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[发明专利]半导体存储器器件和相关的制造方法-CN200710007021.6无效
发明人：朴正柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种半导体存储器器件和该半导体存储器器件的制造方法。所述半导体存储器器件包括：源区和漏区，设置在半导体基底中；掩埋接触，设置在晶体管的源区上并电连接到源区；直接接触，设置在晶体管的漏区上并电连接到漏区，其中，以不同的高度设置直接接触的上表面和掩埋接触的上表面所述半导体存储器器件还包括：位线，设置在直接接触上并电连接到直接接触，从而电连接到漏区；电容器的下电极，设置在掩埋接触上并电连接到掩埋接触，从而电连接到源区。
半导体存储器器件相关制造方法

[实用新型]半导体结构-CN201920691975.1有效
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中具有源区和漏区，所述源区和漏区中具有凹槽；金属硅化物层，位于所述凹槽的四周侧壁表面；绝缘层，位于凹槽的底部表面，且所述绝缘层的边缘与凹槽四周侧壁上的所述金属硅化物层底部表面接触本实用新型的半导体结构防止电流泄漏到源漏区底部的半导体衬底中。
半导体结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110398750.5有效
发明人：三重野文健;周梅生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法利用固相外延(SPE)工艺形成源漏区，从而能够容易地应用于局部源漏隔离晶体管。通过退火处理使源漏区处的非晶半导体材料晶化而收缩，从而在沟道方向引入拉伸应力。此外，与采用多晶半导体的源漏区相比，根据本发明形成的源漏区的电阻率得到了改进。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN200810005347.X无效
发明人：骆志炯;朱慧珑;方隼飞;托马斯·W·戴尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体结构包括部分地位于半导体衬底内的阶梯状的源和漏区，该阶梯状的源和漏区优选地在位于沟道区域上方的栅电极方向上具有阶梯，该沟道区域与半导体衬底内的阶梯状的源和漏区邻接。阶梯状的源和漏区的阶梯状部分覆盖阶梯状的源和漏区内的延伸区域。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法，便携式电子设备和集成电路卡-CN200410043186.5有效
发明人：岩田浩;小仓孝之;柴田晃秀 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：半导体开关元件(31)和半导体存储元件(32)分别具有栅电极(3)、一对源区/漏区(13)和沟道形成区(19)。在半导体存储元件(32)的栅电极(3)的相对侧上提供具有电荷存储功能的存储功能体(25)。在半导体存储元件(32)中，当施加电压到栅电极(3)时，从源区/漏区(13)之一流到源区/漏区(13)中另一个的电流量随着保持在存储功能体(25)中的电荷量变化。
半导体器件及其制造方法便携式电子设备集成路卡

[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法-CN200710089335.5有效
发明人：朱慧珑;林红 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及形成半导体器件的方法。具体地，涉及改进的具有位于源漏(S/D)区的产生应力的结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。具体地，每一个MOSFET包括位于半导体衬底中的源区和漏区。这样的源区和漏区包括具有相对于半导体衬底的上表面倾斜的一个或者多个侧壁表面的凹陷。产生应力的电介质层在源区和漏区位于所述凹陷的倾斜的侧壁表面上。这样的MOSFET能够通过对半导体衬底进行晶格蚀刻形成具有倾斜的侧壁表面的凹陷，继而在上面淀积产生应力的电介质层而容易地形成。
半导体器件以及形成方法

[发明专利]一种沟槽MOS结构半导体装置及其制备方法-CN201110098224.7无效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽MOS结构半导体装置，沟槽内壁生长有栅氧，沟槽内填充有栅极介子；沟槽之间半导体材料整个上部设置有第一导电半导体材料体区；在第一导电半导体材料体区下部为第二导电半导体材料漏区；沟槽边侧体区内上部设置有第二导电半导体材料源区；在沟槽边侧体区内，源区下部漏区上部设置有第二导电半导体材料无源区；本发明还提供一种沟槽MOS结构半导体装置的制备方法，应用本发明的半导体装置的制备方法制造超级势垒整流器，可以优化器件的电参数。
一种沟槽 mos 结构半导体装置及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200310124832.6有效
发明人：十河诚治;上野雄司;山口诚毅;森吉弘;八谷佳明;高桥理;山西雄司;平野龙马 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-06-08 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，备有：第1导电型半导体衬底、形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区、形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区、在上述源极区和漏极区之间所设置的沟道区以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极；其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被分成包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第1导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201811484634.3在审
发明人：田意;徐大伟 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括底层半导体层、第一绝缘层、第一顶层半导体层、第二绝缘层、第二顶层半导体层、第一导电类型阱区、第二导电类型漏区、第二导电类型源区及栅区结构，阱区与漏区之间具有漂移区，漂移区中形成有超结结构，第一顶层半导体层中具有自第二导电类型源区向第二导电类型漏区掺杂浓度逐渐递增的第二导电类型掺杂埋层。本发明在第一顶层半导体层中形成N型渐变掺杂层，掺杂浓度由源区到漏区逐渐增加，可在靠近第二绝缘层的界面感应出多余的N型载流子，且多余的N型载流子浓度从源区到漏区逐渐增加，可有效填补由于衬底辅助耗尽效应引起的
横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610927351.6有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域包括第一半导体区、在所述第一半导体区之上的第一栅极结构、以及在所述第一栅极结构两侧的第一源区和第一漏区；所述NMOS区域包括第二半导体区和在所述第二半导体区之上的第二栅极结构；向所述第一源区和所述第一漏区引入p型杂质；执行第一退火工艺；在所述第二栅极结构两侧形成第二源区和第二漏区，并向所述第二源区和所述第二漏区引入n本发明能够兼顾PMOS器件和NMOS器件的热预算的需求，既能使得p型杂质更好地掺入PMOS器件的源区和漏区中，又不会影响NMOS器件的性能。
半导体装置制造方法

