专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法-CN202211287564.9在审
  • 朱至渊;刘鹏;徐积斌;李玉华;黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2022-10-20 - 2023-01-03 - H10B41/00
  • 本发明提供一种需要进行光刻返工的闪存器件的制备方法,包括:获取之前多个批次中介质侧墙的侧表面的电荷量;获取介质侧墙的侧表面的电荷密度;获取所述介质侧墙的最小宽度尺寸;重新设计掩模版以重新定义所述介质侧墙在宽度上的尺寸;形成图案化的光刻胶层;刻蚀一定厚度的所述介质层以得到位于衬底中的所述浅沟槽隔离结构和覆盖所述栅极的侧表面的所述介质侧墙。本申请通过根据电荷密度以及其他一些参数,获取所述介质侧墙的最小宽度尺寸,重新设计掩模版来重新定义所述介质侧墙在宽度上的尺寸,使得光刻返工后的介质侧墙在积累大量电荷之后的极板放电的情况下可以承受高压,避免了栅极和/或衬底被高压击穿而烧毁的情况,提高了器件的良率。
  • 需要进行光刻返工闪存器件制备方法

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