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[发明专利]一种紫外探测器芯片-CN202210045910.6有效
发明人：黄小辉;倪逸舟 -专利权人：至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种紫外探测器芯片，该芯片包括从下到上依次层叠设置的衬底、半导体缓冲层、半导体层、第一N型半导体层、第二N型半导体层、紫外光吸收层、N型半导体隔离层、半导体倍增层、P型半导体传输层和P型半导体接触层通过在芯片中引入半导体倍增层，使得基于该芯片所制备的紫外探测器具有倍增性能，解决了AlInGaN半导体紫外探测器响应度低的问题，明显改善了AlInGaN半导体紫外探测器的光谱响应性能，尤其是日盲波段紫外探测器响应低的问题得到明显改善，拓宽了日盲波段紫外探测器的应用场景。
一种紫外探测器芯片

[发明专利]一种有机与无机杂化半导体紫外光伏探测器-CN201110180109.4无效
发明人：唐利斌;姬荣斌;宋立媛;陈雪梅;马钰;王忆锋 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：一种有机与无机杂化半导体紫外光伏探测器，属于光电子技术领域，尤其是一种半导体紫外光伏探测器技术。本发明的一种有机与无机杂化半导体紫外光伏探测器，包括基板、负极电极层、正极电极层和紫外半导体材料层，其特征在于该探测器的紫外半导体材料层是由有机紫外半导体与无机紫外半导体杂化形成的，其中，紫外半导体以ZnO纳米棒阵列为n型无机半导体，以宽带隙有机紫外半导体为p型有机半导体形成pn结。本发明的探测器具有大面阵、响应速度快和低功耗的特点。
一种有机无机半导体紫外光探测器

[实用新型]一种用于水质检测的紫外-可见-近红外多波段集成半导体光电探测器-CN201920572965.6有效
发明人：周东;陆海 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于水质检测的紫外‑可见‑近红外多波段集成半导体光电探测器，包括半导体紫外探测器芯片、半导体可见‑近红外探测器芯片和芯片支架，其中，半导体紫外探测器芯片和半导体可见‑近红外探测器芯片集成在同一芯片支架中本实用新型解决了单一半导体探测器难以实现高灵敏度的紫外到近红外波长范围内的宽谱测量的问题，将半导体紫外探测器芯片、半导体可见‑近红外探测器芯片封装集成，并且保持两者独立的功能，减小了探测器的系统体积，有效提升了光谱水质检测系统中波段测试范围
半导体紫外探测器近红外探测器水质检测系统芯片光谱半导体本实用新型芯片支架半导体光电探测器半导体探测器光学结构设计长期稳定性多波段集成近红外波长高灵敏度水质检测芯片封装芯片集成差异性快速性灵敏性波段探测器减小宽谱测量测试保证

[实用新型]一种半导体紫外探测器和紫外LED集成的光电器件-CN201822092759.3有效
发明人：周东;陆海;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体紫外探测器和紫外LED集成的光电器件，包括半导体紫外探测器芯片、紫外LED芯片和芯片支架，其中，半导体紫外探测器芯片和紫外LED芯片集成在同一芯片支架中。本实用新型半导体紫外探测器和紫外LED集成的光电器件，解决了紫外LED光源与紫外探测器独立封装，紫外LED应用系统监测光路复杂，外界环境影响多的缺点，将紫外LED芯片和紫外探测器芯片封装集成，并且保持两者独立的功能，在有效降低监测系统复杂性的同时，极大的降低了光路系统的体积，提升了监测系统的一致性、精确性和长期稳定性，有效降低了紫外LED光源监测系统的成本、难度和差异性。
半导体紫外探测器紫外LED 紫外LED芯片光电器件监测系统紫外LED光源本实用新型紫外探测器芯片支架芯片长期稳定性独立封装光路系统监测光路外界环境芯片封装应用系统差异性

[发明专利]紫外探测器的像素结构、紫外探测器系统及其制造方法-CN201110206933.2在审
发明人：殷华湘;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种紫外探测器的单位像素结构，包括紫外探测器和与紫外探测器连接的读出电路，所述读出电路由一个或多个TFT器件组成，所述读出电路的TFT器件的第一有源层以及所述紫外探测器的光电探测层为非晶态氧化物半导体由于读出电路的器件的有源层以及紫外探测器的光电探测层都为非晶态氧化物半导体，利用非晶态氧化物半导体的高迁移率和优秀的紫外光电响应特性，可以将紫外探测器和读出电路集成在同一个任意平板的衬底上，更为简单高效并且成本低，更加适用于大面积的紫外探测器阵列的像素结构。
紫外探测器像素结构系统及其制造方法

