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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光电子器件-CN201910500869.5在审
发明人： K.P.霍梅伍德;R.M.格威廉 -专利权人：萨里大学
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L33/34 文献下载
摘要：光电子器件具有光敏区域，所述光敏区域包含掺杂有稀土元素离子的半导体材料。与稀土掺杂剂离子的内部能量状态相关的特性跃迁通过那些状态与在半导体带结构中的能量状态的直接相互作用而被修改。Eu³⁺和Yb³⁺掺杂的硅LED和光电探测器被描述。所述LED发射在光通信中重要的在波长范围1300nm到1600nm中的辐射。
光电子器件光敏区域能量状态半导体材料稀土元素离子光电探测器稀土掺杂剂半导体带掺杂的光通信波长跃迁离子掺杂发射辐射

[发明专利]光电子器件-CN201980032433.6在审
发明人：安德烈亚斯·赖特;保拉·阿尔铁里-魏玛 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：提出一种光电子器件(20)，具有：载体(21)；光电子半导体芯片(25)；绝缘层(22)，所述绝缘层具有电绝缘材料；和第一接触层(23)，所述第一接触层具有导电材料。
光电子器件

[发明专利]光电子器件-CN202080050420.4在审
发明人：丹尼尔·里希特;布伦丹·霍兰 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：提出一种光电子器件(100)，其具有：‑至少一个发射辐射的半导体芯片(1)，其在运行中发射第一波长范围(5)的电磁辐射；和‑吸收体(2)，其中吸收体(2)对于发射的第一波长范围(5)的电磁辐射主要是可透射的
光电子器件

[发明专利]光电子器件-CN202111551452.5在审
发明人： R·科菲;J-M·里维耶 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及光电子器件。光电子元件位于封装件中。该封装件包括通过结合层彼此附接的第一光学块和第二光学块。第一和第二光学块中的一个通过胶连接到封装件的侧壁。
光电子器件

[发明专利]光电子器件-CN201780054045.9有效
发明人：维尔纳·贝格鲍尔;约阿希姆·赫特功 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种具有有源层的光电子器件(10)，所述有源层具有多重量子阱结构(5)，其中多重量子阱结构(5)包含量子阱层(51)，所述量子阱层具有Alx1In
光电子器件

[发明专利]光电子器件-CN201810026724.1有效
发明人：郭宗海;杨立 -专利权人：广东三石园科技有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明提供一种光电子器件，包括光纤头，光纤头内设置有两根光纤，两根光纤均延伸至光纤头的第一端外；其中，光纤头的第二端设置有分光晶体，分光晶体远离光纤头的一侧上设置有半波片，半波片设置在一根光纤的光路上；本发明能够实现光学混合器件的小型化，而且光学混合器件可以实现光学隔离、光电探测的功能。
光电子器件

[发明专利]光电子器件-CN201810027188.7有效
发明人：郭宗海;杨立 -专利权人：广东三石园科技有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明提供一种光电子器件，包括光纤头，光纤头内设置有三根光纤，三根光纤均延伸至光纤头的第一端外；光纤头的第二端设置有分光晶体，分光晶体远离光纤头的一侧上设置有半波片；聚焦旋光组件设置在光纤头第二端的一侧聚焦旋光组件包括自聚焦透镜与法拉第旋光器，在聚焦旋光组件远离光纤头的一侧设置有第一反射透射膜，第一反射透射膜的反射率远小于透射率；聚焦旋光组件远离光纤头的一侧外设有楔角片，楔角片远离聚焦旋光组件的一侧设有光电转换器本发明能够实现光学混合器件的小型化，而且光学混合器件可以实现光学隔离、光电探测的功能。
光电子器件

[发明专利]光电子器件-CN200910261589.X无效
发明人： K·阿恩德特;N·法希特奇安 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2002-12-02 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：光电子器件，具有一个基体或壳体(2)、至少一个布置在基体缺口中的光电子半导体芯片(3)、和一种在缺口中埋入至少一个半导体芯片的浇注材料(5)，该浇注材料(5)由透明材料制成，其中，该透明的浇注材料(5)
光电子器件

