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[发明专利]包括芯片-基板复合半导体装置的半导体封装-CN202310079223.0在审
发明人： C·法赫曼;B·A·格兰泽;A·里格勒尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本文公开了包括芯片‑基板复合半导体装置的半导体封装。一种高电压半导体封装包括半导体装置。半导体装置包括高电压半导体晶体管芯片，其包括前侧和背侧。低电压负载电极和控制电极设置在半导体晶体管芯片的前侧。高电压负载电极设置在半导体晶体管芯片的背侧。半导体封装还包括电介质无机基板。电介质无机基板包括贯穿电介质无机基板的第一金属结构的图案，其中，第一金属结构的图案连接到低电压负载电极以及贯穿电介质无机基板的至少一个第二金属结构，其中，第二金属结构连接到控制电极。半导体晶体管芯片的前侧通过晶圆接合连接被附接到电介质无机基板，并且电介质无机基板具有至少50μm的厚度。
包括芯片复合半导体装置封装

[发明专利]芯片基板复合半导体器件-CN202310095638.7在审
发明人： C·法赫曼;B·A·格兰泽;A·里格勒尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，其包括具有正面和背面的高电压半导体晶体管芯片。低电压负载电极和控制电极设置在半导体晶体管芯片的正面上。半导体器件还包括电介质无机基板，该电介质无机基板包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。第一金属结构的图案贯穿电介质无机基板，其中第一金属结构的图案连接到低电压负载电极。至少一个第二金属结构贯穿电介质无机基板，其中第二金属结构连接到控制电极。半导体晶体管芯片的正面附接到电介质无机基板的第一侧。电介质无机基板具有在第一侧和第二侧之间测量的至少50μm的厚度。
芯片复合半导体器件