[发明专利]光伏型有机紫外半导体探测器-CN201010296652.6有效
发明人：姬荣斌;唐利斌;宋立媛;陈雪梅;马钰;王忆锋;庄继胜 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：光伏型有机紫外半导体探测器，涉及光电技术领域，尤其是一种光伏型的有机紫外半导体探测器。本发明的一种光伏型有机紫外半导体探测器，在特殊材料衬底上设置特殊材料各功能层构成三层、五层或七层结构。相对于光导探测器而言，光伏探测器具有响应速度快、功耗低、易于形成阵列、无需偏置等优势。此外，有机半导体材料克服了无机半导体材料的缺点，使得制备成本更低，易于实现大面积、大阵列，光敏材料电阻率可控、无需制冷、可实现柔性加工，因此有机紫外光伏探测器在军事、民用以及一些特定领域具有重要的潜在应用价值
光伏型有机紫外半导体探测器

[发明专利]一种探测芯片及其制备方法-CN202110410661.1在审
发明人：蒋科;孙晓娟;黎大兵;贲建伟;陈洋;贾玉萍;张山丽 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种探测芯片，包括：宽禁带半导体，其用于制备紫外探测器，该紫外探测器用于探测紫外辐射；温度传感器，其被配置在所述宽禁带半导体上，该温度传感器由温度敏感材料制成用于检测所述宽禁带半导体的温度。本发明利用还原氧化石墨烯的温度敏感特性以及其原料丰富、成本低廉、工艺简单的优势，同时利用宽禁带氮化物半导体对紫外辐射探测的优势，实现氮化物紫外探测器工作过程中的实时结区温度检测功能和紫外探测与温度探测单片集成的功能
一种探测芯片及其制备方法

[发明专利]基于振镜扫描的宽禁带半导体紫外探测器成像系统及方法-CN202210429736.5在审
发明人：王嘉辉;陈华宽;仲谋;陈泽鹏;方泓锦;江灏;蔡志岗 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开一种基于振镜扫描的宽禁带半导体紫外探测器成像系统及方法，系统包括宽禁带半导体紫外探测器、二维振镜模块及其触发装置、扫描像素控制模块，其中：宽禁带半导体紫外探测器获取目标区域的光信号；二维振镜模块为两个扫描方向正交的振镜，通过振动对目标区域进行扫描；触发装置驱动二维振镜模块；扫描像素限制模块对探测器接收的光束形状大小进行限制；目标区域发出的光线通过二维振镜模块和扫描像素限制模块被宽禁带半导体紫外探测器接收。相比于传统探测方法，本发明能通过单点的宽禁带半导体紫外探测器对日盲区的高灵敏度成像，提高探测精度以及确定探测目标的位置。
基于扫描宽禁带半导体紫外探测器成像系统方法

[发明专利]一种紫外光电探测器及其制备方法与应用-CN202211149280.3在审
发明人：宋伟东;郭越;马博新 -专利权人：五邑大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法与应用。上述紫外光电探测器，包括以下结构：衬底层；GaN半导体层，上述GaN半导体层设于上述衬底层的上表面；N型半导体层，上述N型半导体层设于上述GaN半导体层的上表面；欧姆电极接触层，上述欧姆电极接触层设于上述GaN半导体层的上表面，且与上述N型半导体层相互分离；N型电极层，上述N型电极层设于上述N型半导体层的上表面。本发明紫外光电探测器具有内建电场，在无外置偏压条件下，即可产生稳定的光电流，这使得本发明紫外光电探测器不仅具有快速响应的特性，还具有自驱动的特性。
一种紫外光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]内置负反馈金属-半导体-金属结构紫外光单光子探测器-CN201110382697.X无效
发明人：闫锋;吴福伟 -专利权人：南京大学
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器，每个探测器从下至上包括衬底，衬底上可以生长缓冲层，衬底或缓冲层上是n型半导体，n型半导体上面是叉指状薄膜电阻，阳极电极淀积在薄膜电阻上形成阳极电极，最上层是叉指状电极，阴极电极与n型半导体形成肖特基结，阳极电极淀积在薄膜电阻上。本发明所述内置负反馈金属-半导体-金属结构紫外光单光子探测器克服了p-n和p-i-n结构紫外光单光子探测器复杂的工艺流程带来的工艺控制困难、成本昂贵的问题。
内置负反馈金属半导体金属结构紫外光光子探测器

