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[发明专利]具有部分囊封衰减层的图像传感器-CN202011587383.9有效
发明人：刘远良;比尔·潘;毛杜利 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种具有部分囊封衰减层的图像传感器。像素单元包含第一光电二极管、第二光电二极管、第一深沟槽隔离区、第二深沟槽隔离区、缓冲氧化物层及光衰减层。所述衰减层通过在所述半导体材料与所述缓冲氧化物层之间从所述第一深沟槽隔离区横向延伸到所述第二深沟槽隔离区而部分地囊封所述第一光电二极管。
具有部分衰减图像传感器

[发明专利]用于改善图像传感器串扰的方法和结构-CN202011577964.4在审
发明人：刘远良;B·潘;毛杜利;A·博纳克达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及用于改善图像传感器串扰的方法和结构。图像传感器包含衬底材料，所述衬底材料具有设置在其中的多个小光电二极管SPD和多个大光电二极管LPD。在所述衬底材料中形成多个像素隔离器，每个像素隔离器设置在所述SPD中的一个与所述LPD中的一个之间。钝化层设置在所述衬底材料上，并且缓冲层设置在所述钝化层上。多个第一金属元件设置在所述缓冲层中，每个第一金属元件设置在所述像素隔离器中的一个的上方，并且多个第二金属元件设置在所述多个第一金属元件上方。
用于改善图像传感器方法结构

[发明专利]具有分割像素结构的图像传感器及其制造方法-CN202011259895.2在审
发明人：比尔·潘;刘远良;毛杜利;文成烈;A·博纳克达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有分割像素结构的图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包含衬底材料。所述衬底材料包含设置在其中的多个光电二极管。所述多个光电二极管包含多个小光电二极管SPD和大于所述SPD的多个大光电二极管LPD。滤色器阵列设置在所述衬底材料之上。缓冲层设置在所述衬底材料与所述滤色器阵列之间。金属图案设置在所述滤色器阵列中的滤色器之间以及所述滤色器阵列与所述缓冲层之间。衰减层设置在所述衬底材料与所述滤色器阵列之间。所述衰减层在所述多个SPD和所述多个LPD中的每一个的一部分之上并与之对准。所述衰减层的边缘在所述多个LPD中的一个之上。
具有分割像素结构图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器及成像系统-CN201610318754.0有效
发明人：杨大江;陈刚;奥拉伊·奥尔昆·赛莱克;傅振宏;陆震伟;毛杜利;戴森·H·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器及一种成像系统。图像传感器包含安置在半导体材料中的光电二极管。所述光电二极管中的每一者经相同地定大小且使用相同半导体处理条件制造在所述半导体材料中。所述光电二极管被组织成包含第一光电二极管和第二光电二极管的虚拟大‑小群组。微透镜安置在所述半导体材料上方，其中微透镜中的每一者安置在相应光电二极管上方。第一微透镜安置在所述第一光电二极管上方，且第二微透镜安置在所述第二光电二极管上方。掩模安置在所述第一微透镜与所述第一光电二极管之间。所述掩模包含开口，被引导通过所述第一微透镜的入射光的第一部分通过所述开口引导到所述第一光电二极管。被引导通过所述第一微透镜的所述入射光的第二部分被所述掩模阻挡而无法到达所述第一光电二极管。在所述第二微透镜与所述第二光电二极管之间不存在掩模。
图像传感器成像系统

[发明专利]图像传感器及用于图像传感器制造的方法-CN201410822947.0有效
发明人：郑源伟;陈刚;毛杜利;戴森·H·戴;熊志伟;阿尔温德·库马尔 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种图像传感器及用于图像传感器制造的方法。一种图像传感器包括安置在半导体层中的多个光电二极管及安置在所述半导体层中的多个深沟槽隔离区。所述多个深沟槽隔离区包含：(1)氧化物层，其安置在所述多个深沟槽隔离区的内表面上；及(2)导电填充物，其安置在所述多个深沟槽隔离区中，其中所述氧化物层安置在所述半导体层与所述导电填充物之间。多个钉扎阱也安置在所述半导体层中，且所述多个钉扎阱结合所述多个深沟槽隔离区分隔所述多个光电二极管中的个别光电二极管。固定电荷层安置在所述半导体层上，且所述多个深沟槽隔离区安置在所述多个钉扎阱与所述固定电荷层之间。
隔离区深沟槽半导体层安置光电二极管图像传感器钉扎图像传感器制造导电填充物固定电荷层氧化物层内表面申请案分隔

