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[发明专利]具有穿硅通孔（TSV）垂直互连的可堆叠全模制半导体结构-CN202210774557.5在审
发明人： T·L·奥森;C·桑德斯特伦;C·必绍普;R·戴维斯 -专利权人：德卡科技美国公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有穿硅通孔(TSV)垂直互连的可堆叠全模制半导体结构。半导体器件可以包括嵌入式器件，其包括从第一表面延伸到与所述第一表面相对的第二表面的穿硅通孔(TSV)，其中，嵌入式器件包括有源器件、包括形成在第一表面的有源表面的半导体晶粒、集成式无源器件(IPD)或无源器件。密封剂可以布置在嵌入式器件的至少五个侧面上。第一电互连结构可以联接到所述嵌入式器件的第一表面处的TSV的第一端，第二电互连结构可以联接到所述嵌入式器件的第二表面处的TSV的第二端。半导体晶粒(例如，片上系统(SoC)、存储器装置、微处理器、图形处理器或模拟装置)可以安装在TSV的第一电互连上。
具有穿硅通孔 tsv 垂直互连堆叠全模制半导体结构

[发明专利]具有穿硅通孔（TSV）垂直互连的全模制半导体结构-CN202210775078.5在审
发明人： R·戴维斯;T·L·奥森;C·必绍普;C·桑德斯特伦 -专利权人：德卡科技美国公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有穿硅通孔(TSV)垂直互连的全模制半导体结构。一种制造半导体器件的方法可以包括：提供包括导电互连的大型半导体晶粒，第一密封剂布置在所述大型半导体晶粒的四个侧面上、所述大型半导体晶粒的有源表面上以及所述导电互连的周围。可以在所述大型半导体晶粒上和所述第一密封剂上形成第一构建互连结构。垂直导电互连可以形成在所述第一构建互连结构上和嵌入式器件安装位置的周围。可以在所述嵌入式器件安装位置上布置包括穿硅通孔(TSV)的嵌入式器件。第二密封剂可以布置在构建结构上和嵌入式器件的至少五个侧面周围。第二构建结构可以形成为布置在平坦表面上并且配置为电联接到嵌入式器件的TSV和垂直导电互连。
具有穿硅通孔 tsv 垂直互连全模制半导体结构

[发明专利]全模制桥接中介层及其制造方法-CN202210095409.0在审
发明人： C·桑德斯特伦;B·S·约塞;T·L·奥森;C·必绍普;J·凯勒;E·赫德森 -专利权人：德卡科技美国公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及全模制桥接中介层及其制造方法。半导体装置可以包括桥接晶粒，所述桥接晶粒包括铜螺柱。铜立柱可以布置在桥接晶粒的外围。密封剂可以布置在桥接晶粒的五个侧面上、铜螺柱的侧面上以及铜立柱的侧面上，使得铜螺柱的端部以及铜立柱的相反的第一端和第二端从密封剂暴露。正面层积互连结构可以形成在桥接晶粒的铜螺柱上方并且接合到与铜立柱的第一端相反的铜立柱的第二端。正面层积互连结构包括在桥接晶粒的覆盖区内具有第一中心距的第一焊盘和在桥接晶粒的覆盖区外具有第二中心距的第二焊盘。第一中心距可以至少比第二中心距小1.5倍。
全模制桥接中介及其制造方法

[发明专利]具有垂直互连件的可堆叠全模制半导体结构-CN202080044793.0在审
发明人： T·L·奥尔森;E·赫德森;C·必绍普 -专利权人：德卡科技美国公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法可以包括：提供载体并且在载体上形成具有通过第一光致抗蚀剂的第一开口的第一光致抗蚀剂。可以在第一光致抗蚀剂上形成不平坦的导电晶种层，并且所述导电晶种层通过第一光致抗蚀剂共形地延伸至第一开口中。可以在第一光致抗蚀剂上和不平坦的导电晶种层上形成第二光致抗蚀剂。可以对第二光致抗蚀剂层进行图案化，以形成通过第二光致抗蚀剂延伸至不平坦的导电晶种层的第二开口。可以在不平坦的导电晶种层上和第二开口内镀覆导电柱。可以去除第二光致抗蚀剂而将第一光致抗蚀剂留在原处。半导体晶粒可以接合至载体。可以利用模制化合物密封半导体晶粒、导电柱和第一光致抗蚀剂。
具有垂直互连堆叠全模制半导体结构