[实用新型]光电子器件-CN202021868697.1有效
发明人：陈向阳 -专利权人：广东三石园科技有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G02B6/27 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电子器件包括光纤头、分光晶体、半波片、准直透镜、滤波片、法拉第旋光片、分光片、磁环及光电转换器；光纤头、分光晶体、半波片、准直透镜、滤波片、法拉第旋光片、分光片、磁环及光电转换器依次固定连接将光纤头、分光晶体、半波片、准直透镜、滤波片、法拉第旋光片、分光片、磁环及光电转换器整合到一个器件，能实现监测、隔离以及WDM的功能，使整个光电子器件模组化，小型化。
光电子器件

[实用新型]光电子器件-CN202022762237.7有效
发明人：余国民;A·J·齐尔基;F·彼得斯 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种光电子器件。所述光电子器件包括：绝缘体上硅平台，其包括：位于所述平台的硅器件层内的硅波导、衬底以及位于所述衬底与所述硅器件层之间的绝缘体层；以及基于III‑V族半导体的器件，所述基于III‑V族半导体的器件位于所述绝缘体上硅平台的腔内，并且包括耦合到所述硅波导的基于III‑V族半导体的波导；其中所述基于III‑V族半导体的器件包括加热器和连接到所述加热器的一条或多条电迹线，其中所述一条或多条电迹线从所述基于III‑V族半导体的器件延伸到所述绝缘体上硅平台上的相应接触焊盘
光电子器件

[外观设计]光电子器件-CN201830320645.2有效
发明人：晏思平 -专利权人：深圳市瑞丰光电子股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：光电子器件。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于显示、照明和感控类光电器件应用。3．本外观设计产品的设计要点：产品的整体形状。
外观设计光电子器件光电器件整体形状应用图片

[发明专利]光电子器件-CN201180065633.5在审
发明人： K.P.霍梅伍德;R.M.格威廉 -专利权人：萨里大学
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L33/34 文献下载
摘要：光电子器件具有光敏区域，所述光敏区域包含掺杂有稀土元素离子的半导体材料。与稀土掺杂剂离子的内部能量状态相关的特性跃迁通过那些状态与在半导体带结构中的能量状态的直接相互作用而被修改。Eu3+和Yb3+掺杂的硅LED和光电探测器被描述。所述LED发射在光通信中重要的在波长范围1300nm到1600nm中的辐射。
光电子器件

[发明专利]光电子器件-CN201280043632.5在审
发明人：西梅昂·卡茨;巴斯蒂安·加勒;马丁·斯特拉斯伯格;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;菲利普·德雷克塞尔;维尔纳·贝格鲍尔;马丁·曼德尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：提出一种光电子器件（11），其中有源层（10）具有多个横向彼此间隔开的结构元件（6）。
光电子器件

[发明专利]光电子器件-CN201180037026.8在审
发明人：亚历山大·林科夫;拉尔夫·维尔特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子器件（1），其用于特别是在远场中混合具有不同波长的电磁辐射。所述光电子器件（1）包括载体（2）。
光电子器件

[发明专利]光电子器件-CN201380050797.X有效
发明人：于尔根·莫斯布格尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-09-19 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子器件。器件具有载体(140)；设置在载体(140)上的第一光电子半导体芯片(101)；设置在第一半导体芯片(101)上的第一转换元件(110)，以用于转换从第一半导体芯片(101)输出的光辐射；设置在载体(140)上的第二光电子半导体芯片(102)；和设置在第二半导体芯片(102)上的第二转换元件(120)，以用于转换从第二半导体芯片(102)输出的光辐射。光电子器件还具有设置在载体(140)上的绝缘材料(150)，所述绝缘材料包围第一和第二半导体芯片(101；102)和第一和第二转换元件(110；120)。本发明还涉及用于制造这样的器件的方法。
光电子器件

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