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[发明专利]半导体器件-CN202210522267.1在审
发明人：小清水亮;中柴康隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：在该半导体器件中，提供有具有高浓度p型半导体区域的场板部分、杂质浓度低于高浓度p型半导体区域的低浓度p型半导体区域，以及高浓度n型半导体区域。然后，高浓度p型半导体区域电连接到源极区域，而高浓度n型半导体区域电连接到漏极区域。
半导体器件

[发明专利]静电保护装置-CN201080009870.5无效
发明人：浅田哲男;中川博文 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：静电保护装置(101)具备第一导电型的基板(1)、形成在基板(1)上的、与上述第一导电型不同的第二导电型的第一低浓度扩散区域(2)及上述第一导电型的第二低浓度扩散区域(3)、形成在第一低浓度扩散区域(2)中、相互电连接的上述第二导电型的第一高浓度扩散区域(4)及上述第一导电型的第二高浓度扩散区域(5)、形成在第二低浓度扩散区域(3)中、相互电连接的上述第一导电型的第三高浓度扩散区域(9)及上述第二导电型的第四高浓度扩散区域(8)、形成在第一低浓度扩散区域(2)中的上述第一导电型的第五高浓度扩散区域(6)、和形成在第二低浓度扩散区域(3)中的上述第二导电型的第六高浓度扩散区域(7)，第五高浓度扩散区域(6)与第六高浓度扩散区域
静电保护装置

[发明专利]光电二极管以及具有该光电二极管的光电IC-CN200710163363.7有效
发明人：三浦规之 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：光电二极管具有：支撑衬底；形成在该支撑衬底上的绝缘层；硅半导体层，形成在绝缘层上，具有元件形成区域和元件隔离区域；形成于该元件隔离区域的元件隔离层；P型高浓度扩散层，是在元件形成区域，高浓度扩散P型杂质而形成的；N型高浓度扩散层，是在元件形成区域，与P型高浓度扩散层具有间隔地高浓度扩散N型杂质而形成的；低浓度扩散层，是在元件形成区域，低浓度扩散与P型高浓度扩散层和N型高浓度扩散层的任意一方相同型的杂质而形成的；以及硅化物层，是在P型高浓度扩散层和N型高浓度扩散层的上部，分别与低浓度扩散层和P型高浓度扩散层的边界、以及低浓度扩散层和N型高浓度扩散层的边界具有间隔地形成的。
光电二极管以及具有光电 ic

[发明专利]半导体装置-CN201380042956.1有效
发明人：熊谷直树 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-02-13 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在由宽带隙半导体构成的n+半导体基板(1)的正面上，设置有n‑漂移区域(2)。在n‑漂移区域(2)的表面层选择性地设置有p沟道区域(3)。在n‑漂移区域(2)的内部，以与p沟道区域(3)的下部接触的方式设置有高浓度p+基区(4)。在高浓度p+基区(4)的内部，在n+半导体基板(1)侧选择性地设置有n+高浓度区域(11)。n+高浓度区域(11)具有在高浓度p+基区(4)排列的方向延伸的条纹状的平面布局。n+高浓度区域(11)在条纹长边方向的一个端部与JFET区域接触。另外，n+高浓度区域(11)的n+半导体基板(1)侧与n‑漂移区域(2)中被高浓度p+基区(4)与n+半导体基板(1)夹住的部分接触。
半导体装置

[发明专利]半导体装置和固体摄像元件-CN201980065408.8在审
发明人：深作克彦;松本光市;清水暁人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-10-02 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，包括：低浓度N型区域；第一高浓度N型区域和第二高浓度N型区域，它们隔着插入在它们中间的所述低浓度N型区域层叠，并且具有比所述低浓度N型区域更高的杂质浓度；栅极电极，当从作为所述低浓度N型区域、所述第一高浓度N型区域和所述第二高浓度N型区域层叠的方向的层叠方向观察时，所述栅极电极围绕所述低浓度N型区域；第一绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述低浓度N型区域之间；和第二绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述第一高浓度N型区域之间，其中所述第一高浓度N型区域连接至所述源极电极和所述漏极电极中的一者，且所述第二高浓度N型区域连接至所述源极电极和所述漏极电极中的另一者。
半导体装置固体摄像元件

[发明专利]荧光体和光源装置-CN202010086411.2在审
发明人：照井达也;梅田裕二 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明的荧光体具有高浓度区域和1个以上的低浓度区域，其中，低浓度区域的添加物的浓度比高浓度区域低，高浓度区域包围1个以上的低浓度区域。
荧光光源装置

[发明专利]半导体集成装置-CN200510113528.0无效
发明人：森下泰之 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-10-17 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：还有，在p型阱(12a)的表面上形成了高浓度n型区域(15a)，在p型阱(12b)的表面上形成了高浓度n型区域(15b)，分别接地。再有，与高浓度n型区域(15a)相对而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度p型区域(14a)，与高浓度n型区域(15b)相对而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度p型区域(14b)，分别与I/O焊盘连接并且，被高浓度p型区域(14a)和高浓度p型区域(14b)夹着而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度n型区域(13)，与触发元件连接。施加在I/O焊盘上的冲击通过左右的SCR构造而向接地端子释放。
半导体集成装置