[发明专利]具有拥有梯度轮廓的存储栅极植入物的图像传感器像素-CN201410831765.X有效
发明人：杨大江;陈刚;傅振宏;毛杜利;艾瑞克·A·G·韦伯斯特;胡信中;戴森·H·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种具有拥有梯度轮廓的存储栅极植入物的图像传感器像素。一种像素单元包含安置于半导体衬底中的存储晶体管。所述存储晶体管包含：存储栅极，其安置于所述半导体衬底上方；及存储栅极植入物，其经退火且在所述半导体衬底中于所述存储晶体管栅极下方具有梯度轮廓。转移晶体管安置于所述半导体衬底中且耦合于光电二极管与所述存储晶体管的输入之间。所述转移晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的转移栅极。输出晶体管耦合到所述存储晶体管的输出。所述输出晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的输出栅极。
衬底存储晶体管半导体存储栅极植入物安置图像传感器像素输出晶体管转移晶体管退火光电二极管输出栅极像素单元转移栅极耦合申请案耦合到输出

[发明专利]具有补充电容性耦合节点的图像传感器和其操作方法-CN201410347541.1有效
发明人： 毛杜利;戴幸志;文森特·韦内齐亚;霍华德·E·罗兹;真锅宗平 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器和操作图像传感器的方法，所述图像传感器包含像素阵列、位线、补充电容节点线及补充电容电路。所述像素阵列包含多个像素单元，每一像素单元包含浮动扩散“FD”节点及经耦合以选择性地将图像电荷传送到所述FD节点的光敏元件。所述位线经耦合以选择性地传导从所述像素单元的第一群组输出的图像数据。所述补充电容节点线耦合到所述像素单元的第二群组的所述FD节点以响应于控制信号而选择性地将补充电容耦合到所述第二群组的所述FD节点。在各种实施例中，所述第一及第二像素单元群组可为所述像素单元的同一群组或不同群组且可添加电容性升压特征或多重转换增益特征。
具有补充电容耦合节点图像传感器操作方法

[发明专利]包含具有镜像晶体管布局的像素单元的图像传感器-CN201310503867.4有效
发明人：陈刚;毛杜利;戴幸志 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及包含具有镜像晶体管布局的像素单元的图像传感器。一种图像传感器包含水平邻近于第二像素单元的第一像素单元。每一像素单元包含多个光电二极管及一共享浮动扩散区。所述第一像素单元的第一像素晶体管区具有多个像素晶体管。所述第二像素单元的第二像素晶体管区水平邻近于所述第一像素晶体管区且也具有多个像素晶体管。所述第二像素晶体管区的晶体管布局为所述第一像素晶体管区的晶体管布局的镜像。
包含具有晶体管布局像素单元图像传感器

[发明专利]图像传感器以及成像装置-CN201310647832.8有效
发明人：熊志伟;奥拉伊·奥尔昆·赛莱克;陈刚;毛杜利;文森特·韦内齐亚;戴森·H·戴 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及一种图像传感器以及成像装置。一种成像装置包含半导体衬底，所述半导体衬底具有用于响应于入射图像光积聚电荷的光敏元件。所述半导体衬底包含经定位以接收所述图像光的光接收表面。所述成像装置还包含负电荷层和电荷吸收层。所述负电荷层安置在所述半导体衬底的所述光接收表面附近，以沿着所述光接收表面在所述半导体衬底中的积聚区中引致电洞。所述电荷吸收层安置在所述负电荷层附近且经配置以保持或增加所述负电荷层中的负电荷的量。所述负电荷层安置于所述半导体衬底与所述电荷吸收层之间。
图像传感器以及成像装置

