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[发明专利]一种高储能密度聚合物复合电介质材料的制备方法-CN201810289590.2在审
发明人：张全平;孙囡;周元林;朱文凡;梁东明 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C08L83/10 文献下载
摘要：本发明属于新材料制备领域，公开了一种高储能密度聚合物复合电介质材料的制备方法，综合考虑了聚合物复合电介质材料的介电常数、介电损耗及击穿强度等的影响因素，能够有效地体现介电陶瓷的高介电常数和聚合物的高击穿强度与低介电损耗，获得高储能密度的聚合物复合电介质材料，采用本发明制备的聚合物复合电介质材料，频率为一兆赫兹条件下材料的介电常数为200，介电损耗为0.012；材料的击穿强度为122kV/mm‑1，10kV/mm‑1条件下储能密度为
复合电介质材料聚合物制备高储能击穿密度聚合物介电常数介电损耗低介电损耗高介电常数工艺稳定介电陶瓷影响因素综合考虑有效地储能应用

[发明专利]一种高电压泄流保护封装材料的制备方法-CN201510246075.2有效
发明人：冯玉军;田晶晶;刘阳 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压泄流保护封装材料的制备方法，包括以下步骤：将含有Ti元素、Zn元素或Sn元素的溶液放置到容器内，加热反应生成氧化物结晶体，所述氧化物结晶体经研磨后加入到有机电介质溶液中，然后搅拌所述有机电介质溶液使氧化物结晶体均匀分散到有机电介质溶液的上表面，并在所述有机电介质溶液的上表面形成悬浮液体，取出所述悬浮液体，得高电压泄流保护封装材料。本发明制备的高电压泄流保护封装材料具有优良的粘接性和柔韧特性，并且具有低电压为电绝缘体、高电压为电导体的特性。
一种电压保护封装材料制备方法

[实用新型]陶瓷天线-CN200920282437.3无效
发明人：徐锋 -专利权人：徐锋
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型提供的陶瓷天线，包括陶瓷高电介质基材、天线辐射体和辐射板，该天线辐射体以设定的厚度设置在所述陶瓷高电介质基材的表面，并且在该陶瓷高电介质基材的表面形成特定的形状，所述天线辐射体在陶瓷高电介质基材表面形成的形状为长方形
陶瓷天线

[发明专利]具有高储能密度夹层聚丙烯复合电介质及其制备方法-CN202210101389.3有效
发明人：闵道敏;蔡姝娆;糜芮;武庆周;王威望;李盛涛 -专利权人：西安交通大学;中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B29D7/01 文献下载
摘要：本发明公开了具有高储能密度夹层聚丙烯复合电介质及其制备方法，本发明公开了一种制备具有高储能密度夹层结构聚丙烯纳米复合电介质的方法，(1)将聚丙烯基料添加在高温的转矩流变仪中熔融之后，分别加入BaTiO3和MgO纳米粒子，高温下搅拌共混一定时间后制备得到一定浓度的PP/BaTiO3和PP/MgO纳米复合电介质；(2)用平板硫化机采用逐级升压法排气热压得到一定厚度的PP/BaTiO3和PP/MgO纳米复合电介质薄膜；(3)将制得的单层的PP/BaTiO3或PP/MgO薄膜按照ABA或BAB的顺序叠在一起，用平板硫化机10MPa压制5min得到夹层结构聚丙烯纳米复合电介质薄膜。测试击穿性能和储能性能发现：由于A层带来的击穿场强的增益和B层带来的高介电常数，夹层结构聚丙烯纳米复合电介质的储能性能得到有效提升。
具有高储能密度夹层聚丙烯复合电介质及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210774769.3在审
发明人：金俊植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，半导体器件包括：有源层，该有源层包括沟道，该有源层与衬底间隔开并且在与衬底的表面平行的方向上延伸；栅极电介质层，该栅极电介质层形成在有源层之上；字线，该字线在与有源层交叉的方向上被横向定向、位于栅极电介质层之上，并且该字线包括低功函数电极和高功函数电极，该高功函数电极具有比低功函数电极高的功函数；以及偶极子诱导层，该偶极子诱导层设置在高功函数电极与栅极电介质层之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]防反射膜及光学部件-CN201880091646.1有效
发明人：中村诚吾;前原佳纪;吉弘达矢;梅田贤一;板井雄一郎;山中英生 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：防反射膜具备配置于基材侧的电介质多层膜及层叠设置于电介质多层膜的以水合氧化铝为主要成分的微细凹凸层。电介质多层膜由具有相对高的折射率的高折射率层和具有相对低的折射率的低折射率层的交替层构成，电介质多层膜作为高折射率层及低折射率层中的1个层而包含由氮化硅构成的阻挡层，阻挡层的密度为2.7g/cm
反射光学部件

[发明专利]一种中性高透低辐射镀膜玻璃-CN201210324275.1无效
发明人：王茂良;顾黎明;徐峰 -专利权人：太仓耀华玻璃有限公司
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种中性高透低辐射镀膜玻璃，在玻璃原片的表面从下至上依次设置电介质层Ⅰ、金属银层、氧化锌铝或氧化钛陶瓷阻挡层和电介质层Ⅱ；其中，所述的电介质层Ⅰ为氧化钛层、氧化锌层、氮化硅层或其组合，电介质层本发明提供的中性高透低辐射镀膜玻璃，与现有技术相比具有以下优点：使用的玻璃膜层采用钛基层，同时采用氧化锌铝或氧化钛陶瓷材料作为阻挡层保护银层，从而具有高可见光透射率，中性颜色，辐射率低等优点。
一种中性高透低辐射镀膜玻璃

