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- [发明专利]栅极侧墙的制造方法-CN201810768718.3有效
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庄望超;李镇全
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上海华力集成电路制造有限公司
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2018-07-13
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2020-11-24
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H01L21/308
- 本发明公开了一种栅极侧墙的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成由栅介质层、多晶硅栅和硬质掩膜层叠加而成的栅极结构；步骤二、形成侧墙介质层；步骤三、在侧墙介质层的表面形成侧墙保护介质层；步骤四、对侧墙保护介质层进行第一次全面刻蚀并使侧墙保护介质层仅位于栅极结构侧面；步骤五、对侧墙介质层进行第二次全面刻蚀形成侧墙，所保留的侧墙保护介质层对侧墙的侧面进行保护，侧墙保护介质层和硬质掩膜层自对准暴露出侧墙的顶部表面从而能调节侧墙的高度；步骤六、去除所保留的侧墙保护介质层。本发明能防止侧墙的厚度减薄，使侧墙的厚度得到保持；能调节侧墙的高度，防止形成过大的牛角，从而有利于栅极结构的平坦化。
- 栅极制造方法
- [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310219684.3在审
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帅露;廖君玮
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长鑫存储技术有限公司
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2023-03-03
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2023-05-30
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H01L29/06
- 本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，包括：提供基底、位于基底表面的栅介质膜以及位于栅介质膜部分表面的栅极导电层；形成覆盖栅极导电层露出的栅介质膜表面以及栅极导电层的顶面和侧面的绝缘层；干法刻蚀绝缘层以及栅介质膜，露出部分基底，保留位于栅极导电层侧面的绝缘层作为第一侧墙，剩余栅介质膜作为第一栅介质层；对第一侧墙以及基底进行清洗处理，去除部分宽度的第一栅介质层，剩余第一栅介质层作为第二栅介质层，且第一侧墙、第二栅介质层以及基底围成缺口，其中，缺口的宽度小于第一侧墙的最大宽度；刻蚀去除位于缺口正上方的第一侧墙，剩余的第一侧墙作为第二侧墙。
- 半导体结构及其制造方法
- [发明专利]侧墙、形成侧墙、半导体器件的方法-CN201210124627.9有效
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李乐
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2012-04-25
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2017-08-08
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H01L21/336
- 一种侧墙、形成侧墙、半导体器件的方法，形成侧墙的方法包括提供具有栅极结构的基底，栅极结构包括栅极、位于栅极和基底之间的栅介质层；形成第一介质层，覆盖基底和栅极结构；第一介质层为单层或叠层结构；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层对形成自对准金属硅化物块工艺中使用的刻蚀液的耐腐蚀性大于第一介质层的最外层材料对刻蚀液的耐腐蚀性；依次刻蚀第二介质层和第一介质层在栅极四周形成侧墙。本发明中形成的侧墙对侧墙形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性比较大，这样可以减小在形成自对准金属硅化物块的工艺中侧墙的损失，相应的侧墙宽度增大，可以避免侧墙太小而造成的场效应晶体管失效的问题。
- 侧墙形成半导体器件方法
- [实用新型]便于拆装的地下水修复可渗透反应墙-CN202120656425.3有效
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刘庆龙;唐景春;夏纯清;马敬康
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南开大学
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2021-03-31
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2022-01-25
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C02F3/34
- 本实用新型公开了一种便于拆装的地下水修复可渗透反应墙，包括：固定底座、2个过滤墙以及设置在2个过滤墙之间的吸附反应墙和微生物反应墙，吸附反应墙和微生物反应墙的结构相同，均包括：顶板、顶端敞口的支架和嵌装在支架内的网袋，网袋与顶板固定连接，在网袋内填充有反应介质，顶板盖在支架的顶端敞口并通过螺栓固定在该顶端敞口上，在顶板的上表面固装有吊装把手。当拆装吸附反应墙/微生物反应墙时，螺栓旋紧，通过吊装把手直接将吸附反应墙/微生物反应墙从底座中吊出；当拆装反应墙的反应介质时，将螺栓拆除，通过吊装把手只把反应介质连同网袋从地下水修复可渗透反应墙中吊出，实现地下水修复可渗透反应墙和反应介质的快速拆装和更换。
- 便于拆装地下水修复渗透反应
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