专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种环保型PPS滤袋-CN202223365621.9有效
  • 蔡环;刘园山 - 江苏丰鑫源环保集团有限公司
  • 2022-12-15 - 2023-06-23 - B01D46/02
  • 本申请公开了一种环保型PPS滤袋,包括袋体、封盖和进气口,袋体的顶部设置有封盖,并且封盖上开设有两组安装槽,两组安装槽中部设置有中心中心的中部设置有滑动件,并且滑动件为球形结构,中心的两侧设置有把手,把手与消音板连接,采用了中心、滑槽、滑块、限位件、滑动件和中心,通过限位件将中心进行夹持固定,通过限位件上的滑块在滑槽内滑动,实现中心的旋转活动,满足中心对烟气全方面过滤需求,采用了消音板,消音板背后设置有多组纤维层,提高滤袋对烟气的全方位过滤效率,提高了滤袋的过滤质量,通中心和多组纤维层的组合,使得该PPS滤袋的除尘效率更佳,除尘效率更高。
  • 一种环保pps滤袋
  • [实用新型]发光装置-CN201621089940.3有效
  • 翁健洋 - 辰峯光电股份有限公司
  • 2016-09-28 - 2017-06-27 - F21V5/04
  • 光源设置于容置空间,且入光部具有中心和边缘中心接收主区域光线,边缘连接中心且对应侧边区域光线,边缘具有多个相连的楔形结构,由内向外依序排列,各楔形结构具有入光面及反射面。距离中心最远的楔形结构入光面下端尖点与设置光源的平面的垂直距离为最短,而其他各该楔形结构入光面下端尖点与平面的垂直距离,会随着各该楔形结构与中心的距离增加而减少。
  • 发光装置
  • [实用新型]具有类三角形浮管框架的深水网箱-CN201420469390.2有效
  • 郭根喜;胡昱;陶启友;黄小华;王绍敏 - 中国水产科学研究院南海水产研究所
  • 2014-08-19 - 2014-12-31 - A01K61/00
  • 本实用新型公开了一种具有类三角形浮管框架的深水网箱,包括浮管框架和网衣,浮管框架包括由三根主浮管连接组成的类三角形浮管外框、三根中心浮管和三根加强筋浮管,三根中心浮管分别连接在相邻两根主浮管之间,以使得三根中心浮管与浮管框架围成正六边形中心和环绕该正六边形中心布置的三个类三角形侧边区,三根加强筋浮管分别位于三个类三角形侧边区中并连接在相应的中心浮管与浮管框架顶点部之间,网衣的顶部边沿以内切圆的方式连接在该浮管框架的正六边形中心内,类三角形浮管外框的任意一个或者以上的顶点部位处设有用于连接锚绳的系箱点
  • 具有三角形框架深水网箱
  • [实用新型]一种梅花螺丝及专用螺丝刀-CN202120498324.8有效
  • 张泽清 - 上海连盈螺丝有限公司
  • 2021-03-09 - 2021-11-26 - F16B23/00
  • 该凹槽包括一个中心,从该中心沿径向,向外延伸有5个花瓣、以及连接在5个所述花瓣之间的5个连接。该中心深入到所述螺帽内,并具有槽底。5个花瓣以等角度间隔72°的方式,环绕在中心的周围。花瓣的界限由圆弧壁确定。连接的界限由围绕中心设置的弧形壁确定。圆弧壁的半径是第一半径,弧形壁的半径是第二半径,且该第二半径的值为该第一半径值的1/10至1/2。
  • 一种梅花螺丝专用螺丝刀
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310706710.5在审
  • 朱顺;李逛城;方淼焱;施露安;张文杰;郑标 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-13 - 2023-09-12 - H10B12/00
  • 该形成方法包括:提供衬底,衬底包括中心和外围;在衬底上形成导电层,导电层在衬底上的正投影覆盖中心和所述外围;对导电层进行图案化处理,以在外围形成外围图案;在导电层远离衬底的一侧形成掩膜层,掩膜层包括第一掩膜图案,第一掩膜图案在衬底上的正投影位于中心;以第一掩膜图案为掩膜对导电层进行蚀刻,以在中心形成第一目标图案。本公开提供的方法通过在外围的导电层形成外围图案,并以具有第一掩膜图案的掩膜层为掩膜对导电层进行蚀刻,以克服中心和外围由于负载效应而带来的高度差问题,提高了图案化工艺的精准度,进而提升了器件的良率。
  • 半导体结构及其形成方法

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