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[发明专利]一种气体分布器及其在HCl氧化流化床中的应用-CN202010233613.5有效
发明人：刘一;周波;衡华;魏立彬;李源;张宏科 -专利权人：万华化学集团股份有限公司;万华化学（宁波）有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B01J8/34 文献下载
摘要：所述气体分布器包括气体分布板，气体分布板分为圆形的中心区以及圆环形的边壁区；气体分布板上均匀开设有进气孔，各个进气孔上方均通过金属盖板封闭固定一个多孔风帽；所述多孔风帽为SIC多孔烧结风帽。中心区的多孔风帽倾斜面与水平方向的夹角小于边壁区，且中心区的多孔风帽的壁面厚度大于边壁区。本发明可以解决流化床气体分布不均匀、流化质量不佳、反应器内件冲刷腐蚀以及催化剂磨损粉化的技术问题。
一种气体分布及其 hcl 氧化流化床中的应用

[发明专利]具有窄激光发射角度的多模垂直腔面发射激光器-CN201310109611.5无效
发明人：玉贯岳正 -专利权人：新科实业有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明的上DBR镜的上高折射率层具有一中心区及一边缘区。所述中心区具有相对所述边缘区向激光发射的方向突出的一凸起。其中，所述垂直腔面发射半导体激光器满足下列关系式：dp×n=(1/4+N/2)×λ，及dc×n=dp×n+(1/4+M/2)×λ，其中，λ为真空中所述激光的波长；dc为所述上高折射率层的中心区的膜厚度；dp为所述上高折射率层的边缘区的膜厚度；n为所述上高折射率层的折射率；及N、M为零或自然数。
具有激光发射角度垂直激光器

[实用新型]一种篦冷机供风系统-CN202223587576.1有效
发明人：李耀波;程远伟;马东军;李红星;于洋;姜文涛;李智鑫 -专利权人：喀喇沁草原水泥有限责任公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： F27D15/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及篦冷机熟料冷却装置技术领域，特别是一种篦冷机供风系统，包括篦冷机固定斜坡(1)、多于一个鼓风机(2)；所述篦冷机固定斜坡(1)与水平夹角为10°；所述篦冷机固定斜坡(1)分为中心区(11)与四周区(12)，在中心区(11)与四周区(12)对应的篦冷机固定斜坡(1)下部位置设置隔风档板(13)，多个所述鼓风机(2)分别向所述中心区(11)与所述四周区(12)鼓风。
一种篦冷机供风系统

[发明专利]冷却塔的换热装置-CN201410307376.7有效
发明人：闵健;刘学民;腾东玉;张宇;严四华;田红霞;张彤燕;赵虎军 -专利权人：国电龙源电力技术工程有限责任公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： F28C1/00 文献下载
摘要：喷溅机构包括具有入水口和多个出水口的配水系统和具有第一组喷嘴、第二组喷嘴和第三组喷嘴的喷嘴群，其中由第一组喷嘴、第二组喷嘴和第三组喷嘴形成的冷却平面与塔筒的轴线垂直相交；冷却平面包括布置有第一组喷嘴的中心区、布置有第二组喷嘴的内部区和布置有第三组喷嘴的外围区；中心区、内部区和外围区均呈环状且在塔筒径向上中心区、内部区和外围区依次设置，填料机构包括在塔筒的径向上依次设置的第一区域、第二区域和第三区域，第一区域和第二区域分别在塔筒轴线方向上与中心区和内部区投影对应，第一区域的淋水密度小于第二区域的淋水密度。
冷却塔装置

[实用新型]冷却塔的换热装置-CN201420358711.1有效
发明人：闵健;刘学民;腾东玉;张宇;严四华;田红霞;张彤燕;赵虎军 -专利权人：国电龙源电力技术工程有限责任公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： F28C1/00 文献下载
摘要：包括喷溅机构和填料机构，喷溅机构包括具有入水口和多个出水口的配水系统和具有第一组喷嘴、第二组喷嘴和第三组喷嘴的喷嘴群，由第一组喷嘴、第二组喷嘴和第三组喷嘴形成的冷却平面与塔筒轴线垂直相交；冷却平面包括布置有第一组喷嘴的中心区、布置有第二组喷嘴的内部区和布置有第三组喷嘴的外围区；中心区、内部区和外围区均呈环状且在塔筒径向上中心区、内部区和外围区依次设置，填料机构包括在塔筒的径向上依次设置的第一区域、第二区域和第三区域，第一区域和第二区域分别在塔筒轴线方向上与中心区和内部区投影对应，第一区域的淋水密度小于第二区域的淋水密度。
冷却塔装置

