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[发明专利]光伏型多量子阱红外探测器-CN200710171387.7无效
发明人：陆卫;王文娟;甄红楼;李天信;陈平平;张波;李宁;李志锋;陈效双 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏型多量子阱红外探测器，该探测器由SOI晶片，键合在SOI晶片上的光导型多量子阱红外探测器组成。所说的SOI晶片是一种通过高能粒子辐照处理后，在埋氧层中产生固定电荷的晶片。所说的光导型多量子阱红外探测器为GaAs/AlGaAs、GaAs/InGaAs或Si/GeSi多量子阱红外探测器。本发明的优点在于：该探测器不仅具备了光导型多量子阱红外探测器的基本优越性能，同时也解决了光导探测器暗电流较大的缺陷，从而进一步提高了器件的性能。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
光伏型多量红外探测器

[实用新型]一种掺杂Er³⁺的CdS纳米带三波段光导型红外探测器-CN201420170287.8有效
发明人：刘应开 -专利权人：刘应开;侯德东
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种掺杂Er³⁺的CdS纳米带三波段光导型红外探测器，包括：纳米带、欧姆接触区、三档放大器、引出电极；纳米带设置在欧姆接触区之间，三档放大器设置在光导型红外探测器的前端本实用新型设置三档放大器，采用了不同波长的光辐照器件，使得波长在457.5纳米，620纳米，955纳米等3波段附近的光辐照纳米带时器件的电导大幅度增加，通过掺杂Er³⁺的CdS纳米带三波段光导型红外探测器可作为探测波长为457.5纳米，620纳米，955纳米的三波段光导型探测器。本实用新型的探测器可探测蓝光、红光和近红外光，实现了三波段光导型红外探测器，弥补了现有的探测器存在的探测波长单一的问题。
一种掺杂 er sup cds 纳米波段光导型红外探测器

[发明专利]紫外探测系统及紫外探测方法-CN201911266510.2有效
发明人：陈星;刘可为;张振中;李炳辉;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外探测系统及紫外探测方法，将紫外探测器与取样电阻和电源串接为紫外探测回路，通过检测取样电阻上的电压信号，基于电压信号获取紫外探测器探测的紫外光强度，无需直接探测紫外探测器自身信号。紫外探测器为光导型器件，相对于传统的PN结结构的光伏型光传感器，光响应度很高。光导型器件的在紫外光照射下，电阻会显著降低，相对于传统的PN结结构的光伏型光传感器，该紫外探测器可以与电源和取样电阻形成探测回路，紫外探测器和取样电阻的总电压为电源的输出电压，在进行紫外探测时，紫外探测器电阻大幅降低会导致取样电阻分压显著提升
紫外探测系统方法

[实用新型]光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器-CN202220226768.0有效
发明人：李德香;何雯瑾;邓功荣;陈冬琼;吴宇;杨玲;种苏然;宋欣波;龚晓霞;袁俊;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构，结构简单，制备难度低，n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。采用所述材料的光伏型InAsSb长波红外探测器比光导型长波红外探测器具有更高的探测灵敏度。
光伏型 inassb 长波红外探测器材料

[发明专利]一种光导型有机半导体探测器及其制备方法-CN201611005938.8有效
发明人：刘琳琳;马於光;解增旗;韩滔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光导型有机半导体探测器，由下至上依次石英片衬底，金属纳米粒子，有机绝缘层，有机光敏层和金属电极迭置而成；所述金属纳米粒子与有机光敏层产生局域等离子体共振。本发明还公开了上述光导型有机半导体探测器的制备方法。本发明解决了现有的有机半导体探测器暗电流大的问题及突破了光导型探测器对材料高迁移率的限制。本发明的光导型有机半导体探测器具有结构简单，探测比率高，响应速度快等优点，在军事、民用以及一些特定领域具有重要应用价值和经济价值。
一种光导型有机半导体探测器及其制备方法