[发明专利]一种碳化硅静电吸盘及制作方法-CN202310786342.X在审
发明人：唐占银;王彩俊 -专利权人：无锡卓瓷科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅静电吸盘及制作方法，该碳化硅静电吸盘包括碳化硅电介质层、PVD电极层和碳化硅底座，PVD电极层位于碳化硅电介质层与碳化硅底座之间，碳化硅底座内部嵌设有引出电极，引出电极与PVD电极层电性连接，碳化硅电介质层顶部设有若干凸台。本发明具有硬度高、耐磨性好、结构简单、内部不会产生应力、PVD电极层均匀性好、厚度容易控制、碳化硅电介质层均匀性好、致密性好、碳化硅加工的工艺成熟、碳化硅的加工精度高的优点。
一种碳化硅静电吸盘制作方法

[发明专利]电容元件的制造方法-CN96110805.3无效
发明人：松田明浩;长野能久;那须彻;有田浩二;上本康裕 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-07-10 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明内装于半导体集成电路中的使用强电介质膜或高介电常数的电介质膜的电容元件的制造方法具有：在衬底基片的一表面上形成由金属膜或导电性氧化膜构成的第1电极的工序、在第1电极上烧结形成主成分为强电介质或具有高介电常数的电介质构成的第
电容元件制造方法

[发明专利]薄膜电容器及其制造方法-CN03820706.0无效
发明人：栗原和明;盐贺健司;约翰·大卫·巴尼基 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-08-15 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供一种包含单晶高介电常数电介质层的薄膜电容器。该薄膜电容器具有：单晶硅基板；在单晶硅基板上外延生长的单晶中间层；在单晶中间层上外延生长的单晶下部电极；在下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层；在单晶高介电常数电介质层上方形成的上部电极层；分别与下部电极层
薄膜电容器及其制造方法

[发明专利]一种智能制造用电介质板转运装置-CN202110301089.5在审
发明人：王华 -专利权人：王华
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B62B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种转运装置，尤其涉及一种智能制造用电介质板转运装置。要解决的技术问题：提供一种运输电介质板较为便利，工作效率高的智能制造用电介质板转运装置。技术方案是：一种智能制造用电介质板转运装置，包括有：底板，底板底部四周均设有万向轮；置物筐，底板顶部一侧设有置物筐；盖板，置物筐上转动式设有盖板；把手，底板顶部另一侧设有把手。通过设置的上升机构和堆叠机构之间的配合即可完成电介质板之间互相不接触的叠放工作；通过设置的万向轮可便于工作人员将本装置进行推动，更为便利的推动至电介质板的取放点。
一种智能制造用电介质转运装置

[发明专利]芯片基板复合半导体器件-CN202310095638.7在审
发明人： C·法赫曼;B·A·格兰泽;A·里格勒尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，其包括具有正面和背面的高电压半导体晶体管芯片。低电压负载电极和控制电极设置在半导体晶体管芯片的正面上。半导体器件还包括电介质无机基板，该电介质无机基板包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。第一金属结构的图案贯穿电介质无机基板，其中第一金属结构的图案连接到低电压负载电极。至少一个第二金属结构贯穿电介质无机基板，其中第二金属结构连接到控制电极。半导体晶体管芯片的正面附接到电介质无机基板的第一侧。电介质无机基板具有在第一侧和第二侧之间测量的至少50μm的厚度。
芯片复合半导体器件

[发明专利]层叠陶瓷电容器-CN202210977986.2在审
发明人：森昭人;若岛诚宽;渡边翔;圆道匠 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高耐压可靠性的层叠陶瓷电容器。本发明的层叠陶瓷电容器(1)具备：层叠体(2)，具备：内层部(11)，将内部电极层(15)和内部电介质层(14)交替地层叠多层，且层叠方向(T)上的两端为内部电极层(15)；以及外部电介质层(20)，覆盖所述内层部(11)；和两个外部电极(3)，分别配置在所述层叠体(2)中的作为与所述层叠方向(T)交叉的长度方向(L)上的两侧的面的端面(C)，所述内部电介质层(14)以及所述外部电介质层(20)包含颗粒，所述内部电介质层(14)包含的颗粒的平均粒径与所述外部电介质层(20)包含的颗粒的平均粒径之差为100nm以下。
层叠陶瓷电容器

[实用新型]一种可单片使用的LOW‑E玻璃-CN201621194162.4有效
发明人：林嘉佑 -专利权人：林嘉佑
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可单片使用的LOW‑E玻璃，包括玻璃基板，所述玻璃基板表面从下向上呈纵向依次设置底层电介质层、吸收层、中间电介质层、透明导电层和顶层电介质层，所述的底层电介质层、中间电介质层和顶层电介质层包括本实用新型所提供的一种可单片使用的LOW‑E玻璃，不会氧化，无需除膜，透过率高，隔热性强，与双银LOW‑E玻璃搭配使用，保温性能更强，可达到与三银LOW‑E相同的节能效果。
一种单片使用 low 玻璃

[发明专利]用于裸片级静电放电(ESD)保护的电压可切换电介质-CN201280022615.3有效
发明人：时群·顾;拉蒂博尔·罗多杰西艾西;李易明 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2012-04-02 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：电压可切换电介质层可在裸片上用于静电放电ESD保护。所述电压可切换电介质层在所述裸片的正常操作期间充当所述裸片的端子之间的电介质层。当在所述裸片的所述端子处发生ESD事件时，所述端子之间的高电压将所述电压可切换电介质层切换为传导层以允许电流放电到所述裸片的接地端子，而无电流通过所述裸片的电路。因此，在具有所述电压可切换电介质层的裸片上的ESD事件期间减少或防止了对所述裸片的电路的损坏。所述电压可切换电介质层可沉积在裸片的背侧上以用于在与第二裸片堆叠以形成堆叠IC期间进行保护。
用于裸片级静电放电 esd 保护电压切换电介质