专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201410020129.9有效
  • 薄岛章弘;神山雅充;宫崎靖守 - 创世舫电子日本株式会社
  • 2014-01-16 - 2017-04-12 - H01L29/778
  • 公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置包括衬底;氮化物半导体层,被形成在衬底上并包括有源区和元素隔离区,惰性原子被引入元素隔离区中;源电极,被形成在有源区中的氮化物半导体层上;栅电极,与源电极分开地被形成在有源区中的氮化物半导体层上;以及漏电极,与栅电极分开地被形成在有源区中的氮化物半导体层上,漏电极包括端部,该端部被设置为与元素隔离区与有源区之间的边界分开第一距离,其中第一距离大于第二距离,该第二距离是从元素隔离区扩散到有源区的惰性原子的浓度变为第一浓度的距离,有源区中的在惰性原子的浓度高于第一浓度的位置处的电子密度低于有源区的中心部分中的电子密度。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN201310325362.3有效
  • 吉川俊英 - 创世舫电子日本株式会社
  • 2013-07-30 - 2017-03-01 - H01L29/778
  • 本发明提供半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体层;形成在第一半导体层上的第二半导体层和第三半导体层;形成在第三半导体层上的第四半导体层;形成在第四半导体层上的栅电极;以及形成为与第二半导体层接触的源电极和漏电极。第三半导体层和第四半导体层形成在栅极正下方的区域中,第四半导体层由p型半导体材料形成,并且第二半导体层和第三半导体层由AlGaN形成,以及第三半导体层具有比第二半导体层的Al组成比低的Al组成比。
  • 半导体器件以及制造方法

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