[发明专利]一种熔盐堆堆芯-CN201810146205.9有效
发明人：朱贵凤;邹杨;康旭忠;戴叶;周波;严睿;邹春燕 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： G21C3/32 文献下载
摘要：该熔盐堆堆芯包括活性区和反射层，反射层包覆活性区，活性区由燃料组件阵列组装而成；活性区熔盐通道的体积占活性区体积的2‑25％；活性区包括中心区域和边缘区域，中心区域与边缘区域的体积比为1/15‑1/8；中心区域单个熔盐通道的体积占边缘区域单个熔盐通道的体积的40‑50％；削棱为被弧削侧棱。本发明的熔盐堆堆芯的熔盐通道位于燃料组件的侧棱处，具有较大的空间自屏效应调节范围，能降低辐照引起的形变应力，窄缝与熔盐通道连通使堆芯熔盐能横向混流，利于传热，避免死区，降低堆芯中心区域石墨的快中子辐照率
堆芯活性区熔盐通道熔盐中心区域边缘区域燃料组件反射层侧棱可调节流量快中子辐照上下腔室收口结构形变应力阵列组装传热辐照快中子体积比石墨包覆混流死区窄缝连通合金分配

[实用新型]一种地下施工防水阻隔装置-CN201921343456.2有效
发明人：李宏飞;王志强;刘晓辉 -专利权人：中铁十二局集团第二工程有限公司;中铁十二局集团有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： E02D19/12 文献下载
摘要：包括帖墙边、滑动板和中心区，滑动板两端连接中心区，滑动板上设有堵漏器，中心区两端连接延伸板，延伸板内嵌套有调节杆，调节杆可伸缩调节，调节杆另一端与帖墙边焊接连接，帖墙边放在阻隔地面墙边，确定宽度，调节杆通过延伸板抽拉至合适长度，帖墙边与中心区及两侧延伸板形成阻隔区，其外围围堆一圈防水沙作密封，形成阻隔区，然后使用者将堵漏器从滑动板轨道上进行拆卸，其拆卸数量根据地漏数量进行确定，然后将堵漏口的内部填充防水沙，起到防水阻隔的作用
一种地下施工防水阻隔装置

[发明专利]一种接触式弹片组的制作方法-CN201911033352.6有效
发明人：史雷 -专利权人：南京晶捷生物科技有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01R43/16 文献下载
摘要：本发明所提供的接触式弹片组制作方法，包括以下步骤：获取一平板，平板包括依次连接的第一板、第一中心区和第二板；将第一中心区加工成第二中心区，并得到弹片板，第二中心区包括多个平行设置的条状弯曲板，条状弯曲板的一端与第一板连接，另一板与第二板连接，多个条状弯曲板均设置有用于连接电子器件的触点，多个触点形状和大小均相同；使所述第二中心区与所述第一板和所述第二板分离，得到多个弹片。
一种接触弹片制作方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011263278.X在审
发明人：赵振阳;纪世良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括若干沿第一方向延伸的第一待刻蚀区，第一待刻蚀区包括沿第二方向排布的边缘区和中心区，且所述边缘区位于所述中心区两侧并与所述中心区相邻，基底上具有待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成若干相互分立的初始掩膜结构，初始掩膜结构沿第二方向延伸，且若干所述初始掩膜结构沿第一方向排列；刻蚀所述边缘区上的初始掩膜结构，直至暴露出待刻蚀材料层表面，形成若干掩膜结构；以掩膜结构为掩膜，刻蚀所述待刻蚀材料层，形成若干相互分立的待刻蚀层，且所述待刻蚀层沿第二方向延伸；去除所述中心区上的待刻蚀层，直至暴露出所述基底表面。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种用于水去氚化的内环流反应器及其实现方法-CN201610176516.0有效
发明人：李佩龙;熊仁金;姜飞;杨雷;宋江锋;张志;罗军洪;陈长安;罗德礼 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G21F9/06 文献下载
摘要：本发明公开用于水去氚化的内环流反应器，包括顶盖、外筒、中心区进气管、环隙区进气管、烧结板、导流筒、θ环填料、含氚水进水管、含氚氢气排气管、环管式分布器和低氚水出水管；顶盖设在外筒顶部，环管式分布器位于外筒内部，含氚水进水管和含氚氢气排气管均与外筒内部连通，且含氚水进水管连接环管式分布器；导流筒将外筒内部底部空间分为中心区和环隙区，中心区进气管与导流筒连通；环隙区进气管与外筒底部连通；烧结板固定在外筒内部；θ环填料填装于中心区和环隙区内；低氚水出水管与环隙区连通。
一种用于水去氚化环流反应器及其实现方法

