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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种用于对高压放电灯的不含氧化钍的钨电极的热处理方法-CN200580011896.2有效
发明人： G·赫宾豪斯;J·默西 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01J9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种对用于高压放电灯的具有纤维状微观结构的、不含氧化钍的钨电极的热处理方法，一种不含氧化钍的钨电极，一种制造至少具有一个不含氧化钍的这种钨电极的高压气体放电灯的方法，一种至少具有一个不含氧化钍的这种钨电极的高压气体放电灯
一种用于高压电灯氧化电极热处理方法

[发明专利]聚碳二亚胺组合物、聚碳二亚胺组合物的制造方法、水分散组合物、溶液组合物、树脂组合物及树脂固化物-CN201780085691.1有效
发明人：山下达也;中川俊彦;清野真二;坂田一树;森田广一;三尾茂;山崎聪 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C08G18/09 文献下载
摘要：聚碳二亚胺组合物为具有伯异氰酸酯基的多异氰酸酯与醇类的反应产物，醇类包含含有氧乙烯基的至少1种含氧乙烯基的醇、和不含有氧乙烯基的至少1种不含氧乙烯基的醇，至少1种不含氧乙烯基的醇的溶解度参数为11.20
聚碳二亚胺组合制造方法水分溶液树脂固化

[发明专利]等离子体灰化方法-CN200480029808.7有效
发明人： C·华德费得;O·伊斯寇希亚;韩清源;T·布克雷;P·沙克席威尔 -专利权人：艾克塞利斯技术公司
申请日： 2004-08-11 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在低k材料存在时从半导体衬底除去光刻胶的基本不含氧和不含氮的等离子体灰化方法，包括通过暴露等离子体气体组合物到能源形成等离子体来形成反应性物质。所述等离子体气体组合物基本不含含氧和含氮气体。通过暴露光刻胶到基本不含氧和氮的反应性物质，等离子体从包含低k材料的底层衬底选择性除去光刻胶。该方法可用于含碳的低k介电材料。
等离子体灰化方法

[发明专利]氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法-CN202210169567.6有效
发明人：闫其昂;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物外延层的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底；S2、通入不含氧前驱体源，在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层；S3关闭不含氧前驱体源，通入含氧前驱体源，在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层；S4、关闭氮源，通入含氧前驱体源，进行热退火处理；S5、关闭含氧前驱体源，通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构；S6、通入不含氧前驱体源，在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层，得到具有坑洞结构的氮化物外延层。
氮化物外延结构制备方法

[发明专利]光学元件及光拾取装置-CN200510009123.2无效
发明人：德弘节夫;太田达男 -专利权人：柯尼卡美能达精密光学株式会社
申请日： 2005-02-03 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：一种用波长350～450nm的光束照射的光学元件，该元件包括合成树脂基材；和在所述合成树脂基材上设置的防反射膜，该防反射膜包括与与所述合成树脂基材接合的接合层，其中该接合层是由不含氧原子的材料形成的膜，或者是由不含氧原子的材料和含氧原子的材料的混合材料形成的膜，该混合材料中含氧原子的材料的含量不高于10％。
光学元件拾取装置

[发明专利]不含氧矿物包裹体水提取系统及其应用和应用方法-CN201910698726.X有效
发明人：蔡应雄;邱啸飞;杨红梅;谭娟娟 -专利权人：中国地质调查局武汉地质调查中心(中南地质科技创新中心)
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01N1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种不含氧矿物包裹体水提取系统及其应用和应用方法。本发明的一种不含氧矿物包裹体水提取系统，包括爆裂部、收集纯化部和用以控制所述爆裂部和收集纯化部的真空度的真空控制装置。本发明的一种不含氧矿物包裹体水中氢、氧同位素分析装置，包括上述的一种不含氧矿物包裹体水提取系统和对提取出的水进行氢、氧同位素分析的EA‑IRMS。本发明的分析方法，利用上述的分析装置。本发明在提取包裹体水时能对其进行纯化处理，消除包裹体中含氢组分，如CH4、H2S等和含氧组分，如：CO
不含氧矿物包裹提取系统及其应用方法

[实用新型]新型异质结电池-CN202222968859.4有效
发明人：潘国鑫;鲍少娟;杨立友;王继磊;黄金;杨文亮;师海峰;孔青青;和青青 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司;晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：包括N型单晶硅片，N型单晶硅片正面依次沉积有正面本征非晶层薄膜、正面SiO2层、正面掺杂层薄膜、正面不含氧透明导电薄膜层、正面含氧透明导电薄膜层和正面金属栅线层，N型单晶硅片背面依次沉积有背面本征非晶层薄膜、背面SiO2层、背面掺杂层薄膜、背面不含氧透明导电薄膜层、背面含氧透明导电薄膜层和背面金属栅线层。SiO2层可以提高电池在长波段光强的吸收，提高电池的短路电流，有效对非晶硅层表面断键进行钝化；通过引入不含氧透明导电薄膜层，可以大幅增强电池片的钝化效果，增大电池的开路电压和短路电流
新型异质结电池

