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- [发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310570939.7无效
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西森理人;今田忠纮;多木俊裕
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富士通株式会社
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2013-11-13
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2014-06-11
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H01L29/778
- 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件包括第一化合物半导体层;形成在第一化合物半导体层的上侧上的第二化合物半导体层,并且第二化合物半导体层的带隙大于第一化合物半导体层的带隙;形成在第二化合物半导体层的上侧上的p型第三化合物半导体层;形成在第二化合物半导体层的上侧上穿过第三化合物半导体层的电极;形成为在第二化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层,并且第四化合物半导体层的带隙小于第二化合物半导体层的带隙;以及形成为在第四化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第五化合物半导体层,并且第五化合物半导体层的带隙大于第四化合物半导体层的带隙。
- 化合物半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN201010202798.X有效
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伊藤伸之;约翰·K·特怀南
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夏普株式会社
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2010-06-11
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2010-12-22
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H01L29/78
- 本发明涉及一种半导体装置。在一个实施方式中,本发明的半导体装置具备:基板、层积在该基板上且构成基底的基底化合物半导体层、层积在该基底化合物半导体层上且划定沟道的划定沟道化合物半导体层,且具备在所述基底化合物半导体层的层积范围内层积并控制冲击离子化现象发生的位置的冲击离子控制层,所述基底化合物半导体层由第一化合物半导体形成,所述划定沟道化合物半导体层由第二化合物半导体形成,所述冲击离子控制层由禁带宽度比所述第一化合物半导体的禁带宽度小的第三化合物半导体形成。
- 半导体装置
- [发明专利]发光器件-CN201210353540.9无效
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幸田伦太郎;渡边秀辉;仓本大;河野俊介;宫嶋孝夫
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索尼公司
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2012-09-20
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2013-05-22
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H01S5/20
- 提供了一种发光器件,其包括:(a)通过在底部衬底上顺序地生长第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体形成的活性层、以及第二导电类型的第二化合物半导体层来获得的层结构;(b)形成于第二化合物半导体层上的第二电极;以及(c)电连接于第一化合物半导体层的第一电极。该层结构由第二化合物半导体层的在第二化合物半导体层的厚度方向上的至少一部分形成。第一化合物半导体层具有大于0.6μm的厚度。第一化合物半导体层中形成有高折射率层,该高折射率层由具有比第一化合物半导体层的化合物半导体材料的折射率高的折射率的化合物半导体材料形成。
- 发光器件
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