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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种谐振变换器的驱动方法及装置-CN201911350991.5在审
发明人：唐健;王艳芳;首福俊;李剑;张帆 -专利权人：沃尔缇夫能源系统公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：所述方法包括：生成第一驱动信号和第二驱动信号，其中，第一驱动信号和第二驱动信号在谐振变换器工作周期内包括至少两个相邻的导通时长交替互补的开关周期，导通时长交替互补是指在两个相邻的导通时长互补的开关周期中，后一导通时长互补的开关周期中第一驱动信号的导通时长与前一导通时长互补的开关周期中第二驱动信号的导通时长相等；将所述第一驱动信号和所述第二驱动信号分别作为所述第一开关管和所述第二开关管的驱动信号。
一种谐振变换器驱动方法装置

[发明专利]测试方法、测试机台及存储介质-CN202310843509.1在审
发明人：杨杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：测试方法包括：将灵敏放大电路中的位线、互补位线、放大位线和互补放大位线设置为第一连接状态；检测由灵敏放大电路的供电端流向公共端的第一电流；根据第一电流，确定灵敏放大电路中的偏移消除晶体管和隔离晶体管是否均正常；其中，偏移消除晶体管用于使位线与互补放大位线导通和断开以及使互补位线与放大位线导通和断开，隔离晶体管用于使位线与放大位线导通和断开以及使互补位线与互补放大位线导通和断开。
测试方法机台存储介质

[发明专利]五电平逆变电路的PWM控制方法、控制电路以及逆变器-CN201611092909.X有效
发明人：陈鹏;曹金虎;耿后来;文鹏 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明提供的五电平逆变电路的PWM控制方法，应用于五电平逆变电路，该五电平逆变电路包括第一电容、第二电容、第三电容以及八个开关支路，本控制方法通过将控制逻辑设置成第一开关支路与第四开关支路互补导通，第二开关支路与第五开关支路互补导通，第三开关支路与第六开关支路互补导通，第七开关支路与第八开关支路互补导通，并且，将第一开关支路与第二开关支路进行互锁，将第六开关支路以及第五开关支路进行互锁，使得五电平逆变电路工作在稳态下，此时，第一电容、第二电容以及第三电容均不会出现由于某些开关支路同时导通时导致电容短路的问题。
电平电路 pwm 控制方法控制电路以及逆变器

[发明专利]一种正负电源供电半桥电路的驱动电路及其驱动方法-CN201811367902.3有效
发明人：张志阳;朱伟龙;周向红;王毅;张小龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：所述死区时间设置电路可根据实际使用要求设置死区时间为：100ns～10μs，以避免互补MOS管因共态导通而烧毁；电压自举电路由自举电容和稳压二极管组成，实现对互补MOS管的有效控制；瞬时共态抑制电路通过晶体管开关与对应MOS管的反相控制，抑制互补MOS管“导通”与“关断”状态切换过程中的瞬态共态导通，消除互补MOS管因瞬态共态导通而损坏。
一种正负电源供电电路驱动及其方法

[实用新型]一种正负电源供电半桥电路的驱动电路-CN201821892035.0有效
发明人：张志阳;朱伟龙;周向红;王毅;张小龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：所述死区时间设置电路可根据实际使用要求设置死区时间为：100ns～10μs，以避免互补MOS管因共态导通而烧毁；电压自举电路由自举电容和稳压二极管组成，实现对互补MOS管的有效控制；瞬时共态抑制电路通过晶体管开关与对应MOS管的反相控制，抑制互补MOS管“导通”与“关断”状态切换过程中的瞬态共态导通，消除互补MOS管因瞬态共态导通而损坏。
互补MOS 电压自举共态导通抑制电路共态死区时间设置电路正负电源供电电路半桥电路驱动电路瞬态半桥驱动电路状态切换过程本实用新型晶体管开关稳压二极管反相控制有效控制自举电容导通关断烧毁