[发明专利]虚拟地图中的瓦片地图生成方法、更新方法和装置-CN201611184141.9有效
发明人：刘欢;郑容艳 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G09B29/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种虚拟地图中的瓦片地图生成方法、更新方法和装置，该更新方法包括：在第一区域中确定虚拟对象所在的中心区域，其中，该第一区域是该虚拟对象所在的虚拟地图中已经加载的瓦片地图构成的区域地图，该中心区域的边界位于该第一区域的内部；在该虚拟对象移动出该中心区域后，确定距离参数，并根据该距离参数和该第一区域，更新该第一区域和第二区域中不共有的瓦片地图的加载状态，其中，该距离参数表示该虚拟对象所在的瓦片地图相对于该中心区域在该瓦片地图坐标系的横坐标轴方向和纵坐标方向的相对距离，该第二区域为将该第一区域按照该距离参数进行移动后确定的地图区域。
虚拟地图中的瓦片生成方法更新装置

[实用新型]一种用于水去氚化的内环流反应器-CN201620237459.8有效
发明人：李佩龙;熊仁金;文明;邓立;宋江锋;张志;喻彬;陈闽;陈克琳 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： G21F9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开用于水去氚化的内环流反应器，包括顶盖、外筒、中心区进气管、环隙区进气管、烧结板、导流筒、θ环填料、含氚水进水管、含氚氢气排气管、环管式分布器和低氚水出水管；顶盖设在外筒顶部，环管式分布器位于外筒内部，含氚水进水管和含氚氢气排气管均与外筒内部连通，且含氚水进水管连接环管式分布器；导流筒将外筒内部底部空间分为中心区和环隙区，中心区进气管与导流筒连通；环隙区进气管与外筒底部连通；烧结板固定在外筒内部；θ环填料填装于中心区和环隙区内；低氚水出水管与环隙区连通。
一种用于水去氚化环流反应器

[实用新型]一种用于半导体处理腔的上盖-CN202320150470.0有效
发明人：庞云玲;陶珩;丛海;姜勇 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：半导体处理腔的上部包括开孔，开孔上设置上盖，上盖与半导体处理腔形成处理空间，承压壳体包围至少部分上盖，当上盖设置在开孔上时，上盖具有一朝向处理空间的下表面和一朝向密闭空间的上表面，上盖包括：窗口和环绕窗口的外沿，窗口包括窗口中心区和包围窗口中心区的窗口边缘区，窗口边缘区与外沿连接，窗口中心区的下表面与窗口边缘区的下表面的最大高度差大于28毫米小于等于50毫米，窗口边缘区的下表面具有第一斜面，第一斜面的两端分别与外沿的下表面和窗口中心区的下表面相连。
一种用于半导体处理

[发明专利]双谷带花瓣形容器基底-CN201280024631.6有效
发明人： M·布科布扎;S·梅耶雷斯;L·佩内 -专利权人：西德尔合作公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： B65D1/02 文献下载
摘要：的支脚（5）从底壁凸伸出，顶部共同形成内接于靠置圆中的底座，靠置圆的直径（B）与周边（7）的直径（A）之比小于4/5，支脚（5）两两地被底壁（4）的形成凹陷状的谷带（12）的部分分开，这些谷带从基底的中心区（6）径向延伸直到周边（7），每个谷带（12）包括相邻的两个区部即：中心区部（17），其从基底（3）的中心区（6）延伸到与靠置圆竖向相对的接合区（18），在径向平面中具有第一曲率半径（C）；周边区部（19），其从接合区（18）延伸直到周边（7），在径向平面中具有第二曲率半径（D），周边区部（19）相对于中心区部（17）向容器（1）外偏移，接合区（18）形成凹部（20）。
双谷带花瓣形容基底

[发明专利]双面雪崩光电二极管及其制备方法-CN202111649722.6在审
发明人：康晓旭;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本申请提供一种双面雪崩光电二极管及其制备方法，包括第一类型衬底，第一类型衬底具有第一表面、第二表面和中心区，第一PN结和第二PN结间隔分布于中心区中，第一PN结位于中心区的靠近第一表面的一侧，第二PN结位于中心区的靠近第二表面的一侧，第一PN结和第二PN结均包括电性连接的第一类型区和第二类型区；第一类型电连接部和第二类型电连接部均靠近第一类型衬底的表面；第一类型连接部电性连接第一类型区和第一类型电连接部，第二类型连接部电性连接第二类型区和第二类型电连接部；防反射层覆盖第一表面，并形成光入射口；反射层至少覆盖位于中心区的第二表面。本申请能够增大耗尽区的厚度，提高入射光的吸收效率。
双面雪崩光电二极管及其制备方法