被促进。另外，合成时的结晶的变形和氧欠缺被抑制，能够提供优良的充放电特性以及循环特性优良的锂离子二次电池。
水电二次电池正极活性物质制造方法以及使用

[发明专利]电极材料、电极材料的制造方法以及非水类锂二次电池-CN200780041767.7无效
发明人：金子聪子;谷口雅彦;岩田麻男;盐崎龙二;安东信雄 -专利权人：富士重工业株式会社
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明提出一种用于提高钒氧化物等作为电极活性物质的特性改善效果的新结晶构造，钒氧化物等层状结晶性物质的结晶构造为非晶状态和层状结晶状态以规定比例共存。由于在所述结构的层状结晶性构造中，形成层长(L1)小于或等于30nm的层状结晶性晶粒，所以离子向层间的出入变容易，如果使用所述物质作为正极活性物质，则可以构成放电容量、循环特性良好的非水类锂二次电池。
电极材料制造方法以及非水类锂二次电池

[发明专利]制备苯基丙氨酸无水结晶的方法-CN95118692.2无效
发明人：佐藤武;佐野千明 -专利权人：味之素株式会社
申请日： 1995-09-26 - 公布日： 2001-03-21 - 主分类号： C07C229/36 文献下载
摘要：开发出了稳定地制备旋光性苯基丙氨酸无水结晶的一种方法，并且生产出了有优良处理特性的无水结晶。$将无机盐等加入含旋光性苯基丙氨酸的水溶液中，调节渗透压__到１０５０－４５０Ｔ＋４．４Ｔ＃+[2]（Ｔ是结晶／沉淀温度），此后，旋光性苯基丙氨酸进行结晶和沉淀，得到了苯基丙氨酸的无水结晶。$按照本发明，可以稳定地制备有优良分离特性的旋光性苯基丙氨酸无水结晶。迄今由于旋光性苯基丙氨酸无水结晶能够在低温区制备，因此期望产率等方面进行改进。这样，从工业生产的观点来看，本发明非常有利。$＃!
制备苯基丙氨酸无水结晶方法

[发明专利]锂离子二次电池-CN200780041795.9无效
发明人：盐崎龙二;岩田麻男;金子聪子;安东信雄;谷口雅彦 -专利权人：富士重工业株式会社
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01M10/36 文献下载
摘要：本发明提出一种用于提高钒氧化物等作为电极活性物质的特性改善效果的新结晶构造，其使钒氧化物等层状结晶性物质的结晶构造形成为非晶状态和层状结晶状态以规定比例共存。在所述结构的层状结晶性构造中，由于形成层长(L1)小于或等于30nm的层状结晶性晶粒，所以离子向层间的出入变容易，如果将所述物质用作正极活性物质，则可以构成放电容量、循环特性良好的非水类锂离子二次电池。
锂离子二次电池

[发明专利]树脂结晶促进剂和树脂组合物-CN200480011062.7无效
发明人：高桥辰宏;森田利夫 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： C08K7/06 文献下载
摘要：本发明涉及包含细碳纤维的热塑性树脂结晶促进剂，该碳纤维由直径为0.001μm～5μm并且长径比为5～15000的纤维丝组成，还涉及由细碳纤维和热塑性树脂组成并包含结晶树脂的热塑性树脂组合物，以及它们的制备方法本发明包含细碳纤维的结晶促进剂甚至能够使得无定形树脂结晶，该树脂具有不规则的分子结构因而不结晶，或者其表现出低的结晶度因而通过常规结晶促进剂难以结晶。该结晶促进剂提供一种具有以下特性的热塑性树脂组合物：当进行成型时，该组合物表现出改进的强度和摩擦学特性，当与填料混合时，其得到进一步增强。
树脂结晶促进剂组合

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置-CN201180040719.2无效
发明人：林宏;川岛孝启;河内玄士朗 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管的目的在于提供可以使优异的导通特性与优异的截止特性并存、电特性相对于源电极以及漏电极的调换成为对称的薄膜晶体管，具备：基板（100）；栅电极（110）；栅极绝缘层（120）；形成于栅电极（110）的上方的栅极绝缘层（120）上的结晶硅层（131）；形成于栅极绝缘层（120）上且结晶硅层（131）的两侧、膜厚比结晶硅层（131）的膜厚薄的非晶硅层（130）；形成于结晶硅层（131）上的沟道保护层
薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置

[发明专利]信息记录媒体-CN201010113952.6有效
发明人：山田升;児岛理惠;松永利之;河原克巳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-10 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
信息记录媒体

[发明专利]信息记录媒体及其制造方法-CN200610160332.1有效
发明人：山田升;児岛理惠;松永利之;河原克巳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-10 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G11B13/00 文献下载
摘要：一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
信息记录媒体及其制造方法

[发明专利]信息记录媒体及其制造方法-CN200510056039.6有效
发明人：山田升;児岛理惠;松永利之;河原克巳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-10 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
信息记录媒体及其制造方法

[发明专利]信息记录媒体及其制造方法-CN00807627.8有效
发明人：山田升;児岛理惠;松永利之;河原克巳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-10 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： B41M5/26 文献下载
摘要：一种信息记录媒体,在基板上设有记录材料层,利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移,形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中,含有晶格缺陷的结晶结构的材料,或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料,而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体,由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小,耐候性好,抗组成变动强,而且特性容易控制。
信息记录媒体及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN95120504.8无效
发明人：大谷久 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1995-10-20 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在同一衬底上选择地形成各个具有不同特性的多个薄膜晶体管，在玻璃衬底上顺序形成氧化硅膜，非晶硅膜、防止镍元素扩散的阻挡膜和促进硅结晶化的含镍元素的氧化膜，并对其构图和热处理，使氧化膜下面的非晶硅膜结晶化而已去掉了氧化膜的非晶硅膜仍保持原状不变在已由加热而结晶化的硅膜上，透过氧化膜后虽减弱了激光辐照，也有助于结晶特性。结果，在结晶化工艺中获得两种不同的结晶硅膜。
半导体器件制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条