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[发明专利]一种钙钛矿介孔玻璃的制备方法及其应用-CN202210874951.6在审
发明人：胡智萍;陈春霖;刘征征;何进;杜鹃 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种钙钛矿介孔玻璃的制备方法及其应用，包括以下步骤：步骤一，制备钙钛矿前驱体溶液：钙钛矿前驱材料卤化铅溶解于有机溶剂中形成第一钙钛矿前驱液；钛矿前驱卤化铯溶解于有机溶剂甲醇中，形成第二钙钛矿前驱液；步骤二，在第一钙钛矿前驱体溶液中浸泡介孔玻璃，待介孔玻璃自吸附钙钛矿前驱体溶液在介孔结构后，对介孔玻璃进行真空退火；步骤三，将步骤一中干燥后的介孔玻璃浸泡至第二钙钛矿前驱液，待第二钙钛矿前驱液被吸收后，干燥后形成钙钛矿介孔玻璃。本发明利用介孔玻璃的自吸附效应，将钙钛矿前驱体溶液吸附在介孔结构内，通过真空退火处理，实现钙钛矿材料与基底材料直接结合，直接生成了钙钛矿晶体。
一种钙钛矿介孔玻璃制备方法及其应用

[发明专利]介孔钙钛矿电池的制备方法及介孔钙钛矿电池-CN202311091651.1在审
发明人：李卫东;蔡子贺;赵志国;王力军;赵东明;赵政晶 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能集团技术创新中心有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种介孔钙钛矿电池的制备方法及介孔钙钛矿电池，该制备方法包括：提供导电基底，在导电基底上依次形成电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层、电极。电子传输层包括致密层和介孔层，介孔层内部具有多个空腔。该制备方法还包括制备钙钛矿活性层之前，向介孔层的空腔注入钙钛矿前驱液，之后加热干燥去除钙钛矿前驱液中的溶质，保留钙钛矿活性物质于空腔中，再在介孔层背离导电基底的一侧形成钙钛矿活性层。由此可见，该制备方法包括在介孔层的空腔中填充钙钛矿活性物质，之后再在介孔层上沉积钙钛矿活性层，可以避免由于介孔层与钙钛矿前驱液浸润性差导致孔洞的存在，从而该制备方法可以改善制得的钙钛矿电池的性能。
介孔钙钛矿电池制备方法

[发明专利]含铁镍双金属的磁性双峰介孔碳及其制备方法和应用-CN201410604753.3有效
发明人：刘媛媛;曾光明;汤琳;杨贵德;章毅;庞娅;蔡叶;周耀渝 -专利权人：湖南大学
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种含铁镍双金属的磁性双峰介孔碳及其制备方法和应用，该含铁镍双金属的磁性双峰介孔碳以磁性双峰介孔碳为载体，铁镍合金纳米颗粒分散在磁性双峰介孔碳中形成孔径分别为4nm～5nm和15nm～20nm的有序双峰介孔结构。其制备方法包括制备介孔硅模板、制备复合物、制备含铁镍双金属的磁性双峰介孔碳等步骤。本发明采用初湿浸渍法制备含铁镍双金属的磁性双峰介孔碳，制备得到的含铁镍双金属的磁性双峰介孔碳比表面积大、铁镍合金纳米颗粒分布均匀，不易团聚，磁学性能优异，且理化性质稳定，可应用于水体中染料污染物的去除，
含铁镍双金属磁性双峰介孔碳及其制备方法应用

[发明专利]一种用于合成柠檬酸三丁酯的催化剂及其制备方法-CN201010535730.3有效
发明人：蒋剑春;李静;徐俊明;周永红 -专利权人：江苏强林生物能源有限公司;中国林业科学研究院林产化学工业研究所
申请日： 2010-11-08 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： B01J31/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于合成柠檬酸三丁酯的催化剂及其制备方法，所述催化剂以水热合成法制备的强酸性介孔材料为载体，在介孔材料载体上以化学键键合酸性离子液体，所述的酸性离子液体的键合方式为表面修饰，介孔材料为介孔硅、介孔锆、介孔钛中的任意一种，所述的酸性离子液体为含有磷酸根或硫酸根的离子液体。先采用常规的水热法利用锆、钛或硅的前驱体与十六烷基三甲基溴化铵制备介孔材料载体；然后酸性离子液体表面修饰：将介孔材料载体与硅烷偶联剂KH-550、甲苯反应充分后，再与1，3-丙烷磺内酯或1，4-丁烷磺内酯反应最后与含有强酸性基团的离子液体反应得强酸性介孔材料
一种用于合成柠檬酸三丁酯催化剂及其制备方法