[发明专利]一种开关磁阻电机的电流采样方法以及恒转矩控制方法-CN202210314060.5在审
发明人：杜杉杉 -专利权人：宁波方太厨具有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H02P6/28 文献下载
摘要：一种开关磁阻电机的电流采样方法，其特征在于包括如下步骤：一、设置导通相；二、加载PWM脉冲信号，该PWM脉冲信号在每个周期T内的输出配置为互补输出；三、判断当前时刻PWM脉冲信号所运行的通道模式，若运行在主通道模式，则下一步骤四；若运行在互补通道模式，则步骤五；四、对应主通道模式下的导通相进行电流采样，返回步骤三；五、对应互补通道模式下的导通相进行电流采样，返回步骤三。本发明的优点在于：通过在导通相上以PWM互补输出的方式加载脉冲信号，使得在同一个PWM周期内可采样到不同的相电流，防止过流，提高电流采样精度。
一种开关磁阻电机电流采样方法以及转矩控制

[实用新型]互补开关组件及LED驱动电路-CN202221564531.X有效
发明人：刘庆海 -专利权人：宁波奥克斯电气股份有限公司;奥克斯空调股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了互补开关组件及LED驱动电路，涉及开关技术领域。其中，互补开关组件中第一三极管的基极和第二三极管的基极均与输入端连接，第一三极管的集电极和第二三极管的集电极均与输出端连接，第一三极管的发射极与工作电压连接，第二三极管的发射极接地；当输入端输入低电平信号时，互补开关组件中第一三极管导通；当输入端输入高电平信号时，互补开关组件中第二三极管导通，从而实现了互补开关组件中两个三极管中总有一个不导通，导致流过第一三极管和第二三极管的电流始终为零，降低了三极管本身导通造成的电路功耗
互补开关组件 led 驱动电路

[发明专利]降低存储器漏电流的方法-CN200810095832.0无效
发明人：张全仁 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：本发明提供一种降低存储器漏电流的方法，适用于一存储器，此存储器包括：存储单元(memory cell)、等位电路、限流单元(current limiter)、字线与一对互补位线。当存储单元进入预充电模式后，等位电路与限流单元正常操作以对此对互补位线进行预充电操作。然后施加周期性控制信号于限流单元，以控制限流单元的导通或不导通。当限流单元不导通时，存储器的待机漏电流(leakagecurrent)会被阻绝或降低。此待机漏电流由字线与此对互补位线间的短路所造成。
降低存储器漏电方法

[发明专利]一种随机存储器及其位线处理电路-CN202111672140.X在审
发明人：王美锋;王锦楠 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本申请公开了一种随机存储器，该随机存储器包括：存储阵列，包括多条字线、多对互补位线和多个存储单元，列选择电路，包括多个列选通模块，其中，每个列选通模块分别连接一对互补位线对，以基于对应的列选择信号而决定当前互补位线对是否与连接的互补输入输出线对选通；其中，所述列选择信号包括第一列选择信号和第二列选择信号，其中，所述第一列选择信号为正常导通时间的列选择信号，所述第二列选择信号为延长导通时间的列选择信号；当所述随机存储器执行的当前写操作是最后一笔读写操作时，执行所述当前写操作对应的当前列选通模块接收的列选择信号为延长导通时间的第二列选择信号。
一种随机存储器及其处理电路

[发明专利]一种电致变色组件、制造方法和太阳眼镜-CN202210931256.9在审
发明人：唐秀凤;张臣臣;陈浩元;唐岩;张炯 -专利权人：五邑大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种电致变色组件、制造方法和太阳眼镜，涉及电致变色技术领域，所述电致变色组件，包括：导电层；绝缘断面；变色层和互补型变色层，所述变色层和所述互补型变色层均设置于所述导电层上，且所述变色层与所述导电层的正电极导通，所述互补型变色层与所述导电层的负电极导通，所述绝缘断面用于将所述变色层和所述互补型变色层绝缘隔开；电解质层，覆盖于所述变色层和所述互补型变色层上。
一种变色组件制造方法太阳眼镜