[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法-CN201110461588.7无效
发明人：合田晋二;鹿野康行;杉渕康一 -专利权人：日本琵维吉咨询株式会社
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供这样的太阳能电池单元及其制造方法：在制造时，不使高浓度扩散区域超过必要地扩大，即使在受光面栅电极的对准沿旋转方向偏移的情况下，也能够精度良好地将受光面栅电极对位于高浓度扩散区域上。本发明提供一种太阳能电池单元，包括：p型半导体基板；在所述半导体基板的受光面侧形成的n型扩散层；以及在所述n型扩散层局部地形成的1个或多个受光面栅电极，其中，在所述n型扩散层，形成有多个高浓度扩散区域和位于这些高浓度扩散区域之间的低浓度扩散区域，所述高浓度扩散区域的宽度构成为在俯视时两端部与中心部相比较宽，所述受光面栅电极形成于所述高浓度扩散区域，邻接的所述高浓度扩散区域的中心间距离为1.5～3.0mm。
太阳能电池单元及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201310684070.9有效
发明人：嘉屋旨哲;中原宁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：n型低浓度区域被形成在P型层上。第一高浓度N型区域被设置在n型低浓度区域中并且被连接到二极管的阴电极。第二高浓度N型区域被设置在n型低浓度区域中，被布置为与第二导电类型第一高浓度区域隔开，并且被连接到第一电路的电源互连。第一P型区域被形成在n型低浓度区域中，并且其底部被连接到P型层。接地电势被施加到第一P型区域，并且第一P型区域被设置在第一高浓度N型区域的附近。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN03820714.1有效
发明人：小森秀树;岛田久幸;孙禹;木下博幸 -专利权人：富士通株式会社;斯潘生公司;先进微装置公司
申请日： 2003-08-29 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明的漏极(7)包括：与控制栅极(5)相匹配而形成的、低浓度的浅的低浓度杂质区域(7a)；与侧壁膜(8)相匹配而形成且比低浓度杂质区域(7a)高浓度的深的高浓度杂质区域(7b)，由此，利用低浓度杂质区域(7a)来改善短沟道效果并提高编程效率，并且，在高浓度杂质区域(7b)中设置漏极接触孔形成部位(70)，以降低漏极(7)中的接触电阻。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010216709.0在审
发明人：田中宏幸;东真砂彦 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：利用PN接合的二极管元件，在具有P型或N型的第一导电型的半导体基板(1)的表面，包括具有第一导电型的高浓度第一导电型杂质区域(6)、具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的高浓度第二导电型杂质区域(5)、以及由高浓度第一导电型杂质区域与高浓度第二导电型杂质区域夹着的元件分离区域(2)；以及浮游层(3)，在半导体基板的高浓度第二导电型杂质区域的下方与高浓度第二导电型杂质区域隔开且具有第二导电型。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体受光元件及其制造方法-CN201780094754.X有效
发明人：竹村亮太;石村荣太郎;山口晴央 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：电场控制层(3)包含高浓度区域(3H)和设置于高浓度区域(3H)的外侧且具有比高浓度区域(3H)的杂质浓度低的杂质浓度的低浓度区域(3L)。电场控制层(3)之上的光吸收层(4)具有比高浓度区域(3H)的杂质浓度低的杂质浓度。光吸收层(4)之上的窗层(5)具有比光吸收层(4)的带隙大的带隙，呈n型。受光区域(6)与窗层(5)的外缘(ED)分离地设置，受光区域(6)隔着窗层(5)以及光吸收层(4)与高浓度区域(3H)至少局部性地相对，呈p型。保护环区域(7)通过窗层(5)与受光区域(6)隔开，贯穿窗层(5)而到达光吸收层(4)内，该保护环区域呈p型。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410419944.2有效
发明人：新井耕一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：在一实施方式中的半导体器件中，结型场效应晶体管的栅极区域(GR)具有低浓度栅极区域(LGR)和杂质浓度比低浓度栅极区域(LGR)高的高浓度栅极区域(HGR)，且高浓度栅极区域(HGR)内包于低浓度栅极区域
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201410594450.8有效
发明人：嘉屋旨哲;中原宁;新家东;神田良;栗原智敦;户田铁 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包括：第一导电类型的衬底、第一电路区域、分隔区域、第二电路区域和整流元件。整流元件具有：第二导电类型层、第一高浓度第二导电类型区域、第二高浓度第二导电类型区域、元件隔离膜、第一绝缘层和第一导电膜。第一接触耦合至第一高浓度第二导电类型区域，而第二接触耦合至第二高浓度第二导电类型区域。第三接触耦合至第一导电膜。第一接触、第二接触和第三接触彼此分隔开。
半导体器件

[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法-CN201210049118.4在审
发明人：鹿野康行;杉渕康一;合田晋二;石川直挥 -专利权人：日本琵维吉咨询株式会社
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池单元，由形成于单晶硅衬底的一个面上的p型扩散层；形成于另一个面上的n型扩散层；在p型扩散层上局部地形成的一个或多个电极；以及在n型扩散层上局部地形成的一个或多个电极构成，其中，在p型扩散层形成有多个高浓度p型扩散区域和位于这些高浓度p型扩散区域间的低浓度p型扩散区域，在n型扩散层形成有多个高浓度n型扩散区域和位于这些高浓度n型扩散区域间的低浓度n型扩散区域，电极邻接所述高浓度p型扩散区域及高浓度n型扩散区域而形成
太阳能电池单元及其制造方法

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