[发明专利]介孔碳修饰电极检测三聚氰胺的方法-CN201410008733.X有效
发明人：郭卓;黄国庆;徐显峰;王泽宇 -专利权人：沈阳化工大学
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G01N27/48 文献下载
摘要：介孔碳修饰电极检测三聚氰胺的方法，涉及一种检测三聚氰胺的方法，所述方法以介孔碳为修饰剂，将介孔碳涂覆在玻碳电极表面，制得介孔碳修饰电极，然后将修饰电极放入含有三聚氰胺的三氯乙酸溶液中检测；本发明以介孔碳为修饰剂，把介孔碳分散在乙醇中，将此介孔碳悬浮液与Nafion粘合剂混合，超声分散均匀后将其滴涂在玻碳电极表明制成介孔碳修饰电极，晾干后备用，然后将修饰电极放入含有三聚氰胺的三氯乙酸溶液中，对于三聚氰胺，介孔碳修饰电极具有比碳纳米管修饰电极和裸电极更强的电催化作用
介孔碳修饰电极检测三聚方法

[发明专利]一种制备有序介孔氧化铟锡材料的方法-CN201210312976.3有效
发明人：孙晓红;季惠明;李晓雷 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备有序介孔氧化铟锡材料的方法，以有序介孔氧化硅作为硬模板，将其加入到铟前躯体水溶液或铟前躯体乙醇的溶液中搅拌浸渍，铟前躯体固体质量与氧化硅质量比为2-5：1；使铟前躯体浸入到氧化硅介孔孔道中，然后挥干溶剂，并在空气气氛下300-600℃煅烧，然后采用氢氧化钠溶液搅拌后离心过滤以除去氧化硅模板，得到有序介孔氧化铟材料；将制备的有序介孔氧化铟材料与锡前躯体的溶液混合搅拌浸渍，经室温挥发除去溶剂，并在气氛下煅烧，使锡元素均匀掺杂到有序介孔氧化铟晶格中，从而制得有序介孔氧化铟锡材料。本发明所制备有序介孔氧化铟锡材料为纯的氧化铟锡，无杂质存在。具有良好的有序介孔结构。
一种制备有序氧化材料方法

[发明专利]Nafion/氨基酸修饰空心介孔硅杂化膜及制备和应用-CN201410721070.6有效
发明人：吴洪;尹永恒;姜忠义;邓万玉;王鸿燕;李安平 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C08L27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种Nafion/氨基酸修饰空心介孔硅杂化膜，是由Nafion与氨基酸修饰空心介孔硅构成。其制备过程包括合成二氧化硅微球，利用二氧化硅微球，通过双层化、去核及去模板制得空心介孔硅；将空心介孔硅与3‑氨丙基三乙氧基硅烷进行反应，得氨基修饰的空心介孔硅；将氨基修饰的空心介孔硅与氨基酸在EDC和NHS的缩合作用下制备氨基酸修饰空心介孔硅；氨基酸修饰空心介孔硅与Nafion溶液共混得铸膜液，经流延法制得该杂化膜。本发明杂化膜的制备过程绿色环保、可控性强，制得的Nafion/氨基酸修饰空心介孔硅杂化膜应用于直接甲醇燃料电池，具有较高的质子传导率和良好的阻醇性能。
nafion 氨基酸修饰空心介孔硅杂化膜制备应用

