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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机发光结构及其制造方法及有机发光组件-CN201310285545.7有效
发明人：曾迎祥 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光结构及其制造方法，该方法包括在基板上形成平坦化层，所述平坦化层包括负性光致抗蚀剂材料；利用掩膜对所述负性光致抗蚀剂材料执行曝光工艺；对经过曝光工艺后的所述负性光致抗蚀剂材料执行显影工艺，从而得到光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案包括平坦部和位于平坦部四周的凸起部，所述凸起部具有平滑表面；及在所述平坦部上形成反射电极和有机发光层，其中所述反射电极还位于所述凸起部的相对侧表面上。
有机发光结构及其制造方法组件

[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法-CN200810083158.4有效
发明人：金润熙;姜镐民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：光致抗蚀剂图案形成于源电极区域和漏电极区域中。使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，数据金属层被蚀刻以形成包括源电极和漏电极的数据布线。光致抗蚀剂图案被回流以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区。使用回流的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，该欧姆接触层和半导体层被蚀刻以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案。回流的光致抗蚀剂图案被回蚀刻以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分。使用回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层，该欧姆接触图案被蚀刻。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]制备显示器用阵列板的方法-CN200680003671.7有效
发明人：金炳基;朴世炯;卞达锡;宋锡政;朴钟旼 -专利权人：可隆株式会社
申请日： 2006-02-01 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种显示器用阵列通过如下步骤形成：将在支持膜上具有正性光致抗蚀剂树脂层的正性干膜抗蚀剂粘附到衬底上，使得光致抗蚀剂树脂层粘附在所述衬底的表面上。然后，将所述支持膜从粘附到所述衬底表面的光致抗蚀剂树脂层上释放；将所述层曝光；以及将在所述正性型光致抗蚀剂树脂层中的曝光区域显影并除去。
制备显示器用阵列方法

[发明专利]上层膜形成用组合物以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法及电子器件的制造方法-CN201680011620.2在审
发明人：后藤研由;井上尚纪;丹吴直纮;山本庆;白川三千纮 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供一种上层膜形成用组合物以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法和电子器件的制造方法，本发明的含有聚合物的光致抗蚀剂用上层膜形成用组合物中，能够通过光致抗蚀剂用上层膜形成用组合物，以较高的焦点深度性能形成具有超微细的宽度或孔直径，例如60nm以下的沟槽图案或孔图案，所述光致抗蚀剂用上层膜形成用组合物在聚合物的通过凝胶渗透色谱法测定的分子量分布中，重均分子量为4万以上的高分子量成分的峰面积相对于整体峰面积为0.1％以下。
上层形成组合以及使用图案方法电子器件制造

[发明专利]制作悬浮结构的方法-CN200610101137.1无效
发明人：康育辅 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：所述方法包括：提供基底；在基底上形成第一光致抗蚀剂图案并加热使硬化以作为牺牲层；在基底与牺牲层上方形成暴露出部分牺牲层与基底的第二光致抗蚀剂图案；在基底、第二光致抗蚀剂图案与牺牲层上形成结构层；进行剥离工艺，移除第二光致抗蚀剂图案与位于第二光致抗蚀剂图案上的结构层；以及用干式蚀刻工艺移除牺牲层使结构层，形成悬浮结构。
制作悬浮结构方法

[发明专利]布线电路基板的制造方法-CN200910004096.8无效
发明人：竹村敬史 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2009-02-11 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明提供一种布线电路基板的制造方法，包括：准备包含金属支持层与绝缘层的2层基材的工序；利用光致抗蚀剂覆盖绝缘层的上表面、绝缘层及金属支持层的侧端面的覆盖工序；配置光掩模，使其将在上表面形成端部及导体层的部分遮光，将覆盖上表面的光致抗蚀剂从上方通过光掩模曝光的工序；将覆盖侧端面的光致抗蚀剂从下方曝光的工序；去除光致抗蚀剂的未曝光部分，将曝光部分形成为图案，形成镀敷抗蚀膜的工序；以及形成端部导体层与导体层的工序。
布线路基制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂剥离剂组合物-CN201610685935.7在审
发明人：金俸均;朴弘植;郑在祐;金炳郁;赵泰杓;许舜范;张斗瑛;金东宽 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物可在避免对金属图案的腐蚀和/或对有机/无机膜的损伤的前提下除去光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物组成为相对于所述剥离剂组合物的总重量而包含15重量％至80重量％的非质子性极性溶剂，包含有N,N‑二甲基丙酰胺；25重量％至80重量％的质子性极性溶剂；1重量％至15重量
光致抗蚀剂剥离组合

[发明专利]光致抗蚀剂图案缩小组合物与图案缩小方法-CN201780038755.2有效
发明人：李昇勋;李昇炫;李秀珍;金起洪 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明的目的在于，在半导体制造工艺中提供利用光致抗蚀剂可缩小(Shrink)光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂图案缩小用组合物与利用该组合物的图案缩小方法，在形成光致抗蚀剂图案时，缩小要形成的图案，大幅度减少半导体制造工艺的工艺数量
光致抗蚀剂图案缩小组合方法

