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[发明专利]苯酚甲醇气相烷基化的方法、介孔分子筛及其制备方法、用途-CN200910056405.6有效
发明人：王仁远;王焕煜;朱春燕;唐寄云 -专利权人：上海宝钢化工有限公司
申请日： 2009-08-13 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： B01J29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种苯酚甲醇气相烷基化的方法，还涉及一种介孔分子筛，该介孔分子筛的制备方法以及该介孔分子筛的用途。本发明的苯酚甲醇气相烷基化的方法是采用本发明的介孔分子筛作为催化剂。本发明的介孔分子筛的本体是MCM-41介孔分子筛，负载在本体上的金属活性组分是Fe-V活性组分。本发明的介孔分子筛的制备方法，是采用浸渍法将Fe-V活性组分分散负载于MCM-41介孔分子筛上。本发明的介孔分子筛的用途是用于作为苯酚甲醇气相烷基化的催化剂。本发明解决了现在的MCM-41介孔分子筛用于苯酚甲醇气相烷基化，邻位选择性低的技术问题。
苯酚甲醇烷基化方法分子筛及其制备用途

[发明专利]一种介孔硅膜及其两步制备方法和用途-CN201710160471.2有效
发明人：刘恩秀;张福生;郑旭东;刘恩利;闫永胜 -专利权人：江苏大学
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： B01J20/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种介孔硅膜及其两步制备方法和用途，制备方法如下：将棉花置于硫酸溶液中，搅拌反应，完毕后取出，用蒸馏水稀释，静置分层；对下层悬浊液离心分离，洗涤；将离心后的悬浊液透析，调pH，超声，得到纳米晶纤维素；将纳米晶纤维素超声，置于圆底烧瓶中，加入葡萄糖，搅拌均匀，加入硅酸四乙酯，搅拌，干燥，得到介孔硅膜A；将介孔硅膜A煅烧，得到介孔硅膜B；将介孔硅膜B置于甲苯中，通氮气后滴加三乙胺，再通氮气后，滴加二乙基磷酰乙基三乙氧基硅烷，密封，振荡，得到介孔硅膜C；将介孔硅膜C置于浓盐酸中反应，得到介孔硅膜D；冲洗介孔硅膜D，烘干后得到最终的介孔硅膜。
一种介孔硅膜及其制备方法用途

[发明专利]介孔抗菌熔块及其制备方法、抗菌陶瓷砖的制备方法-CN202111223692.2有效
发明人：秦汉;徐瑜;钟保民;江彬轩;张智鹏 -专利权人：佛山市东鹏陶瓷发展有限公司;广东东鹏控股股份有限公司;佛山市东鹏陶瓷有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C03C8/04 文献下载
摘要：本发明涉及建筑陶瓷技术领域，尤其涉及一种介孔抗菌熔块及其制备方法、抗菌陶瓷砖的制备方法。一种介孔抗菌熔块的制备方法，包括以下步骤：步骤A、介孔熔块前驱物的制备：步骤A1、按以下质量配比进行制备，每1000g的NaOH溶液中加入100g釉料原料和十六烷基三甲基溴化铵，搅拌混合均匀后进行加热反应；步骤A2、调节经过加热反应后的混合液的pH值至中性，倒去上层清液，进行水洗抽滤后制得介孔熔块前驱物。所述介孔抗菌熔块的制备方法，能够在熔块中形成介孔，制备得到具有介孔结构的介孔抗菌熔块，游离的抗菌金属离子可以通过介孔任意穿梭，抗菌率高，且抗菌耐久性好，使用所述介孔抗菌熔块制得的抗菌陶瓷砖具有优异的抗菌率和耐久抗菌率
抗菌及其制备方法陶瓷砖

[发明专利]一种介孔多维催化极板及其制备方法-CN202210259395.1有效
发明人：马丹燕;姚娇娇;卢敏;石云峰 -专利权人：广州市金龙峰环保设备工程股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01M8/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种介孔多维催化极板及其制备方法，包括以下步骤：将植物原料剪碎后在惰性气体中煅烧；在煅烧后的植物原料中加入金属氧化物，研磨得到混合物；将混合物在蒸汽下煅烧，得到介孔生物质材料；将介孔生物质材料、钛粉、纤维、水和硝酸混合均匀，得到半固体前驱体；将半固体前驱体涂抹在磨具中，经过微波烧结得到介孔电极板；将介孔电极板放入电解液进行电镀；将电镀后的介孔电极板进行干燥，得到介孔多维催化极板。本技术方案提出的一种介孔多维催化极板及其制备方法，有利于延长介孔多维催化极板的使用寿命及提升介孔多维催化极板的催化效果，解决现有技术中存在的极板使用寿命短、处理效率低和电耗大的技术问题。
一种多维催化极板及其制备方法

