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[发明专利]有机发光二极管显示装置-CN201910564788.1在审
发明人：黄荣仁;金成虎;梁容豪;王盛民 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光二极管显示器包括驱动晶体管和补偿晶体管。驱动晶体管包括第一栅电极、多晶半导体层和第二栅电极，第一栅电极布置在衬底上，多晶半导体层布置在驱动晶体管的第一栅电极上并且包括第一电极、第二电极和沟道，并且第二栅电极布置在驱动晶体管的多晶半导体层上。补偿晶体管包括多晶半导体层和栅电极，多晶半导体层包括第一电极、第二电极和沟道，并且栅电极布置在补偿晶体管的多晶半导体层上。
栅电极多晶半导体层驱动晶体管补偿晶体管有机发光二极管显示器第二电极第一电极沟道衬底

[发明专利]一种半导体制冷片及脱毛仪-CN202080002020.6有效
发明人：赵凤球 -专利权人：深圳市予一电子科技有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制冷片及脱毛仪。其中，半导体制冷片包括由金属导体连接半导体电偶形成的半导体电偶层，所述半导体制冷片的冷面由透明晶体构成形成透明晶体冷面；透明晶体冷面内侧表面与金属导体固定连接。本发明脱毛仪采用半导体制冷片的透明晶体冷面用作直接与皮肤接触的脱毛工作面，减除了制冷率的损耗，提高了制冷速度和效率，增加了制冷面积，体验感更好，大大降低或消除了光照的疼痛或不适感。
一种半导体制冷脱毛

[发明专利]半导体元件-CN201710205482.8有效
发明人：温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，包括具有第一导电型的基底、金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、隔离结构以及具有第二导电型的埋入层。金属氧化物半导体场效应晶体管位于基底上。结型场效应晶体管位于基底上。隔离结构位于金属氧化物半导体场效应晶体管与结型场效应晶体管之间。埋入层位于金属氧化物半导体场效应晶体管与基底之间。埋入层自金属氧化物半导体场效应晶体管的下方延伸至隔离结构的下方以及结型场效应晶体管的下方。
半导体元件

[发明专利]具有拥有梯度轮廓的存储栅极植入物的图像传感器像素-CN201410831765.X有效
发明人：杨大江;陈刚;傅振宏;毛杜利;艾瑞克·A·G·韦伯斯特;胡信中;戴森·H·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素单元包含安置于半导体衬底中的存储晶体管。所述存储晶体管包含：存储栅极，其安置于所述半导体衬底上方；及存储栅极植入物，其经退火且在所述半导体衬底中于所述存储晶体管栅极下方具有梯度轮廓。转移晶体管安置于所述半导体衬底中且耦合于光电二极管与所述存储晶体管的输入之间。所述转移晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的转移栅极。输出晶体管耦合到所述存储晶体管的输出。所述输出晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的输出栅极。
衬底存储晶体管半导体存储栅极植入物安置图像传感器像素输出晶体管转移晶体管退火光电二极管输出栅极像素单元转移栅极耦合申请案耦合到输出

[发明专利]半导体存储装置-CN201910115197.6有效
发明人：古川哲也;筱智彰;野口充宏;渡边伸一;西田征男;田中启安 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明提供半导体存储装置。半导体存储装置具备：半导体基板，在表面设置半导体部及绝缘部；存储单元阵列，设置在半导体基板的第1区域；第1晶体管，设置在半导体基板的第2区域；第2晶体管，设置在半导体基板的第3区域；绝缘性的积层膜，覆盖半导体基板的表面、第1、2晶体管。第1、2晶体管具有：第1半导体层；栅极电极；栅极绝缘膜。第2晶体管的栅极电极中的硼的浓度大于第1晶体管的栅极电极中的硼的浓度。第2绝缘膜具备与半导体基板的半导体部相接的第1部分，第1部分沿着第3区域的外缘延伸且包围第3区域。
半导体存储装置

[发明专利]具有沟槽触点的半导体晶体管及其形成方法-CN201310015239.1有效
发明人： G.埃伦特劳特;M.珀尔兹尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明涉及具有沟槽触点的半导体晶体管及其形成方法。在本文中描述的实施例涉及具有沟槽触点的半导体晶体管，特别地涉及一种具有在栅电极下面的场电极的半导体晶体管，并且涉及用于制作具有沟槽触点的半导体晶体管的相关方法。
具有沟槽触点半导体晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体结构以及制备半导体结构的方法-CN201610365952.2在审
发明人：王敬;肖磊;王子巍;梁仁荣 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层；以及(3)在所述石墨烯层的上表面形成半导体层，所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的半导体层。石墨烯层以及适当的溅射条件能够诱导半导体层形成晶体的择优取向，使得利用该半导体层制备的半导体器件具有良好的性能。
半导体结构以及制备方法

