“岩佐洋助”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体电路、半导体装置以及电位供给电路-CN201510131370.3有效
发明人： 岩佐洋助 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止电平移位器的输出成为不稳定状态，并且切断漏电电流的半导体电路、半导体装置以及电位供给电路。半导体电路具备电平移位器、判定电路、以及偏置电路。偏置电路与复位信号porn相应地供给偏置电压bias。判定电路的PMOS晶体管与复位信号porn相应地导通/截止，PMOS晶体管与偏置电压bias相应地导通/截止。判定电路的NMOS晶体管与电源电压LV相应地导通/截止。PMOS晶体管与NMOS晶体管间的电位作为控制信号node1被供给至HV系电路。HV系电路的PMOS晶体管以及NMOS晶体管被与控制信号node1相应地控制导通/截止。
导通半导体电路判定电路截止电位供给电路半导体装置电平移位器复位信号控制信号偏置电路偏置电压电路电位不稳定状态电源电压漏电电流输出

[发明专利]升压电路、半导体装置、以及升压电路的控制方法-CN201510131368.6有效
发明人： 岩佐洋助 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制升压部的起动的不良状况的升压电路、半导体装置以及升压电路的控制方法。在升压电路(10)中，在基准电压线(25)和升压电压线(27)之间设置有开关元件(16)，开关元件(16)的控制端子与比较器(14)的输出连接。比较器(14)与供给至基准电压线(25)的基准电压VL1的电位和供给至升压电压线(27)的升压电压VL2的电位的电位差相应地控制开关元件(16)的导通/截止。在升压电路(10)中，在升压电路(10)的电源接通时等，升压电压VL2为比基准电压VL1低的电位，且小于比较器(14)的阈值电压的情况下，开关元件(16)成为开启状态，基准电压VL1被供给至升压电压线(27)。
升压电路半导体装置以及控制方法

[发明专利]半导体装置以及测量装置-CN201310415080.2有效
发明人： 岩佐洋助 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明提供具有能够进行更准确的时间测量的时间测量功能的半导体装置。半导体装置（1）包含：振荡器（28）；半导体芯片（30），其具有与振荡器（28）连接的振荡电路（61）、生成与振荡电路（61）的振荡频率对应的频率的计时信号的计时电路（63）以及基于温度信息来修正计时信号的频率的频率修正部（60）；以及与半导体芯片（30）分体的感温元件（27），其检测周围温度并将检测到的温度作为温度信息供给至频率修正部（60）。振荡器（28）以及感温元件（27）被安装在冲模垫（26A）的第一主面（25A）上，半导体芯片（30）被安装在冲模垫（26A）的与第二主面（25A）相反侧的第二主面（25B）上。
半导体芯片半导体装置振荡器主面频率修正部感温元件计时信号温度信息振荡电路冲模垫时间测量功能测量装置计时电路时间测量振荡频率相反侧检测修正

[发明专利]半导体装置以及测量方法-CN201410095488.0有效
发明人： 岩佐洋助 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在较宽范围内高精度地进行测量的半导体装置以及测量方法。这样，在本实施方式的半导体装置（10）中，首先，判定基准振荡与热敏电阻振荡哪个较快，以基准振荡以及热敏电阻振荡的任一较快的一方为基准，对基于另一方的振荡的计数值进行测量。并且，将基于较高的一方的振荡的计数作为基准值，将基于对基准值进行计数时的另一方的振荡的计数值作为测量值。基于基准值和测量值来计算频率比，并基于计算出的频率比，参照表示频率比与温度的对应关系的表来获取温度。
半导体装置以及测量方法

[发明专利]电压比较电路-CN201210585298.8无效
发明人： 岩佐洋助 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明涉及电压比较电路，该电压比较电路直接比较电源电压。具备：连接于VDD1和节点（1）之间的第一PMOS晶体管（12）；连接于节点（1）和VSS之间的第一NMOS晶体管（14）；连接于VDD2和节点（2）之间，且根据与栅极（G3）连接的节点（1）的电压动作的第二PMOS晶体管（16）；连接于节点（2）和VSS之间的第二NMOS晶体管（22），利用CMOS反相器（26）判定节点（2）的电压。
电压比较电路

[发明专利]振荡电路-CN201210195024.8无效
发明人： 岩佐洋助 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种振荡电路，该振荡电路在需要高精度振荡的情况下，能够降低振荡频率的温度依赖性，进行高精度振荡，且在不需要高精度振荡的情况下，能够降低振荡电路的消耗电流。该振荡电路具备：带隙电路，其对调整了温度依赖性的输出电压进行输出；电压-电流转换电路，其具备第1可变电阻，将从带隙电路输出的输出电压转换成与第1可变电阻的电阻值对应的输出电流，基于转换后的输出电流输出偏置电流；CR振荡电路，其具备第2可变电阻、电容以及比较部，以基于第2可变电阻的电阻值和电容的电容值的振荡频率振荡，且比较部根据从电压-电流转换电路输入的偏置电流的电流值进行动作。
振荡电路

[发明专利]保护装置、互补型保护装置、信号输出装置、闩锁阻止方法以及程序-CN201110281264.5有效
发明人： 岩佐洋助;甲斐敦浩;黑木修 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明公开一种保护装置、互补型保护装置、信号输出装置、闩锁阻止方法以及程序，目的在于提供能够阻止保护对象的开关元件的闩锁的保护装置、互补型保护装置、信号输出装置以及程序。在过电流不流过PMOS晶体管（106）的状态下使PMOS晶体管（106）成为非导通状态的情况下，以使PMOS晶体管（20A）以及PMOS晶体管（22）分别成为导通状态的方式进行控制，在过电流流过PMOS晶体管（106）的状态下使PMOS晶体管(106)成为非导通状态的情况下，以使PMOS晶体管(20A)成为导通状态并且使PMOS晶体管(22)为非导通状态的方式进行控制。
保护装置互补信号输出装置阻止方法以及程序