[发明专利]像素阵列、图像传感器系统及用于提供像素阵列的转换增益的方法-CN201310651681.3有效
发明人： 毛杜利;文森特·韦内齐亚;陈刚;戴森·H·戴;霍华德·罗兹 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本申请案涉及一种像素阵列、图像传感器系统及用于提供像素阵列的转换增益的方法。本发明涉及用于使像素阵列提供转换增益级的技术及机制。在一实施例中，所述像素阵列包含将在不同时间针对不同操作模式选择性地配置的转换增益控制电路，每一模式用于实施相应转换增益。所述转换增益控制电路选择性地提供所述像素单元到供应电压的切换式耦合及/或所述像素单元与供应电压的切换式解耦。在另一实施例中，所述转换增益控制电路选择性地提供所述像素单元到取样与保持电路的切换式耦合及/或所述像素单元和取样与保持电路的切换式解耦。
像素阵列图像传感器系统用于提供转换增益方法

[发明专利]包含透明像素和硬掩模的彩色滤光器-CN201310524372.X有效
发明人：陈刚;毛杜利;戴幸志;霍华德·E·罗兹 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及包含透明像素和硬掩模的彩色滤光器。设备的实施例包含形成在衬底上的彩色滤光器布置，所述衬底具有形成于其中的像素阵列。所述彩色滤光器布置包含：透明滤光器，其具有第一透明硬掩模层和形成在所述第一透明硬掩模层上的第二透明硬掩模层；第一彩色滤光器，其具有所述第一透明硬掩模层和形成在所述第一透明硬掩模层上的第二硬掩模层；第二彩色滤光器，其具有形成于其上的所述第一透明硬掩模层；以及第三彩色滤光器，其没有形成在其上的透明硬掩模层。揭示和主张其它实施例。
包含透明像素硬掩模彩色滤光

[发明专利]具有额外有源区域的半导体装置之间的隔离区域-CN201210308681.9有效
发明人：戴幸志;顾克强;毛杜利;文森特·韦内齐亚;陈刚 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明描述一种提供集成电路上的半导体装置之间的额外有源区域的隔离区域。在一个实施例中，本发明包含：具有源极、漏极和所述源极与所述漏极之间的栅极的图像传感器的互补金属氧化物半导体晶体管，所述晶体管具有用以在所述栅极的影响下耦合所述源极与所述漏极的沟道；以及隔离屏障，其围绕所述源极和所述漏极的周边以将所述源极和所述漏极与其它装置隔离，其中所述隔离屏障距所述沟道的中心部分某一距离。
具有额外有源区域半导体装置之间隔离

[发明专利]使用硬掩模的滤色器图案化-CN201110461303.X有效
发明人：陈刚;毛杜利;戴幸志;霍华德·E·罗兹 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示包含包括一组滤色器的滤色器布置的设备的实施例。所述组滤色器包括：一对第一滤色器，其每一者上面形成有第一及第二硬掩模层；第二滤色器，其上面形成有所述第一硬掩模层；及第三滤色器，其上面不形成硬掩模层。本发明还揭示并请求其它实施例。
使用硬掩模滤色器图案

[发明专利]双面图像传感器-CN201080065219.X有效
发明人：文森特·韦内齐亚;毛杜利;戴幸志 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2010-05-24 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明描述一种用于双面图像传感器的设备。所述双面图像传感器在集成到所述双面图像传感器的半导体层中的光敏区阵列内捕捉入射在所述双面图像传感器的正面上的正面图像数据。还在相同光敏区阵列内捕捉入射在所述双面图像传感器的背面上的背面图像数据。
双面图像传感器

[发明专利]用于提供图像感测像素的衬底的导电性的方法、设备及系统-CN201210136114.X无效
发明人： 毛杜利;戴幸志;文森特·韦内齐亚;顾克强;扬龙盛 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于提供图像感测像素的衬底的导电性的方法、设备及系统。涉及用于促进像素阵列的衬底中的导电性的技术。在实施例中，将隔离区及掺杂剂阱安置于邻接所述衬底的外延层内，其中所述掺杂剂阱的一部分介于所述衬底与隔离阱的一部分之间。在另一实施例中，在所述外延层内进一步安置一触点，其中所述隔离区的一部分环绕所述触点的一部分。
用于提供图像像素衬底导电性方法设备系统

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