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[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN202111392945.9在审
发明人：李源祥 -专利权人： RFHIC公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供拥有漏极场板(140)的高电子迁移率晶体管。漏极场板(140)形成在高电子迁移率晶体管的栅极(118)与漏极(104)之间的区域内。漏极场板(140)包含具有投影区域大于漏极垫(104)的金属垫。M‑S肖特基结构的电容在半导体区域(102)产生电容，提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的击穿电压。可移除在有源区(203)下的衬底(100)部分，从而提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的热传导性及降低结温度。
电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201780042843.X有效
发明人：李源祥 -专利权人： RFHIC公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供拥有漏极场板(140)的高电子迁移率晶体管。漏极场板(140)形成在高电子迁移率晶体管的栅极(118)与漏极(104)之间的区域内。漏极场板(140)包含具有投影区域大于漏极垫(104)的金属垫。M‑S肖特基结构的电容在半导体区域(102)产生电容，提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的击穿电压。可移除在有源区(203)下的衬底(100)部分，从而提高高电子迁移率晶体管的晶体管构件的热传导性及降低结温度。
电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201210372508.5有效
发明人：唐武;郭涵 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术。本发明解决了现有高电子迁移率晶体管栅漏电流较大的问题，提供了一种高电子迁移率晶体管，其技术方案可概括为：高电子迁移率晶体管，包括栅极金属、源极金属、漏极金属、基底、缓冲层、沟道层及势垒层，其特征在于，所述基底上外延生长有插入层本发明的有益效果是，提高器件的性能，适用于高电子迁移率晶体管。
电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201210526107.0有效
发明人：黄仁俊;吴在浚;李在垣;崔孝枝;河种奉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管。该高电子迁移率晶体管包括第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、以及形成在第二半导体层上的反二极管栅结构。
电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201310139313.0在审
发明人：刘柏均;喻中一;陈祈铭;江振豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及高电子迁移率晶体管(HEMT)内的双层AlGaN供体层和相关的制造方法，该高电子迁移率晶体管被配置为提供低电阻欧姆源极和漏极接触件以降低功率消耗同时在HEMT的沟道内保持二维电子气(2DEG)的高迁移率。双层AlGaN供体层包括Al_zGa_(1-z)N迁移率提高层和设置在迁移率提高层的上方的Al_xGa_(1-x)N电阻降低层GaN沟道层(其中存在2DEG)设置在迁移率提高层的下方以形成HEMT的沟道。
电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201910444502.6在审
发明人：刘柏均;喻中一;陈祈铭;江振豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及高电子迁移率晶体管(HEMT)内的双层AlGaN供体层和相关的制造方法，该高电子迁移率晶体管被配置为提供低电阻欧姆源极和漏极接触件以降低功率消耗同时在HEMT的沟道内保持二维电子气(2DEG)的高迁移率。双层AlGaN供体层包括Al_zGa_(1‑z)N迁移率提高层和设置在迁移率提高层的上方的Al_xGa_(1‑x)N电阻降低层GaN沟道层(其中存在2DEG)设置在迁移率提高层的下方以形成HEMT的沟道。
高电子迁移率晶体管迁移率漏极接触供体层沟道源极二维电子气电阻降低高迁移率降低功率低电阻消耗配置制造

[发明专利]半导体器件、制造方法以及晶体管电路-CN201410363381.X在审
发明人：竹前义博;细田勉;佐藤俊哉 -专利权人：创世舫电子日本株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。
半导体器件制造方法以及晶体管电路

[发明专利]半导体器件、制造方法以及晶体管电路-CN201210031265.9有效
发明人：竹前义博;细田勉;佐藤俊哉 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。
半导体器件制造方法以及晶体管电路

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201910298721.8在审
发明人：杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，该制作高电子迁移率晶体管的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成第一阻障层于该缓冲层上，形成一图案化掩模于第一阻障层上，形成一第二阻障层于图案化掩模两侧，去除该图案化掩模以形成一凹槽
电子迁移率晶体管

[实用新型]高电子迁移率晶体管-CN201922013785.7有效
发明人： F·尤克拉诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及高电子迁移率晶体管。一种高电子迁移率晶体管，包括：异质结构；异质结构上的电介质层；在贯穿电介质层的厚度上延伸的栅极电极；源极电极；以及漏极电极。
电子迁移率晶体管

