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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]立体光刻设备、光发射控制方法和程序-CN201880051054.7有效
发明人： 御友重吾;佐藤圭 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B29C64/393 文献下载
摘要：根据本发明的实施方式的立体光刻设备设置有光源单元、光检测单元和控制单元。光源单元包括发射用于固化光固化树脂的光的多个发光元件。光检测单元检测从光源单元发射的光。控制单元基于由光检测单元检测到的光形成光量分布曲线，所述光量分布曲线示出光的光亮分布，并且根据光量分布曲线控制多个发光元件的光发射。
立体光刻设备发射控制方法程序

[发明专利]发光装置和发光装置阵列-CN201880046230.8有效
发明人： 御友重吾;滨口达史;中岛博;伊藤仁道;佐藤进 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：该发光装置设置有：层压结构20，其中层压有：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22；第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面侧上；第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面侧上；以及光会聚/发散改变装置50，其中，第一光反射层41形成在凹面镜部分43上，所述第二光反射层42具有平坦形状。当有源层23中生成的光发射到外部时，进入光会聚/发散改变装置50之前的光的会聚/发散状态不同于穿过光会聚/发散改变装置50之后的光的会聚/发散状态。
发光装置阵列

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN202111109431.8在审
发明人：佐藤进;滨口达史;泉将一郎;风田川统之;伊藤仁道;御友重吾;中岛博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请公开了发光元件及其制造方法。一种发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201880041719.6有效
发明人：滨口达史;御友重吾;佐藤进;中岛博;伊藤仁道;川西秀和 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201780066313.9有效
发明人：佐藤进;滨口达史;泉将一郎;风田川统之;伊藤仁道;御友重吾;中岛博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。
发光元件及其制造方法

[发明专利]面发射激光器和电子设备-CN201780071445.0有效
发明人：滨口达史;御友重吾;中岛博;伊藤仁道;佐藤进;风田川统之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本公开的实施方式的面发射激光器设置有：电流收缩区域，具有由从第二半导体层侧注入到层叠体内部的杂质形成的开口部；以及第一半导体层侧的第一DBR层和第二半导体层侧的第二DBR层，该第一DBR层和该第二DBR层在反向面对开口部的位置中夹紧层叠体。在开口部中，靠近第一DBR层的开口直径大于靠近第二DBR层的开口直径。
发射激光器电子设备

[发明专利]发光模块、光源单元和光学成形设备-CN201880053479.1在审
发明人： 御友重吾;佐藤圭 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：根据本技术的一个方面的发光模块设置有多个多光发射器，每个多光发射器包括：多个发光元件，在一个方向上以预定间隔设置，并且在与该一个方向正交的方向上发光；以及多个单独电极，分别向多个发光元件供电，该多个多光发射器在一个方向上并排设置。多个发光元件包括位于一个方向的末端的第一发光元件以及位于从一个方向的末端开始第二定位的第二发光元件。多个单独电极包括用于向第一发光元件供电的第一单独电极和用于向第二发光元件供电的第二单独电极。第一单独电极和第二单独电极设置在第一发光元件和第二发光元件之间的区域中。
发光模块光源单元光学成形设备

[发明专利]半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法-CN201010125298.0无效
发明人：大前晓;有持佑之;御友重吾;风田川统之;日野智公 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法。在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-102)面上生长具有(11-20)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤，使得至少一个面向外，该面选自(11-22)面、(0001)面、(000-1)面、(33-62)面和(1-100)面。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法。
半导体生长方法发光元件制造

[发明专利]半导体层生长方法、半导体发光元件及制造方法、电子器件-CN200810179947.8无效
发明人：大前晓;有持佑之;御友重吾;风田川统之;日野智公 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-100)面上生长具有(11-22)或(10-13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法、一种半导体发光元件以及一种具有一个或多个半导体发光元件的电子器件。
半导体生长方法发光元件制造电子器件

[发明专利]半导体发光器件、其制造方法和光模块-CN200610008643.6无效
发明人：里泰雄;御友重吾;横关弥树博;日野智公;成井启修 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga_1－xIn_xN_yAs_1－y－zSb_z混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaN_vAs_1－v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×10¹⁹cm^－3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×10¹⁸cm^－3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。
半导体发光器件制造方法模块

[发明专利]集成气阀-CN200380101837.5无效
发明人：吉田一裕;井上贵史;御友重吾;成井启修 -专利权人：喜开理株式会社;索尼株式会社
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： F16K27/00 文献下载
摘要：提供一种携带气体没有紊流部分，使流到该携带气体内的工艺气体不扩散的集成气阀。集成气阀(1)构成如下：由致动器(31)使阀体(33)相对阀座(34)抵接·离开并进行阀孔(35)和阀室(36)的连通·遮断的开闭阀(30)，具有在途中与阀孔(35)分叉地贯通阀主体(12)而形成的第1流路(26)、以及从入口连通阀室并形成在阀主体(12)上的第2流路(29)，通过将多个这种开闭阀连设成一列，构成上述第1流路彼此直接或通过连接流路(27)串连连接成的主流路(23)，各个开闭阀的第2流路(29)通过阀室(36)和阀孔(35)而相对这种主流路(23)连接。
集成气阀

[发明专利]通信系统和通信照明设备-CN200410033394.7有效
发明人：冈野展贤;渡部义昭;御友重吾;日野智公;成井启修 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H04B10/00 文献下载
摘要：一种光信息发送、照明设备2被安装在提供一个遍常使用的、现有类型照明设备以施加光的地方。该照明设备2包括用于施加光的照明光源4和用于发送光信息的信息发送单元5。可能接收来自该照明设备2的信息的用户具有移动终端3，该移动终端接收从该信息发送单元5发送的光信息。由于现有类型的照明设备在我们的生活空间中被普遍使用。因此，光信息发送、照明设备2可把使用现有类型照明设备的每个地方变换成光通信空间。
通信系统照明设备

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