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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]石墨烯改性的干膜光致抗蚀剂及其在印刷线路板中的应用-CN201810176044.8有效
发明人：钱晓春;衡京;胡春青;翁云峰 -专利权人：常州强力电子新材料股份有限公司;常州强力先端电子材料有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯改性的干膜光致抗蚀剂及其在印刷线路板中的应用。该石墨烯改性的干膜光致抗蚀剂包括石墨烯改性的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、碱可溶性树脂、光聚合单体及光引发剂。上述干膜光致抗蚀剂中采用了石墨烯改性的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯，因石墨烯具有低原子层厚度、较高的拉伸断裂伸长率和抗冲击强度，利用石墨烯改性的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯能够极大提高干膜光致抗蚀剂的柔韧性、盖孔性和抗电镀性，使得本发明提供的干膜光致抗蚀剂能更好地应用在多层印刷线路板和微型印刷线路板的制备中。
石墨改性干膜光致抗蚀剂及其印刷线路板中的应用

[发明专利]光致酸生成剂、含它的光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法-CN200810003862.4无效
发明人：尹孝镇;权宁吉;金永虎;金导永;崔在喜;白世卿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：光致抗蚀剂组合物包含：约4％至约10重量％的光致抗蚀剂树脂；约0.1％至约0.5重量％的光致酸生成剂，所述光致酸生成剂具有锍盐阳离子基团和含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团；和余量的溶剂。所述光致抗蚀剂组合物可以形成具有均匀外形的光致抗蚀剂图案。
光致酸生成光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]正性光致抗蚀剂组合物、使用其的光致抗蚀剂图案和光致抗蚀剂图案的制造方法-CN201880001512.6有效
发明人：林敏映;李泰燮;金智慧 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及正性光致抗蚀剂组合物、使用其的光致抗蚀剂图案和用于制造图案的方法，所述正性光致抗蚀剂组合物包含含有特定结构的重复单元的丙烯酸类树脂、和光敏酸产生化合物。
正性光致抗蚀剂组合使用光致抗蚀剂图案制造方法

[发明专利]一种用于高能离子注入的复合掩膜的制备方法-CN201510028928.5有效
发明人：施长治;林春 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜的制备方法。本发明的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。其制备方法采用正性光致抗蚀剂经光刻在注入阻挡层介质膜表面形成掩膜图形，再利用正负倾角薄膜蒸发工艺在注入区、光致抗蚀剂掩膜侧壁及顶端生长牺牲介质膜，用于高能离子注入。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。
一种用于高能离子注入复合制备方法

[发明专利]形成光刻图案的方法-CN201110108960.6有效
发明人：姜锡昊;C·科尔特 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成光刻图案的方法。还提供涂覆的基板和通过该方法形成的电子器件。该方法在电子器件的制造中具有特殊用途。提供了一种形成光刻图案的方法，所述方法包括：(a)提供在其表面上具有一个或多个将被图案化的层的基板；(b)在该一个或多个将被图案化的层上施加光致抗蚀剂组合物层，该光致抗蚀剂组合物包括具有酸解离基团的树脂和光酸产生剂；(c)在光化辐射下图案化曝光该光致抗蚀剂组合物层；并且(d)在光致抗蚀剂组合物层上施加显影剂，其中光致抗蚀剂组合物层中的未曝光区域被显影剂去除，在一个或多个将被图案化的层上形成光致抗蚀剂图案，其中该显影剂包括
形成光刻图案方法

[发明专利]具有垂直互连件的可堆叠全模制半导体结构-CN202080044793.0在审
发明人： T·L·奥尔森;E·赫德森;C·必绍普 -专利权人：德卡科技美国公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法可以包括：提供载体并且在载体上形成具有通过第一光致抗蚀剂的第一开口的第一光致抗蚀剂。可以在第一光致抗蚀剂上形成不平坦的导电晶种层，并且所述导电晶种层通过第一光致抗蚀剂共形地延伸至第一开口中。可以在第一光致抗蚀剂上和不平坦的导电晶种层上形成第二光致抗蚀剂。可以对第二光致抗蚀剂层进行图案化，以形成通过第二光致抗蚀剂延伸至不平坦的导电晶种层的第二开口。可以在不平坦的导电晶种层上和第二开口内镀覆导电柱。可以去除第二光致抗蚀剂而将第一光致抗蚀剂留在原处。可以利用模制化合物密封半导体晶粒、导电柱和第一光致抗蚀剂。
具有垂直互连堆叠全模制半导体结构

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法-CN202111453047.X在审
发明人： J·凯茨;M·芬奇;P·J·拉博姆;山田晋太郎;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图案的方法，该方法包括：在该衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，该光致抗蚀剂底层由包含具有小于110℃的玻璃化转变温度的聚合物和溶剂的组合物形成；对该光致抗蚀剂底层进行金属前体处理，其中该金属前体浸渗该光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化光致抗蚀剂底层。
光致抗蚀剂底层组合图案方法

[发明专利]再加工半导体衬底的方法和形成半导体器件的图案的方法-CN200810142886.8无效
发明人：金垠成;金兑奎;吴锡焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-05 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种再加工半导体衬底的方法和在不损伤有机抗反射涂层(ARC)的情况下使用再加工半导体衬底的方法形成半导体器件图案的方法。再加工半导体衬底的方法包括在形成有有机ARC的衬底上形成光致抗蚀剂图案。当光致抗蚀剂图案中存在缺陷时，可曝光其上形成有光致抗蚀剂图案的衬底的整个表面。整个表面曝光的光致抗蚀剂图案可通过执行不损伤有机ARC的显影工艺来移除。
再加半导体衬底方法形成半导体器件图案