[发明专利]静电保护器件及其形成方法-CN201610016114.4有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电保护器件及其形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区；在所述半导体衬底上形成有栅极结构；刻蚀栅极结构一侧的半导体衬底，在栅极结构一侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽底部的半导体衬底表面形成第一半导体区，第一半导体区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相同；在所述第一半导体区上形成填充凹槽的第二半导体区，所述第一半导体区材料的晶格常数大于第二半导体区材料的晶格常数；在栅极结构一侧的第二半导体区和半导体衬底内形成漏区，所述漏区的底部与第一半导体区接触；在栅极结构另一侧的半导体衬底内形成源区。
静电保护器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件、电子电路以及用于切换高电压的方法-CN201410392089.0有效
发明人： J·韦耶斯;F·希尔勒;A·毛德 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件、电子电路和方法。半导体器件包括半导体主体；至少一个晶体管单元，包括源极区、漂移区、将源极区与漂移区分开的主体区、以及在半导体主体中的漏极区、以及由栅极电介质与主体区介电绝缘的栅极电极；源极节点，连接至源极区和主体区；接触节点，与主体区和漏极区间隔开，以及电连接至漏极区；以及整流器元件，在接触节点和源极节点之间形成。
半导体器件电子电路以及用于切换电压方法

[发明专利]具有金属氧化物半导体结构的半导体装置-CN202011308208.1在审
发明人：李奎沃;俞在炫;金贞敬;宋周泫;赵秀娟;洪元杓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包括半导体衬底。漂移区设置在半导体衬底中。漂移区具有第一导电类型。主体区设置在半导体衬底中，邻近于漂移区。主体区具有第二导电类型。漏极区设置在漂移区中，与主体区相对。漏极隔离绝缘膜设置在邻近于漏极区的漂移区的一部分中。栅极绝缘膜设置在半导体衬底上，并且在主体区的一部分和漂移区的一部分上方延伸。栅电极设置在栅极绝缘膜上，并且栅电极具有至少一个闭合类型的开口。
具有金属氧化物半导体结构装置

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201510278650.7有效
发明人：裴风丽;裴轶;张乃千 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层中包括有源区和与所述有源区相邻的无源区；位于所述半导体层上的源极、漏极、以及位于所述源极和所述漏极之间的栅极；所述栅极、源极和漏极中至少有一种电极分成至少两段，其中一段位于所述有源区上，其中一段位于所述无源区上。本发明在半导体层中形成无源区，破坏了部分栅极、源极或/和漏极下面区域的导电沟道，使沟道产生的热量减少，即减少了半导体器件的自热，而栅极、源极和漏极的面积不变，相对而言，增大了器件的散热面积，使热量能够有效地散发出去
漏极源极半导体层半导体器件无源区源区衬底制备导电沟道有效地电极散热沟道两段自热散发

[发明专利]MOSFET及其制造方法-CN201110178387.6有效
发明人：朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供了一种MOSFET及其制造方法，该MOSFET包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一绝缘埋层；在第一绝缘埋层上的第一半导体层中形成的背栅；第一半导体层上的第二绝缘埋层；在第二绝缘埋层上的第二半导体层中形成的源/漏区；第二半导体层上的栅极；以及源/漏区、栅极和背栅的电连接，其中，背栅仅位于源/漏区中的一个及沟道区下方，而没有位于源/漏区中的另一个下方，所述电连接包括背栅和源/漏区中的所述一个的公共的导电通道。
mosfet 及其制造方法