[发明专利]基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法-CN201510365453.9有效
发明人：黄健;张磊;杨瑾;陈梦斐;张淑玮;任兵;王宇彤;胡艳;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G01T3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ZnO薄膜的集成式中子探测器及其制备方法，首先制备ZnO薄膜光导型紫外探测器，并在其上采用射频磁控溅射法制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnO薄膜光导紫外探测器结构的中子探测器提供了方法。本发明中子探测器采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnO薄膜光导型紫外探测器探测紫外线，从而实现中子探测
基于 zno 薄膜集成中子探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有强制n型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器-CN201910039011.3有效
发明人：詹健龙;宋禹析 -专利权人：浙江焜腾红外科技有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有强制n型表面态的InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区为n型，在吸收区的能带结构中，吸收区的表面态位于超晶格导带底的下方且与超晶格导带底之间的间隙小于3kBT，或者表面态位于超晶格导带底的上方，其中kB是玻尔兹曼常数，T是InAs/GaSb二类超晶格光探测器的工作温度。本发明的InAs/GaSb二类超晶格光探测器其能带结构中表面态与超晶格导带底的上方，或者位于超晶格导带底的下方但与超晶格导带底的距离小于3kBT，使得表面态转变为n型，与吸收区同型，从而消除表面SRH暗电流，提高探测器的性能。
一种具有强制表面 inas gasb 二类超晶格探测器

[发明专利]一种光导型微纳光电探测器的制备方法-CN202211284596.3在审
发明人：马淑芳;刘松;许并社;韩斌;王光辉;黄鑫;王豆;刘博 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种光导型微纳光电探测器的制备方法，包括以下步骤：S1、将光敏材料转移至清洗后的衬底上；S2、在S1光敏材料上方覆盖铜载网，之后将铜载网固定在衬底上；S3、采用磁控溅射法，在S2铜载网上先镀Cr薄膜，再镀Au薄膜，完成在光敏材料上镀电极，之后取下铜载网，即完成光导型微纳光电探测器的制备。本发明提供的光导型微纳探测器的制备方法，制备过程简单，无光刻胶污染，方法简单稳定，且电极与材料之间接触良好。
一种光导型微纳光电探测器制备方法

[发明专利]一种导模光电探测器-CN202110438858.6有效
发明人：胡成日;陈年域;王博;刘巧莉;胡安琪;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种导模光电探测器。其中，导模光电探测器包括：光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层延第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；目标入射光进入光波导结构后以导模光的形式沿第一方向传播；P型欧姆接触区和N型欧姆接触区，为芯层两侧的掺杂部分，均沿第一方向延伸；以及，P型电极和N型电极，沿第一方向延伸，并且P型电极与P型欧姆接触区的侧面贴合，N型电极与N型欧姆接触区的侧面贴合，用于收集目标入射光与芯层相互作用所产生的光生载流子通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。
一种光电探测器

[发明专利]光伏型有机紫外半导体探测器-CN201010296652.6有效
发明人：姬荣斌;唐利斌;宋立媛;陈雪梅;马钰;王忆锋;庄继胜 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：光伏型有机紫外半导体探测器，涉及光电技术领域，尤其是一种光伏型的有机紫外半导体探测器。本发明的一种光伏型有机紫外半导体探测器，在特殊材料衬底上设置特殊材料各功能层构成三层、五层或七层结构。相对于光导探测器而言，光伏探测器具有响应速度快、功耗低、易于形成阵列、无需偏置等优势。此外，有机半导体材料克服了无机半导体材料的缺点，使得制备成本更低，易于实现大面积、大阵列，光敏材料电阻率可控、无需制冷、可实现柔性加工，因此有机紫外光伏探测器在军事、民用以及一些特定领域具有重要的潜在应用价值
光伏型有机紫外半导体探测器

[发明专利]用于光导型红外探测器阵列的分时供电和数据采集系统-CN201310476896.6有效
发明人：赵军卫;冯刚;王振宝;杨鹏翎;陈绍武;冯国斌;陶蒙蒙;闫燕;张磊 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光导型红外探测器阵列的分时供电和数据采集系统，包括恒流源、输入多通道模拟开关、输出多通道模拟开关、数据采集处理单元和n只与光导型红外探测器一一对应的电桥式放大驱动单元；输入多通道模拟开关和输出多通道模拟开关的选通端可在驱动电平的作用下本发明有效解决了光导型红外探测器和驱动电路在持续工作中的发热问题，克服了探测器温升引起的基线漂移，确保了动态范围，满足了测量系统长时间工作的要求。
用于光导型红外探测器阵列分时供电数据采集系统