[发明专利]一种介孔孔径可调的介孔二氧化硅颗粒的制备方法-CN202011212364.8有效
发明人：陈泽涛;单正杰;武诗语;苏梦溪;谢律;施梦汝;吕春晓;陈卓凡 -专利权人：中山大学附属口腔医院
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本发明提出一种介孔孔径可调的介孔二氧化硅颗粒的制备方法，包括以下步骤：(1)通过水解正硅酸四乙酯制备硅酸前驱体溶液；(2)通过调整硅酸前驱体溶液的浓度和溶剂种类初步对介孔二氧化硅颗粒的介孔直径进行预调控；(3)进一步通过调节硅酸前驱体溶液的PH值干预凝胶过程从而调整介孔二氧化硅颗粒的介孔直径；(4)改性；(5)分散；(6)干燥；(7)煅烧。本发明制备的介孔二氧化硅颗粒具有明显的介孔结构，较高的比表面积，细胞毒性阈值高，生物相容性好，亲水性好，介孔直径可根据负载药物和蛋白等不同的需求进行精确调整，其介孔孔径在2‑30nm之间可调，负载效率高
一种孔径可调二氧化硅颗粒制备方法

[发明专利]内埋式电子元件封装结构-CN201210572078.1无效
发明人：卓瑜甄;郑伟鸣 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开一种内埋式电子元件封装结构，包括一核心层、一电子元件、一第一介电层、一第二介电层以及多个导通孔。核心层具有一开孔、一第一表面及相对第一表面的一第二表面。电子元件设置于开孔中。第一介电层设置于第一表面上，并填入开孔中，且覆盖电子元件的一侧。第一介电层未填满开孔。第二介电层设置于第二表面上，并填入开孔中，且覆盖电子元件的另一侧，并与第一介电层相接合。第一介电层及第二介电层完整包覆该电子元件。导通孔分别围绕电子元件的周围设置并贯穿第一介电层、第二介电层及核心层，且导通孔分别连通第一介电层及第二介电层。
内埋式电子元件封装结构

[发明专利]用于移动电信单元的多层螺旋天线-CN99125537.2无效
发明人：金种圭;朴寅植;徐哠硕 -专利权人：电子部品研究院
申请日： 1999-12-01 - 公布日： 2000-06-21 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：多层螺旋天线包括有中心孔的第一介质片;多个第二介质片,除一个仅有开始孔,其余还设结束孔,各有开口圆形金属物和中心孔,仅有开始孔的介质片的金属物从开始孔延至自由端,其余延至结束孔;多个第三介质片,设辅助孔和中心孔第一介质片在上,后是仅有开始孔的第二介质片,后是第三及第二介质片交替,第三介质片在下,辅助孔充导电物,通过开始和结束孔连接金属物,形成螺旋,鞭状天线沿其中心轴滑动,形成多层。
用于移动电信单元多层螺旋天线

[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202110547801.X在审
发明人：卢经文 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包含：提供一衬底，衬底表面设置有第一介电层，第一介电层表面设置多个第一孔；在第一孔中填充牺牲层而形成柱体；部分去除第一介电层，以使柱体部分露出；在柱体的露出部分的表面设置第二介电层，多个柱体侧面的第二介电层之间形成过渡孔；去除第二介电层，在对第二介电层的侧壁的去除过程中使得过渡孔形成第二孔，再将第二孔转移至第一介电层，使得剩余的第一介电层具有第二孔和第一孔的剩余部分；将第一孔和第二孔的图案向下反向转移至衬底。
半导体结构制作方法

[发明专利]一种制备介孔碳载金属单原子催化剂的方法-CN201910215755.6有效
发明人：吕逍;贾毅 -专利权人：沈阳理工大学
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B01J23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备介孔碳载金属单原子催化剂的方法，包括：合成介孔模板;利用Zn盐合成介孔碳；除去介孔碳产物中的模板，得到介孔碳载金属单原子催化剂。有益效果在于：本发明将Zn盐用于碳化过程中，利用高温合成过程中Zn在介孔碳载体上的蒸发，在介孔碳载体上制造纳米级微孔，使介孔碳载体变成多级孔材料。由于提高了单原子的分散度和载量，因此该介孔碳载金属单原子催化剂具有较好的催化活性。
一种制备介孔碳载金属原子催化剂方法

[发明专利]具有被动组件结构的半导体结构及其制造方法-CN201110037396.3有效
发明人：陈建桦;李德章;张勇舜;张添贵;吴怡婷 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体结构包括中介层基板、第一介电层、被动组件层、第二介电层及重布层。第一介电层形成于中介层基板，中介层基板具有导通孔，第一介电层具有第一开孔，导通孔从第一开孔露出。被动组件层形成于第一介电层上且具有第二开孔，第一开孔从第二开孔露出。第二介电层形成于被动组件层。重布层形成于被动组件层，重布层经由第二介电层、被动组件层的第二开孔及第一介电层的第一开孔电性连接于导通孔。
具有被动组件结构半导体及其制造方法