[发明专利]光掩模坯件、光掩膜及其制造方法-CN200580029571.7无效
发明人：吉川博树;稻月判臣;木名濑良纪;冈崎智;原口崇;岩片政秀;高木干夫;福岛祐一;佐贺匡 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：在光掩模基板11的一个主面上具备金属膜作为遮光层12，所述金属膜不被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类干蚀刻)实质性地蚀刻、而且可以被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类干蚀刻)及氟类干蚀刻(F类干蚀刻)蚀刻。然后在该遮光层12上具有金属化合物膜作为防反射层13，所述金属化合物膜不会被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类)实质性地蚀刻、而且可以被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类)或氟类干蚀刻(F类)中的至少一种蚀刻。
光掩模坯件光掩膜及其制造方法

[发明专利]用于跨越键合界面传输电荷的结构、系统和方法-CN201780011255.X在审
发明人：汉斯·凡肯尼尔 -专利权人： G射线瑞士公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：当界面缺陷被从浅注入扩散到界面的氢钝化时，不含氧化物的低温晶片键合准许电流穿过共价键合界面，而不受陷阱、复合中心和无意的缺陷引起的阻隔屏障的阻碍。包括与钝化界面状态的不含氧化物的低温共价晶片键合的系统和方法用于需要减少界面散射和载流子捕获以及跨越键合界面的有效电荷收集的各种应用中。
含氧化物载流子低温晶片键合传输电荷钝化界面复合中心共价键合键合界面界面缺陷晶片键合有效电荷氢钝化散射共价键合捕获准许阻隔陷阱穿过屏障扩散阻碍应用

[发明专利]一种非极性溶剂合成高纯度三甲基铝的方法-CN202010883156.4有效
发明人：陈飞彪;贾军纪;雷志伟;谢贤清;邱曾烨;廖维林;曹芳 -专利权人：江西佳因光电材料有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C07F5/06 文献下载
摘要：:Sub>H9Al2X3，X为Cl、Br或I）为原料，与卤甲烷的格氏试剂在不含氧的非极性的惰性溶剂里反应制备高纯度三甲基铝，将格氏试剂的含氧极性溶剂用不含氧的非极性溶剂替代，在反应过程中不存在三甲基铝与醚类化合物的的络合物，使得三甲基铝的收率和纯度提高。
一种极性溶剂合成纯度甲基方法

[发明专利]富硅氧化物的制造方法及半导体器件的制造方法-CN200610100110.0无效
发明人：李正贤;房想奉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：所述制造SRO的方法包括如下步骤：向所述衬底上吸收不含氧的第一硅源气体并通过含氧反应气体和所述第一硅源气体之间的氧化反应形成SiO₂层；以及通过不含氧的第二硅源气体和对应于所述第二硅源气体的反应气体之间的还原反应形成
氧化物制造方法半导体器件

[发明专利]一种玻璃粉及其制备方法以及一种太阳能电池用导电浆料-CN201010557210.2有效
发明人：舒剑;李金儡;周勇 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种玻璃粉，包含氧化铋、氧化钛、氧化锌、氧化锑、含或不含氧化碲、含或不含氧化钼和氧化硒，以所述玻璃粉的总重量为基准，各组分的重量百分含量为：氧化铋：30wt%-70wt%；氧化钛：1wt%-另外，本发明还涉及上述玻璃粉的制备方法以及采用上述玻璃粉制作的太阳能用导电浆料；本发明的玻璃粉不含铅和硼，对环境无危害，用于制作太阳能用导电浆料，制备得到的太阳能电池的光电转换效率较高。
一种玻璃粉及其制备方法以及太阳能电池导电浆料

[发明专利]脉冲能量技术制备高杀菌性纳米Ag‑Cu合金粉的方法-CN201610074288.6有效
发明人：陈黎亮;王宇航;南小龙;卢成嘉;孟川民;祝文军 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：一种脉冲能量技术制备高杀菌性纳米Ag‑Cu合金粉的方法，其特征在于该方法的步骤依次是A)将Ag和Cu按比例熔炼在一起，其中按原子百分比40％≤Ag≤90％，制得非固溶的Ag‑Cu靶材；预备脉冲激光器(1)、不含氧元素的液体(3)、容器(4)、支架(6)；B)将靶材固定在支架(6)上置于容器(4)中，容器(4)中倒入不含氧元素的液体(3)，使靶材完全浸没在不含氧元素的液体(3)中；C)使脉冲激光器(1)产生脉冲激光(2)对靶材进行烧蚀
脉冲能量技术制备杀菌纳米 ag cu 合金粉方法

[发明专利]充气饮料-CN95110402.0无效
发明人：管益增 -专利权人：管益增
申请日： 1995-03-28 - 公布日： 1996-10-02 - 主分类号： A23L2/54 文献下载
摘要：一种主要由饮料用水、定压下饱和的可饮用气体和含有或不含有添加剂组成的充气饮料，其中，饮料用水可以是矿泉水或常规饮料用水，可饮用气体可以是氧气或二氧化碳气。可制成含氧矿泉水、含二氧化碳气矿泉水、含氧汽水、含氧代糖汽水、含氧盐汽水、含氧运动员饮料、含氧可乐等一系列新型充气饮料。口感、价格，可以为公众接受，可作为现有技术的汽水、矿泉水的更新换代产品。
充气饮料

[发明专利]光掩模坯料及光掩模的制造方法-CN201080056696.X有效
发明人：小岛洋介;吉川博树;稻月判臣;小板桥龙二 -专利权人：凸版印刷株式会社;信越化学工业株式会社
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：在含有铬、在氟类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的遮光膜（13）之上，层叠不含有铬、在氟类干式蚀刻且含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的膜（14）。
光掩模坯料制造方法

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