[发明专利]一种核探测器-CN201710631228.4在审
发明人：牛明;刘彤;华越轩;孙意成;谢庆国 -专利权人：苏州瑞派宁科技有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明提供一种核探测器，包括闪烁晶体阵列、光导和光电探测器阵列，闪烁晶体阵列包括若干个依序紧密排列且尺寸相同的闪烁晶体条，光电探测器阵列包括若干个依序排列的光电探测器，光电探测器的横截面积大于闪烁晶体条的横截面积，光导包括相对的顶面、底面和侧面，光导的顶面与闪烁晶体阵列耦合，光导的底面与光电探测器阵列耦合，光导的厚度介于0.1mm‑40mm之间；光导还具有设置于靠近所述光导的边缘处的切缝，切缝自光导的顶面向底面延伸，切缝的深度介于光导的厚度的0.1‑0.5倍之间。本发明能够实现核探测器的高空间分辨率，满足高空间分辨率PET探测器的需要，生产方便，制造便捷，成本低廉。
一种探测器

[实用新型]一种核探测器-CN201720930680.6有效
发明人：牛明;刘彤;华越轩;孙意成;谢庆国 -专利权人：苏州瑞派宁科技有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本实用新型提供一种核探测器，包括闪烁晶体阵列、光导和光电探测器阵列，闪烁晶体阵列包括若干个依序紧密排列且尺寸相同的闪烁晶体条，光电探测器阵列包括若干个依序排列的光电探测器，光电探测器的横截面积大于闪烁晶体条的横截面积，光导包括相对的顶面、底面和侧面，光导的顶面与闪烁晶体阵列耦合，光导的底面与光电探测器阵列耦合，光导的厚度介于0.1mm‑40mm之间；光导还具有设置于靠近所述光导的边缘处的切缝，切缝自光导的顶面向底面延伸，切缝的深度介于光导的厚度的0.1‑0.5倍之间。本实用新型能够实现核探测器的高空间分辨率，满足高空间分辨率PET探测器的需要，生产方便，制造便捷，成本低廉。
一种探测器

[发明专利]片上集成硅单光子探测器及其制备方法-CN202210333941.1在审
发明人：刘巧莉;陈年域;胡安琪;郭霞 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请提供一种片上集成硅单光子探测器及其制备方法，该片上集成硅单光子探测器包括氮化硅波导和硅导模探测器，氮化硅波导用于接收并传输入射光，入射光的波长为300nm‑1100nm；硅导模探测器的长度方向与氮化硅波导内的光传输方向一致，硅导模探测器的宽度方向与硅导模探测器通电时硅导模探测器内的电流方向一致；硅导模探测器与氮化硅波导间隔设置，且氮化硅波导位于硅导模探测器高度方向的上部，硅导模探测器用于接收氮化硅波导耦合来的入射光，以及当硅导模探测器通电时，用于将入射光转换为电信号。该片上集成硅单光子探测器解决了因硅材料对接近1100nm处的近红外光吸收系数小导致的探测效率低的技术问题。
集成光子探测器及其制备方法

[发明专利]一种光电导型紫外探测器-CN200410053865.0无效
发明人：季振国;杜娟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： G01N21/33 文献下载
摘要：本发明的光导型紫外探测器自上而下依次由纯氧化镓滤光膜，铟镓氧化物紫外敏感膜，叉指电极和绝缘衬底迭置而成。该紫外探测器以纯氧化镓薄膜为滤光层，以铟镓氧化物为紫外敏感层，既可以滤去波长小于240nm的光，又使得探测器只对太阳盲区波长范围内的光波敏感。此外，由于叉指电极在敏感膜的下面，敏感膜受光面积大，避免了一般光导型探测器中叉指电极对受光面积的影响，因此灵敏度很高。本发明的紫外探测器具有结构简单，灵敏度高，成本低等优点。
一种电导紫外探测器

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