[发明专利]双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法-CN200710138378.8有效
发明人：余振华;卢永诚;郑培仁;周家政;林耕竹;柯忠祁;包天一;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构及其制造方法。该双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构包括底层介电层和顶层介电层。底层介电层与顶层介电层的原子成分相同，但介电常数值较高，且底层介电层成为顶层介电层的蚀刻停止层，顶层介电层可作为化学机械研磨停止层。双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法包括形成具有第一成孔剂含量的底层介电层；形成顶层介电层，其成孔剂含量较上述第一成孔剂含量高；进行固化工艺，以使底层介电层残留的成孔剂含量比顶层介电层少。本发明使得顶部介电层的介电常数较低，同时维持与现有技术较高介电常数的单层介电层同样的薄膜硬度，并可降低工艺成本。
双层多孔性介电层半导体介电层内连线结构制造方法

[发明专利]一种三维有序介孔磷化镍析氢电催化材料及其制备方法-CN202211289947.X在审
发明人：黄婷婷;赵溪溪;盖恒军;宋红兵;肖盟;朱全红 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C25B11/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维有序介孔磷化镍析氢电催化材料，其制备方法包括以下步骤：制备有序介孔二氧化硅，将镍源引入其有序介孔孔道中，煅烧得氧化镍/有序介孔二氧化硅；按比例称取磷源和氧化镍/有序介孔二氧化硅，煅烧使氧化镍/有序介孔二氧化硅充分磷化，进行钝化处理，得到磷化镍/有序介孔二氧化硅；采用过量的氢氟酸对磷化镍/有序介孔二氧化硅进行刻蚀，充分反应后洗涤干燥，即得三维有序介孔磷化镍析氢电催化材料。本发明通过引入有序介孔结构来设计出优异性能的析氢电催化剂材料，其有序结构的内部孔道双连续且有序互通，介孔表面催化活性位点丰富，比表面积相对较大，提高了磷化镍的析氢催化活性，在氢能开发和应用都具有良好的应用前景
一种三维有序磷化镍析氢电催化材料及其制备方法

[发明专利]一种介孔分子筛及其制备方法-CN201510700776.9有效
发明人：李文林;达志坚;罗一斌;郑金玉 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：一种介孔分子筛，其特征在于该分子筛具有FAU晶相结构，其相对结晶度大于70％，介孔体积占总孔体积的比例为30～70％，BET测试孔容表明10～22nm孔径的介孔占介孔的60％以上。
一种分子筛及其制备方法

[发明专利]一种闭孔的介孔氧化硅及其制备方法-CN201210106539.6无效
发明人：梁国正;单伟;顾嫒娟;袁莉 -专利权人：苏州大学
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种闭孔的介孔氧化硅及其制备方法。利用多氯硅烷对干燥的介孔氧化硅进行处理，制备表面含氯基团的介孔氧化硅，再将其与多面体倍半硅氧烷和多氯硅烷反应，得到粗产物，经洗涤、干燥后，在230～300℃的温度条件下煅烧，得到一种闭孔的介孔氧化硅，它由多面体倍半硅氧烷在介孔氧化硅的外表面及孔口形成包覆层它不仅保留了介孔氧化硅的内部孔道，且通过多面体倍半硅氧烷结构将介孔氧化硅闭孔，获得更大的比表面积和更多的空隙，有利于降低材料介电常数和提高介孔氧化硅吸附性能，从而保证了介孔氧化硅最大程度发挥制备低介电常数材料的优势
一种氧化及其制备方法

[发明专利]一种可控制备纳米材料@介孔碳异质结构的方法-CN201910304725.2在审
发明人：任晓娜;夏敏;燕青芝;葛昌纯 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明提供一种可控制备纳米材料@介孔碳异质结构的方法，涉及一维纳米材料的制备技术领域。本发明以中空介孔纳米碳为模板，将介孔纳米碳分散于钨前驱体—偏钨酸铵（AMT）的水溶液中，利用介孔碳纳米管表面介孔的毛细管作用，将AMT吸附进中空空腔内，并通过搅拌加速吸附进程，过滤干燥,再进行还原反应。本发明采用介孔碳材料表面的介孔结构引入前驱体不破坏纳米碳的本征结构；利用其形状限制效应，确保产物形貌可控，通过调控热处理参数，可控地制备一维纳米线@介孔碳异质结构，同时根据需要制备纳米颗粒@介孔碳异质结构
介孔碳异质结构纳米碳纳米材料可控制前驱体介孔可控吸附制备一维纳米材料制备技术领域介孔碳材料毛细管作用纳米管表面热处理参数一维纳米线产物形貌过滤干燥还原反应介孔结构纳米颗粒偏钨酸铵无催化剂形状限制制备过程中空介孔中空空腔本征调控引入进程