[发明专利]镍钼双金属氧化物催化剂及其制备方法和应用-CN201410766886.0有效
发明人：李玉龙;刘坚;王斯晗;赵震;褚洪岭;范晓强;杜龙弟;韦岳长;邓旭亮;徐显明;王薇;张志翔;苑慧敏;张忠涛;王凤荣 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明公开了一种有序介孔镍钼复合氧化物催化剂及其制备方法，该材料可望用于催化裂化再生烟气氮氧化物的还原或丙烷氧化脱氢反应，属于石油化工领域，该有序介孔镍钼氧化物采用介孔硅为硬模板，首先以硝酸镍为前驱体制备有序介孔氧化镍，然后以有序介孔氧化镍为基底制备有序介孔镍钼氧化物催化剂。该方法合成的有序介孔镍钼氧化物催化剂适用于丙烷氧化脱氢反应中。本发明制备的介孔金属氧化物孔道有序，比表面积高，比体相镍钼氧化物具有更好的丙烷氧化脱氢性能；同时本发明制备的有序介孔氧化镍基底是在无溶剂的条件下进行的，制备方法简单，时间短，产率高，无溶剂例如乙醇的消耗
介孔镍钼制备丙烷氧化脱氢氧化物催化剂无溶剂氧化镍氧化物双金属氧化物催化剂复合氧化物催化剂介孔金属氧化物制备方法和应用石油化工领域催化裂化氮氧化物基底制备前驱体制氧化镍基再生烟气硝酸镍硬模板乙醇产率孔道体相还原合成消耗

[发明专利]一种小介孔超稳Y型沸石及其制备方法与应用-CN201611223053.5有效
发明人：申宝剑;郑庆庆;高雄厚;王宝杰;赵红娟;任申勇;朱小春;赵亮;王闻年;米硕;袁德林;李程;隋晓;霍霖;孔珊珊;李晓慧;申波俊;韩华军;袁洋 -专利权人：中国石油天然气集团公司;中国石油大学(北京)
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种小介孔超稳Y型沸石及其制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤：步骤一：制备骨架含有镁的NaY沸石；步骤二：将骨架含有镁的NaY沸石与铵盐经离子交换得到铵型Y沸石；步骤三：将步骤二得到的铵型Y沸石进行高温水热处理，得到所述小介孔超稳Y型沸石。上述制备方法制得的小介孔超稳Y型沸石是具有介孔的Y型沸石，其具有小介孔孔径、大介孔体积。本发明还提供了上述小介孔超稳Y型沸石的应用，该小介孔超稳Y型沸石作为催化裂化催化剂和催化加氢催化剂的活性组分。采用本发明提供的小介孔超稳Y型沸石作为催化剂或作为催化剂的活性组分时可以明显提高催化剂的催化活性。
一种小介孔超稳型沸石及其制备方法应用

[发明专利]一种有机无机复合介孔膜及其制备方法和应用-CN200910054082.7无效
发明人：陈勇;吴龙;沈逸;朱瑾瑜;甘思文;陈安琪 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2009-06-29 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： B01D71/00 文献下载
摘要：本发明公开一种有机无机复合介孔膜及其制备方法和应用，属膜材料领域。其制备方法包括前驱液的制备、复合介孔膜的抽滤制备、膜内表面活性剂的洗脱三个步骤，即主要利用抽滤的方法将无机介孔材料组装在聚碳酸酯膜内的孔洞中制得复合膜，再利用萃取洗脱的方式除去该复合膜内的表面活性剂，从而得到有机无机复合介孔膜，膜内介孔材料孔径直径为3.0nm或者8.0nm。所得的一种有机无机复合介孔膜，相对于以前报道的无机复合介孔膜而言，该膜的柔韧性更好、不宜破裂，而且耐酸和耐碱性更好。另外，该有机/无机复合介孔膜因其介孔结构的有序性和孔径的纳米尺寸效应，可用于分子尺寸选择性转移和膜分离等领域。
一种有机无机复合介孔膜及其制备方法应用