[发明专利]读出电路的版图结构和数据读出方法-CN202111347655.2在审
发明人：池性洙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：本公开涉及半导体电路设计领域，涉及一种读出电路的版图结构和数据读出方法，包括：具有相同构造的第一读出电路结构和第二读出电路结构，第一读出电路结构和第二读出电路结构均包括：第一隔离模块，用于根据第一隔离信号导通，电连接位线和第一读出位线，电连接互补位线和第一互补读出位线；第二隔离模块，用于根据第二隔离信号导通，电连接第一读出位线和第二读出位线，电连接第一互补读出位线和第二互补读出位线；感测放大模块，用于第一隔离模块和第二隔离模块导通时，感测并读出存储阵列的数据信号；偏移消除模块，用于根据偏移消除信号，电连接第一互补读出位线与第二读出位线，以提高数据读出的准确性。
读出电路版图结构数据方法

[发明专利]功率转换器及其控制方法-CN202210071119.2有效
发明人：林友实 -专利权人：钰泰半导体股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：该功率转换器包括互补的晶体管和模式切换电路。模式切换电路以第一模式导通互补晶体管中的第一晶体管，使得第一晶体管将输入电压转换成第一输出电压，并以第二模式导通互补晶体管中的第二晶体管，使得第二晶体管将输入电压转换为第二输出电压。该功率转换器组合互补晶体管的输入电压范围，因此具有扩展的功率转换器的输入电压范围。
功率转换器及其控制方法

[发明专利]感测放大电路和数据读出方法-CN202110821488.4在审
发明人：池性洙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：源极连接第二信号端，第一PMOS管和第一NMOS管的漏极连接第一读出位线，栅极连接第二读出位线；第二PMOS管，源极连接第一信号端，第二NMOS管，源极连接第二信号端，第二PMOS管和第二NMOS管的漏极连接第一互补读出位线，栅极连接第二互补读出位线；第一导通单元连接第一读出位线和初始位线，第二导通单元连接第一互补读出位线和初始互补位线；第一驱动单元用于导通第一PMOS管或第一NMOS管，第二驱动单元用于导通第二PMOS管或第二
放大电路数据读出方法

[发明专利]一种有源中点钳位三电平变换器及控制方法-CN202211048339.X有效
发明人：王仕诚;王启行 -专利权人：北京索英电气技术股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H02M7/81 文献下载
摘要：每个桥臂包括依次串联的第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管，还包括两个连接在第二开关管和第三开关管两端的钳位开关管：第五开关管和第六开关管；控制器在调制信号的正半周，控制第一开关管和第五开关管互补导通，第二开关管导通；在调制信号的负半周，控制第四开关管和第六开关管互补导通，第三开关管导通；除在调制信号过零点时刻载波信号的波峰或波谷之前预设时间段内，控制第二开关管和第三开关管互补导通，在预设时间段内，控制第二开关管和第三开关管均导通。
一种有源中点钳位三电平变换器控制方法

[发明专利]保护装置、互补型保护装置、信号输出装置、闩锁阻止方法以及程序-CN201110281264.5有效
发明人：岩佐洋助;甲斐敦浩;黑木修 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明公开一种保护装置、互补型保护装置、信号输出装置、闩锁阻止方法以及程序，目的在于提供能够阻止保护对象的开关元件的闩锁的保护装置、互补型保护装置、信号输出装置以及程序。在过电流不流过PMOS晶体管（106）的状态下使PMOS晶体管（106）成为非导通状态的情况下，以使PMOS晶体管（20A）以及PMOS晶体管（22）分别成为导通状态的方式进行控制，在过电流流过PMOS晶体管（106）的状态下使PMOS晶体管(106)成为非导通状态的情况下，以使PMOS晶体管(20A)成为导通状态并且使PMOS晶体管(22)为非导通状态的方式进行控制。
保护装置互补信号输出装置阻止方法以及程序

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