[发明专利]形成取样光栅的方法以及制作激光二极管的方法-CN201210230062.2有效
发明人：柳沢昌辉 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：形成取样光栅的方法包括下述步骤：制备衬底；制备纳米压印模具，其包括其上周期性地形成有凸起和凹陷的图案表面；制备掩模，其包括交替地设置的光遮挡部分和光透射部分；将光致抗蚀剂层和树脂部按序形成在衬底上；通过按压模具的图案表面使其与树脂部接触并且在保持接触的同时硬化树脂部来形成具有凸起和凹陷的图案化树脂部；通过利用通过掩模和图案化树脂部的曝光光来照射光致抗蚀剂层而曝光光致抗蚀剂层的一部分；通过显影光致抗蚀剂层来形成图案化光致抗蚀剂层；以及使用该图案化光致抗蚀剂层蚀刻衬底。
形成取样光栅方法以及制作激光二极管

[发明专利]限定图案的方法-CN200610160485.6有效
发明人： M·I·埃格贝;M·勒根扎;T·维伊德;J·M·里克 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2005-07-01 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及限定图案的方法，其中包括将光致抗蚀剂涂覆到基底上，将图案平板印刷到光致抗蚀剂上；将图案转印到基底上；通过使基底与特定组合物接触以从基底上去除光致抗蚀剂或蚀刻残余物或以上两者。
限定图案方法

[发明专利]光掩模制造方法以及光掩模-CN200910174246.X无效
发明人：佐野道明;早瀬三千彦 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模制造方法以及光掩模，该光掩模制造方法包括：准备在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯体的工序；对形成在所述遮光膜上的抗蚀剂膜进行构图来形成抗蚀剂图案的工序；将抗蚀剂图案作为掩模对遮光膜进行蚀刻并形成遮光膜图案的工序；以及对形成的遮光膜图案进行缺陷检查，当存在由过剩物引起的黑缺陷时对该缺陷部分进行修正的工序。对缺陷部分进行修正的工序在光掩模上再次形成抗蚀剂膜，在包含缺陷部分的规定区域中进行规定的图案描绘并显影，来形成修正用抗蚀剂图案，并将该抗蚀剂图形作为掩模实施蚀刻，去除缺陷部分的过剩物。
光掩模制造方法以及

[发明专利]制造方解石纳米流体通道-CN201980056054.0在审
发明人：车东奎;穆罕默德·巴德里·阿勒奥泰比;阿里·阿卜杜拉·阿勒-优素福 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：将光致抗蚀剂层涂覆到氮化硅(SiN)衬底的顶表面上。在涂覆光致抗蚀剂层后，用电子束以预定图案扫描光致抗蚀剂层。将扫描的光致抗蚀剂显影，从而以预定图案暴露SiN衬底的顶表面的部分。使用方解石前体气体，利用原子层沉积(ALD)以预定图案沉积方解石。使用溶剂移除光致抗蚀剂层的剩余部分以暴露在SiN衬底的顶表面上以预定图案沉积的方解石，其中沉积的方解石的宽度在50至100纳米(nm)的范围内。
制造方解石纳米流体通道

[发明专利]制造半导体器件的方法和图案形成方法-CN202110549003.0在审
发明人：訾安仁;何俊智;郑雅如;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本公开涉及制造半导体器件的方法和图案形成方法。在制造半导体器件的方法中，在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层，将金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。金属光致抗蚀剂层是包括两种或更多种金属元素的合金层，并且选择性曝光改变了合金层的相态。
制造半导体器件方法图案形成

[发明专利]形成半导体器件接触孔的方法-CN96106921.X无效
发明人：朴祥均 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-07-01 - 公布日： 1999-10-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：形成半导体器件接触孔的方法，防止用作接触孔掩模的光致抗蚀剂膜图案因其下的硼磷硅玻璃（ＢＰＳＧ）膜图案在湿法蚀刻时出现的过度蚀刻而与之分离。包括依次在半导体衬底上涂覆绝缘薄膜和平整的ＢＰＳＧ膜，在８０℃至３５０℃热处理ＢＰＳＧ膜，并用热处理所用同一设备以连续方式沉积光致抗蚀剂膜，除去规定部分以形成图案，将ＢＰＳＧ膜的露出部分湿法蚀刻至所需深度，并对剩余部分和绝缘膜干法蚀刻，形成接触孔。
形成半导体器件接触方法

[发明专利]形成金属线的方法及利用该方法制造显示基板的方法-CN200710100846.2有效
发明人：金彰洙;金湘甲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：光致抗蚀剂图案形成在布线区域。利用光致抗蚀剂图案蚀刻金属层以形成金属线。移除预定厚度的光致抗蚀剂图案以在金属线上形成残留的光致抗蚀剂图案。利用金属线蚀刻沟道层以形成位于金属线下面的底切。利用残留的光致抗蚀剂图案移除金属线的突起部分。突起部分相对于地突出于底切的形成构造。因此，增加了开口率，防止了余像并提高了显示质量。
形成金属线方法利用制造显示

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