[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管-CN202110052644.5在审
发明人： A·毛德;F-J·尼德诺施泰德;C·P·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管。一种功率半导体晶体管包括耦合到第一负载端子的半导体主体，该晶体管进一步具有：半导体漂移区，被包括在所述半导体主体中；第一沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中；第一源区；第一半导体沟道区；第二沟槽，沿所述垂直方向延伸到所述半导体主体中
具有完全耗尽沟道功率半导体晶体管

[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管-CN201610918118.1有效
发明人： A.毛德;F-J.尼德诺施泰德;C.P.桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管。一种功率半导体晶体管包括耦合到第一负载端子的半导体主体，该晶体管进一步具有：半导体漂移区，被包括在所述半导体主体中；第一沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中；第一源区；第一半导体沟道区；第二沟槽，沿所述垂直方向延伸到所述半导体主体中
具有完全耗尽沟道功率半导体晶体管

[发明专利]半导体薄膜和薄膜晶体管、其制作方法、相关装置-CN201610966561.6有效
发明人：闫梁臣;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体薄膜及其制作方法、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以提高薄膜晶体管的稳定性，提升薄膜晶体管的性能。半导体薄膜包括叠层设置的n型半导体层和p型半导体层，以及位于n型半导体层和p型半导体层之间与n型半导体层和p型半导体层接触的自组装层；自组装层的材料为磷酸酯类自组装材料。
半导体薄膜薄膜晶体管制作方法相关装置

[发明专利]显示装置-CN202110705289.7在审
发明人：申星修;柳元相;李相杰 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：公开了一种显示装置，包括：包括显示区域和非显示区域的基板；位于非显示区域中的第一薄膜晶体管；以及位于显示区域中的第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管。第二薄膜晶体管包括：包括第一氧化物半导体的第二半导体图案和第三半导体图案；与第二半导体图案交叠的第二栅极电极；与第三半导体图案交叠的第三栅极电极；以及连接至第二半导体图案和第三半导体图案的第二源极电极和第二漏极电极第三薄膜晶体管包括：包括第一氧化物半导体的第四半导体图案；与第四半导体图案交叠的第四栅极电极；以及连接至第四半导体图案的第三源极电极和第三漏极电极。
显示装置

[发明专利]有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置与背板-CN201510404203.1有效
发明人：王怡凯;高启仁;胡堂祥 -专利权人：广州奥翼电子科技股份有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置与背板。该有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极和沟道层，所述沟道层中形成有沟道，所述沟道中设有有机半导体层，所述有机半导体层上形成有图案，所述源极和漏极设置于所述沟道层上，并与所述有机半导体层连接。由于沟道的深度和延伸方向在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管具有较为均一的特性。
有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置背板

[发明专利]一种防漏电的LED晶片及其制造方法-CN201110030076.5无效
发明人：樊邦扬 -专利权人：广东银雨芯片半导体有限公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种防漏电的LED晶片及其制造方法，制造方法包括以下步骤，(a)在衬底上生长半导体层，半导体层包括依次在衬底上生长的N型半导体层、发光层和P型半导体层；(b)在半导体层的表面形成一层绝缘层，所述绝缘层的绝缘物质渗透到半导体层的晶体间隙内；(c)采用黄光保护晶体间隙内的绝缘物质；(d)去除半导体层表面的绝缘层，保留晶体间隙内的绝缘物质；(e)在半导体层的表面刻蚀后再做电极。由于在半导体层的表面形成一层绝缘，绝缘层的绝缘物质渗透到半导体层的晶体间隙内，绝缘物质可以将半导体内的晶体间隙堵塞，有效防止漏电流的现象发生，同时，本发明也可以提高LED的使用寿命，产品良率也可以大大的提高
一种漏电 led 晶片及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210167253.2在审
发明人：李永亮;赵飞;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于抑制环栅晶体管中寄生沟道的漏电，提升包括该环栅晶体管的半导体器件的工作性能。所述半导体器件包括：衬底、环栅晶体管和隔离层。环栅晶体管形成在衬底上。隔离层至少填充在衬底与环栅晶体管具有的栅堆叠结构之间，且隔离层至少位于环栅晶体管具有的沟道的下方。隔离层覆盖衬底的面积小于或等于栅堆叠结构覆盖衬底的面积。本发明提供的半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN202110061739.3在审
发明人：刘敏钻;蔡煜生 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种显示装置，包括一基底、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第一电容电极。第一晶体管设置于基底之上，并包括一第一半导体层以及一第一栅极电极。第一栅极电极位于第一半导体层之上。第二晶体管设置于基底之上，并包括一第二半导体层。第一电容电极位于第一半导体层之上。第一电容电极在基底的垂直方向上和第一栅极电极重叠。第一半导体层包括硅半导体层。第二半导体层包括氧化半导体层。
显示装置