[发明专利]开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器-CN201710725884.0在审
发明人：李媛媛;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关器件封装结构、空调器的电控板以及空调器，开关器件封装结构包括基板，基板上设置有第一金属布线框；高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管采用倒装的方式设置在第一金属布线框上；设置于基板之上的MOSFET，MOSFET与高电子迁移率晶体管串联，其中，高电子迁移率晶体管的栅极与MOSFET的源极相连后作为开关器件的源极，高电子迁移率晶体管的源极与MOSFET的漏极相连，MOSFET的栅极作为开关器件的栅极，高电子迁移率晶体管的漏极作为开关器件的漏极，MOSFET的Vds电压值的绝对值与高电子迁移率晶体管的Vgs电压值的绝对值相等，从而能承受高电压且更节能、更适用于高频使用，而且可降低驱动设计要求，还可增加高电子迁移率晶体管部分的散热性能
开关器件封装结构空调器电控板以及

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201710220931.6在审
发明人：李宝国;陈容传;多新中;马勇 -专利权人：北京华通芯电科技有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开涉及一种高电子迁移率晶体管，包括：衬底、沟道层、势垒层、漏极、栅极、源极以及多个保护层，衬底、沟道层、势垒层由下至上依次堆叠，源极和漏极分别形成在势垒层上表面的左右两端，栅极形成在源极和漏极之间且分别与源极和漏极间隔通过本公开的技术方案，可以在不增加高电子迁移率晶体管导通电阻的情况下提高其击穿电压，同时减少寄生输入电容和反馈电容。
保护层漏极势垒层源极高电子迁移率晶体管屏蔽层上表面钝化层沟道层衬底寄生输入电容导通电阻堆叠设置反馈电容击穿电压栅极形成堆叠投影垂直覆盖

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201810623122.4在审
发明人：张昇;魏珂;张一川 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供了一种HEMT。该HEMT包括依次叠置设置的衬底、第一半导体层和第二半导体层，且第二半导体层的材料的带隙宽度大于第一半导体层的材料的带隙宽度，HEMT还包括位于第二半导体层的远离第一半导体层的表面上的栅极和钝化层，钝化层包括位于栅极一侧且设置在第二半导体层的表面上的钝化部，钝化部的厚度小于栅极的厚度，HEMT还包括设置在钝化部的远离第二半导体层表面上的场板。该HEMT在提高器件的工作电压的同时保证了器件的寄生电容较小。
半导体层钝化钝化层带隙高电子迁移率晶体管半导体层表面工作电压寄生电容场板衬底叠置申请保证

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201710636270.5在审
发明人：吴绍飞 -专利权人：吴绍飞
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层隔离势垒层与隔离沟道层界面上，缓变势垒层与辅沟道层界面上，势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明可避免高场应力下的电流崩塌，降低源漏极欧姆接触电阻，可用作高温高频高可靠大功率器件。
势垒层隔离势垒层高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻隔离沟道层缓变势垒层电流崩塌辅沟道层主沟道层介质层源漏极大功率器件二维电子气高势垒层成核层高可靠衬底高场可用漏极源极

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201710884530.0在审
发明人：刘梅 -专利权人：南京誉凯电子科技有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的电流崩塌严重和源漏极欧姆接触电阻大的问题。(1)、成核层(2)、主沟道层(3)、势垒层(4)、介质层(13)；势垒层(4)顶端两侧分别为源极(10)和漏极(12)，中间为栅极(11)，势垒层(4)上依次增加有辅沟道层(5)、缓变势垒层(6)、高势垒层隔离势垒层与隔离沟道层界面上，缓变势垒层与辅沟道层界面上，势垒层和主沟道层界面上分别形成有二维电子气2DEG。本发明可避免高场应力下的电流崩塌，降低源漏极欧姆接触电阻，可用作高温高频高可靠大功率器件。
势垒层隔离势垒层高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻隔离沟道层缓变势垒层电流崩塌辅沟道层主沟道层介质层源漏极大功率器件二维电子气高势垒层成核层高可靠衬底高场可用漏极源极

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