[发明专利]用于制造抗蚀图案和导体图案的方法-CN200580040726.7有效
发明人：三隅浩一;斋藤宏二;石川薰 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2005-11-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明用于制造抗蚀图案的方法包括：层压(a)具有其上存在铜的上表面的载体，(b)由从无机物质源供应的无机物质组成的无机物质层，和(c)由化学放大型正性光致抗蚀剂组合物组成的光致抗蚀剂层，获得光致抗蚀剂层压材料的步骤；将激活光或放射线选择性辐照到所述光致抗蚀剂层压材料上的步骤；和将所述(c)光致抗蚀剂层与所述(b)无机物质层一起显影以形成抗蚀图案的步骤。
用于制造图案导体方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202011350050.4在审
发明人：訾安仁;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。所述用于形成光致抗蚀剂图案的方法包括在基板上形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层。所述光致抗蚀剂组合物包括金属粒子和附接到所述金属粒子的热稳定配体。所述热稳定配体包含支链或非支链、环状或非环状的C1‑C7烷基或C1‑C7氟代烷基。使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，并且使所述光致抗蚀剂层显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。在一个实施方式中，所述方法包括在使所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射之前加热所述光致抗蚀剂层。
光致抗蚀剂组合形成图案方法

[发明专利]蚀刻制造方法以及图案化制造方法-CN200410085084.X有效
发明人：周珮玉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2004-10-12 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种蚀刻制造方法，其首先提供一材料层，且材料层上已形成有一底部抗反射层以及一图案化光致抗蚀剂层。接着，以图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻底部抗反射层。然后，进行一清洁步骤，以清除附着在图案化光致抗蚀剂层表面上的聚合物。之后，以图案化光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻材料层。
蚀刻制造方法以及图案

[发明专利]光致抗蚀剂剥离方法-CN03809298.0无效
发明人：横井滋;胁屋和正;原口高之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2003-04-25 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致抗蚀剂剥离方法，所述方法包括以下步骤：(I)在至少具有铜(Cu)配线和低电介质层的基板上设置光致抗蚀剂图案，以该光致抗蚀剂图案为掩模，选择性地蚀刻低电介质层的步骤；(II)使经过上述步骤(I)的基板接触臭氧水及/或过氧化氢水的步骤；以及(III)使经过上述步骤(II)的基板接触至少含有季铵氢氧化物的光致抗蚀剂用剥离液的步骤。根据本发明，能够提供一种光致抗蚀剂剥离方法，在双金属镶嵌法等在至少具有铜(Cu)配线和低电介质层的基板上形成微细图案的过程中，即使在不进行O₂等离子去胶处理的处理过程中，也能够有效地剥离蚀刻后的光致抗蚀剂膜
光致抗蚀剂剥离方法

[发明专利]正型光致抗蚀剂组合物与抗蚀剂图案的形成方法-CN03148995.8无效
发明人：久保敦子;大内康秀;宫城贤 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2003-07-03 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： G03F7/022 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于系统液晶显示器(LCD)的制造且线性优异并可以形成微细抗蚀剂图案的材料以及使用此材料的抗蚀剂图案形成方法。本发明正型光致抗蚀剂组合物用于制造1块基板上形成集成电路和液晶显示元件部分的基板，其特征在于含有(A)碱溶性树脂、(B)萘醌二迭氮酯化合物、(C)特定结构的含酚性羟基的化合物以及(D)有机溶剂。本发明的抗蚀剂图案形成方法的特征在于，包括：用该正型抗蚀剂组合物在基板上形成抗蚀剂涂膜的工序、用画有用于形成集成电路用抗蚀剂图案的掩膜图案和用于形成液晶显示部分用抗蚀剂图案的掩膜图案的掩膜，进行选择性曝光，同时形成集成电路用抗蚀剂图案和液晶显示部分用抗蚀剂图案的工序。
正型光致抗蚀剂组合抗蚀剂图案形成方法

[发明专利]用于在光致抗蚀剂图案上涂覆的组合物-CN201210229074.3有效
发明人：工藤隆范;M·帕德曼纳班;R·R·达莫尔 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2005-10-25 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及用于涂覆光致抗蚀剂图案的水性涂料组合物，其包含含氨基的聚合物。本发明还涉及微电子元件的制造方法，包括：提供具有光致抗蚀剂图案的衬底，用新型涂料涂覆所述光致抗蚀剂图案，让与所述光致抗蚀剂图案接触的涂料的一部分反应，和将没有与移除溶液反应的涂料的一部分除去。
用于光致抗蚀剂图案上涂覆组合

[发明专利]用于在光致抗蚀剂图案上涂覆的组合物-CN200580038784.6无效
发明人：工藤隆范;M·帕德曼纳班;R·R·达莫尔 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2005-10-25 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及用于涂覆光致抗蚀剂图案的水性涂料组合物，其包含含氨基的聚合物。本发明还涉及微电子元件的制造方法，包括：提供具有光致抗蚀剂图案的衬底，用新型涂料涂覆所述光致抗蚀剂图案，让与所述光致抗蚀剂图案接触的涂料的一部分反应，和将没有与移除溶液反应的涂料的一部分除去。
用于光致抗蚀剂图案上涂覆组合

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