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[发明专利]具有光子晶体结构的发光二极管及其制造方法-CN201280008374.7有效
发明人：徐源哲;崔周源 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：公开了一种具有光子晶体结构的发光二极管（LED）及其制造方法。所述LED包括：支撑基底；下半导体层，位于支撑基底上；上半导体层，位于下半导体层之上；活性区域，位于下半导体层和上半导体层之间；光子晶体结构，嵌入在下半导体层中。光子晶体结构可以防止朝支撑基底行进的光的损失并提高光提取效率。
具有光子晶体结构发光二极管及其制造方法

[发明专利]晶片级发光二极管封装件及制造此的方法-CN201280006927.5有效
发明人：徐大雄;李贞勋 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：公开晶片级发光二极管封装件及制造此的方法。该方法包括：在第一基板上形成多个半导体层叠结构体；准备第二基板，该第二基板具有对应于所述多个半导体层叠结构体而排列的第一电极和第二电极；将所述多个半导体层叠结构体结合到所述第二基板；在进行所述结合之后，将所述第一基板及所述第二基板分割为多个封装件。据此，提供晶片级发光二极管封装件。
晶片发光二极管封装制造方法

[发明专利]高效发光二极管-CN201180063314.0有效
发明人：尹俊皓;南基范;李俊熙;金彰渊;柳泓在;洪性勋 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：这里公开了一种高效发光二极管。所述发光二极管包括：半导体堆叠，位于支撑基底上方；反射金属层，位于支撑基底和半导体堆叠之间以欧姆接触半导体堆叠的p型化合物半导体层，并且具有暴露半导体堆叠的凹槽；第一电极焊盘，位于半导体堆叠的n型化合物半导体层上；电极延伸体，从第一电极焊盘延伸，并且位于凹槽区域上方；上绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠之间。此外，n型化合物半导体层包括n型接触层，n型接触层具有5×1018/cm3至7×1018/cm3的Si掺杂浓度和范围为5μm至10μm的厚度。
高效发光二极管

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201180062417.5有效
发明人：许暋赞;陈相奇;金钟奎;慎镇哲;李晓罗;李剡劤 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供了发光二极管（LED）芯片和一种制造该发光二极管芯片的方法。根据示例性实施例的LED芯片包括：基底；发光结构，布置在基底上；以及布置在基底下方的交替层压底部结构。交替层压底部结构包括多个电介质对，每个电介质对包括具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层，第一折射率比第二折射率大。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管组件及其制造方法-CN201080070001.3无效
发明人：李圭浩;徐大雄;崔载良;金昶勋 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管（LED）组件及其制造方法。根据本发明，提供了一种LED组件，所述LED组件包括：LED，至少包括N型半导体层和P型半导体层；以及凸块，设置在LED上并且电连接到半导体层，其中，凸块包括由包含锡（Sn）的金化合物构成的第一区域和由金构成的第二区域。
发光二极管组件及其制造方法

[发明专利]具有电极焊盘的发光二极管芯片-CN201180055825.8有效
发明人：金艺瑟;金京完;尹余镇;李珍雄;郑多娟;禹尚沅;李锦珠;吴尚炫 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：这里公开了一种包括电极焊盘的LED芯片。该LED芯片包括：半导体堆叠，包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层以及设置在第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的活性层；第一电极焊盘，位于第二导电类型半导体层上，与第一导电类型半导体层相反；第一电极延伸体，从第一电极焊盘延伸并连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，电连接到第二导电类型半导体层；以及绝缘层，设置在第一电极焊盘与第二导电类型半导体层之间。该LED芯片包括在第二导电类型半导体层上的第一电极焊盘，从而增大了发光面积。
具有电极发光二极管芯片

[发明专利]发光二极管封装件及其制造方法-CN201080070299.8无效
发明人：徐源哲;尹余镇 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管（LED）封装件和一种制造该发光二极管（LED）封装件的方法。LED封装件包括基底。基底限定基底中的具有锥形形状的腔、形成在腔的上端上的阶梯部分和形成在腔的底部中的通孔。导电膜填充通孔并且形成在腔的侧表面和底部上。LED具有在LED上的荧光层，并且倒装芯片式地结合到导电膜上。包封剂包封腔。齐纳二极管或整流器设置在硅基底上，从而可以使热容易地消散，而不需额外的器件，由此使制造成本减少并使小型化成为可能。
发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]制造发光二极管的方法-CN201310063858.8有效
发明人：酒井士郎 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造发光二极管的方法，该方法包括：在第一基底上形成具有至少第一半导体层的多个化合物半导体层；在化合物半导体层上设置第二基底；使化合物半导体层与所述第一基底分离，其中，形成所述多个化合物半导体层的步骤包括在所述第一半导体层上形成图案层，在所述第一半导体层中形成多个腔并且增大腔的体积，增大腔的体积的步骤包括在所述图案层的上侧形成第二半导体层的步骤。
制造发光二极管方法