[实用新型]新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统-CN201320013393.0有效
发明人：井杨坤 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示技术领域，具体是一种新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统，包括探测器衬底，所述探测器衬底上设置充有热探测气体的密闭腔室和电极，该密闭腔室上侧由内至外依次被半导体形变膜、透紫外窗口薄膜覆盖；所述半导体形变膜、透紫外窗口薄膜之间形成真空腔，且该半导体形变膜、透紫外窗口薄膜分别与电极连接。本实用新型提供的新型高敏紫外光强探测器及紫外光强测控系统，通过热探测达到温度补正紫外光强测定的效果，不仅去除了温度对紫外线光强测量的影响，并且提高了测量精度。
新型紫外光探测器测控系统

[发明专利]采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器-CN201410777541.5在审
发明人：蒋大勇;刘如胜;田春光;孙龙;侯建华;赵建勋;高尚;梁庆成;秦杰明 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： G08B17/12 文献下载
摘要：采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器属于消防设备技术领域。现有紫外火焰探测器采用的紫外光敏管制备工艺复杂，制作成本较高；尤其管内气体容易溢出，导致紫外光敏管功能下降，使用寿命缩短，紫外火焰探测器的维护周期缩短，使得火焰探测预警工作量增大，火焰探测预警成本进一步提高本发明其特征在于，氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极的感光面位于紫外增透聚光镜像方焦面处，氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极与探测信号采集处理模块相连；所述氧化锌基金属-半导体-金属型叉指电极的结构为，在衬底上表面附着一层氧化锌基半导体薄膜，金属薄膜叉指电极位于氧化锌基半导体薄膜上表面；金属薄膜叉指电极的两根引线接探测信号采集处理模块。
采用氧化锌半导体薄膜紫外火焰探测器

[发明专利]基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法-CN201910732617.5有效
发明人：张彦芳;程东;叶建东;巩贺贺;陈选虎;任芳芳;朱顺明;顾书林 -专利权人：南京大学;南京大学深圳研究院;中电科技德清华莹电子有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器，探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底，使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)(半导体层)为光探测材料，使用金属或氮化钛(TiN)半导体作为电极材料，通过光刻、刻蚀和薄膜沉积等半导体工艺制备肖特基接触电极层，形成金属电极‑半导体层‑金属电极(MSM)结构探测器，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
基于氧化薄膜紫外探测器及其制备方法

[发明专利]平面构型有机红外或紫外光伏半导体探测器-CN201010298900.0有效
发明人：唐利斌;姬荣斌;宋立媛;陈雪梅;马钰;王忆锋;庄继胜 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，尤其是一种平面构型有机红外或者紫外光伏半导体探测器包括：衬底，有机红外或紫外半导体、低功函电极、以及高功函电极，其特征在于：低功函电极和高功函电极位于同一平面。本发明的平面构型有机红外或紫外光伏探测器技术既可以制备平面构型的有机红外半导体光伏探测器，又可以制备平面构型有机紫外半导体光伏探测器，它相对于光导探测器而言，具有响应速度快、功耗低、易于形成阵列、无需偏置等优点
平面构型有机红外紫外光半导体探测器

[发明专利]一种360度超大广角紫外探测器-CN202010471887.8在审
发明人：黎大兵;贾玉萍;孙晓娟;蒋科;陈洋;石芝铭;臧行;张山丽 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种360度超大广角紫外探测器，属于紫外探测技术领域，包括紫外探测阵列、支撑体，所述紫外探测阵列的阵列结构与所述支撑体的外形结构相匹配；所述紫外探测阵列为基于宽禁带半导体材料的柔性探测材料制备而成；所述支撑体用于支撑固定所述紫外探测阵列，所述紫外探测阵列的阵列单元均匀分布于所述支撑体的侧壁上并将所述侧壁全面覆盖，实现360度超大广角紫外探测。本发明的360度超大广角紫外探测器，对紫外探测阵列结构和探测器外形结构进行设计，采用柔性宽禁带半导体材料，使360度超大广角紫外探测器的制备成为可能，实现了探测载荷质量轻量化，并为实现超大广角高灵敏导弹逼近系统的研制奠定器件基础
一种 360 超大广角紫外探测器

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