[发明专利]一种金属氧化物负载的介孔材料及其制备方法和应用-CN201210541398.0无效
发明人：李永生;陈勇;施剑林 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： B01J35/10 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物负载的介孔材料的制备方法，所述制备方法包括：a）将金属盐与糠醇混合形成金属盐在糠醇中的第一溶液；b）将介孔材料在所述第一溶液中进行浸渍；c）将浸渍后的介孔材料在抽真空条件下放置；d）将放置后的介孔材料在惰性气氛条件下高温碳化；e）将碳化后的介孔材料在有氧气氛条件下高温焙烧。本发明通过简单高效的上述方法来制备金属氧化物负载的介孔材料，成功地使金属氧化物高度分散到介孔材料的孔道内表面，制备出具有高催化活性和高选择性的金属氧化物负载的介孔催化材料。本发明所提供的制备方法简化了金属氧化物负载于介孔材料上的步骤，实现了金属氧化物负载量的宏观可调。
一种金属氧化物负载材料及其制备方法应用

[发明专利]氧化锆栅介质晶体管的制备方法-CN201610178229.3在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锆栅介质晶体管的制备方法，通过在半导体衬底上表面沉积第一介质，形成第一介质层；对第一介质层刻蚀，形成源极、漏极的接触孔，再沉积第二介质，形成第二介质层；对第二介质层光刻、刻蚀，去除源极、漏极接触孔之外区域的第二介质，以使第一介质层部分上表面外露，形成第一窗口；以氮气作为反应气体，对形成欧姆接触电极之后的整个半导体衬底进行退火处理；在第一窗口，对第一介质层以及预设厚度的氮化铝镓层进行刻蚀，形成栅极接触孔；在栅极接触孔内淀积氧化锆，形成氧化锆层，其厚度小于栅极接触孔的深度；在栅极接触孔内沉积第三介质，以使第三介质完全覆盖栅极接触孔，形成晶体管的栅极。
氧化锆介质晶体管制备方法

[发明专利]一种可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺-CN202310098165.6在审
发明人：滕晓东;郑博宇;刘振 -专利权人：长沙安牧泉智能科技有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了可用于多尺寸互连的凹槽式转接板制备工艺，涉及电子封装领域，在转接板本体上设置中部盲孔及侧部盲孔，各盲孔内填充导电材料，在转接板本体的上表面设置有第一介电层，蚀刻第一介电层，并在各盲孔的周围形成第一介电支撑；在第一介电支撑的间隙内设置第一导电层，并在中部盲孔处形成中部焊盘；在第一介电层和第一导电层的上方设置有第二介电层，蚀刻第二介电层形成第二介电支撑和第三介电支撑，第二介电支撑覆盖于中部焊盘；在第二介电支撑和/或第三介电支撑的间隙内设置第二导电层；在第二介电层和第二导电层上方设置有第三介电层，对第三介电层进行蚀刻，使得第二导电层裸露，在第二导电层裸露处设置第三导电层形成侧部焊盘。
一种用于尺寸互连凹槽转接制备工艺

[发明专利]去耦合电容器封装结构与其制作方法-CN202010577861.1在审
发明人：郭丰维;廖文翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：此方法可以包括在一部分的聚合物层上形成具有金属线的第一重分布层，在第一重分布层上沉积光阻层，以及蚀刻光阻层以在光阻层中形成间隔开的第一中介层通孔开口和第二中介层通孔开口，其中第一中介层通孔开口比第二中介层通孔开口宽此方法可以进一步包括在第一中介层通孔开口和第二中介层通孔开口中沉积金属以分别地形成与金属线接触的第一中介层通孔结构和第二中介层通孔结构，去除光阻层，在第一中介层通孔结构和第二中介层通孔结构的顶表面上形成高介电常数介电质，并在高介电常数介电层上沉积金属层以分别地形成第一电容器和第二电容器。
耦合电容器封装结构与其制作方法

[发明专利]形成半导体器件的方法及半导体器件-CN201911206411.5有效
发明人：陈宪伟;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：第一介电层位于衬底上方。第一互连件位于第一介电层中。第二介电层位于第一介电层和第一互连件上方。导电通孔延伸穿过第一介电层、第二介电层和衬底。导电通孔的最上表面与第二介电层的最上表面齐平。第三介电层位于第二介电层和导电通孔的上方。第四介电层位于第三介电层的上方。第二互连件位于第四介电层中。第二互连件延伸穿过第三介电层和第二介电层并且与第一互连件物理接触。
形成半导体器件方法

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