[发明专利]半导体基底、半导体装置及其制造方法-CN201310036289.8无效
发明人：酒井士郎 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供了一种使用重复利用的基底制造发光装置的方法，所述方法包括：在重复利用的基底上生长化合物半导体层的步骤；通过化合物半导体层分离重复利用的基底的步骤；在半导体中形成多个腔的步骤；通过利用HF、KOH或NaOH中之一的化学处理来蚀刻表面的步骤；将重复利用的基底的分离的化合物半导体表面平坦化的步骤；其中，化学蚀刻工艺的步骤产生不规则的半导体表面。
半导体基底装置及其制造方法

[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法-CN201180047735.4有效
发明人：徐源哲 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例公开了一种晶片级发光二极管封装件，所述晶片级发光二极管封装件包括：第一基板，具有导电通孔以及布置在第一基板的表面上的绝缘反射层和电极图案；端子，第一基板布置在端子；第二基板，布置在第一基板上，第二基板包括形成空腔的开口，形成空腔的开口暴露电极图案；以及发光芯片，布置在电极图案上。发光芯片是不具有芯片基板的倒装键合的发光结构，导电通孔将电极图案和端子电连接。
晶片发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]具有MgO角锥结构的发光装置及其制造方法-CN201180043529.6有效
发明人：李钟览;孙晙豪;柳学基 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司;浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L33/28 文献下载
摘要：提供了一种氮化镓基III-V族化合物半导体发光装置及其制造方法。所述氮化镓基III-V族化合物半导体发光装置包括：基板；形成在基板上的p型欧姆电极层；形成在p型欧姆电极层上的p型氮化镓基III-V族化合物半导体层；形成在p型氮化镓基III-V族化合物半导体层上的n型氮化镓基III-V族化合物半导体层；形成在n型氮化镓基III-V族化合物半导体层上的n型欧姆电极层；具有比n型氮化镓基III-V族化合物半导体层和n型欧姆电极层的折射率小的折射率的第一折射率调节层和第二折射率调节层，其中，角锥结构形成在第二折射率调节层的表面上。当第一折射率调节层和第二折射率调节层包括在氮化镓基III-V族化合物半导体层上并且角锥结构形成在第二折射率调节层上时，与传统的发光二极管相比，发光二极管的表面光输出提高了1.5倍或更多。
具有 mgo 结构发光装置及其制造方法

[发明专利]高效发光二极管-CN201080069085.9有效
发明人：尹余镇;徐源哲 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种高效LED具有反光结构以改善基板的内反射效率并将由电极焊盘吸收的光的量最小化，由此改善发光效率。所述高效LED包括基板、n-半导体层、活性层、p-半导体层以及透明电极层。所述基板在其下侧中具有多个锥形的凹陷，所述凹陷填充有反光填料。这种构造将电极焊盘吸收的光的量最小化以及将基板的内反射效率最大化，使得未出射到外部的光的量被最小化，由此改善了发光效率。
高效发光二极管

[发明专利]发光二极管-CN201180041118.3有效
发明人：金艺瑟;郑多娟;金京完;尹馀镇;吴尚炫 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-04-05 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管(LED)，该LED包括发光堆叠结构以及在发光堆叠结构上形成为具有图案的电极结构。该LED的电极结构包括：反射体的集群，在发光堆叠结构上沿所述图案设置；以及焊盘材料层，形成为完全地覆盖反射体。
发光二极管

[发明专利]具有欧姆电极结构体的半导体发光元件及制造此的方法-CN201180039486.4有效
发明人：李钟览;宋阳熙 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司;浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明公开一种具有欧姆电极结构体的半导体发光元件及制造此的方法。根据本发明的一方面的半导体发光元件包括上部表面为N-面的发光结构体和位于所述发光结构体之上的欧姆电极结构体。在此，所述欧姆电极结构体从所述发光结构体的N-面开始包括下部防扩散层、接触层、上部防扩散层和Al保护层。通过采用包括下部防扩散层/接触层/上部防扩散层/Al保护层的多层结构的欧姆电极结构体，可防止N-面半导体层上的欧姆接触特性的劣化，可提供热稳定性优秀的半导体发光元件。
具有欧姆电极结构半导体发光元件制造方法

[发明专利]UV发光二极管及其制造方法-CN201180039456.3无效
发明人：南基范;吴德焕;徐原哲 -专利权人： 首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种UV发光二极管及其制造方法。UV发光二极管包括：第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，顺序地形成在基底上；电极，形成在第二导电类型半导体层上；以及开口，通过去除第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层、反射结构和透明电极中的至少部分形成，以穿过所述开口来暴露部分第一导电类型半导体层。在UV发光二极管中，UV光从有源层发射，穿过开口，然后传播到外部。
uv 发光二极管及其制造方法

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