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[发明专利]排气净化用催化剂及其制造方法-CN202310277131.3在审
发明人： 熊谷直树;森川彰;岩崎正兴;畑中美穗;吉永泰三;三浦真秀;林高弘 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B01J23/63 文献下载
摘要：本发明为排气净化用催化剂及其制造方法。一种排气净化用催化剂，在含有氧化铝、二氧化铈和氧化锆的复合金属氧化物载体上担载有Pd系纳米粒子和用组成式CeO2‑x(0≤x0.5)表示的二氧化铈纳米粒子，担载于所述载体的Ce和Pd的摩尔比(Ce/Pd)为1～8，基于通过能量分散型X射线分析而得到的元素映射像中的Pd和Ce的分布图，利用下述式(1)求出的Pd与Ce的接近度α为0.15～0.50，一边使浓气体(H2(2vol％)+CO2(10vol％)+H2O(3vol％)+N2(余量))和稀气体(O2(1vol％)+CO2(10vol％)+H2O(3vol％)+N2(余量))以0.5L/分的流量每5分钟交替切换地进行流通一边在1050℃加热25小时的耐热试验后的Pd分散度为0.8％以上。#imgabs0#
排气净化催化剂及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法-CN201580054438.0有效
发明人： 熊谷直树;堤岳志;酒井善行;大西泰彦;藤本卓巳;福田宪司;原田信介;岡本光央 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在碳化硅半导体衬底的正面侧设有由p‑型阱层(4)、n+型源区(6)、栅极绝缘膜(8)和栅极(9)组成的MOS栅极结构。层间绝缘膜(10)以覆盖栅极(9)的方式设置，并与栅极绝缘膜(8)接触。钛膜(16)隔着氮化钛膜(11)覆盖层间绝缘膜(10)。源极(14)以不与层间绝缘膜(10)接触的方式设置在钛膜(16)的表面。此外，源极(14)经由钛膜(16)和正面硅化物层(12)与p‑型阱层(4)和n+型源区(6)电连接。钛膜具有在高温动作时吸附或屏蔽从源极(14)产生的氢原子或氢离子的功能。据此，能稳定获得预定的电特性，提高可靠性。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]核‑壳载体、其制造方法、使用该核‑壳载体的排气净化催化剂、其制造方法和使用所述排气净化催化剂净化排气的方法-CN201680014994.X在审
发明人： 熊谷直树;田边稔贵;三浦真秀 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： B01J32/00 文献下载
摘要：一种核‑壳载体，其包含核，其包含选自氧化铈‑氧化锆基固溶体和氧化铝掺杂的氧化铈‑氧化锆基固溶体的至少一种氧储存/释放材料；和壳，其包含由组成式(Re1‑xCex)2Zr2O7+x(其中Re代表稀土元素，且x代表0.0至0.8的数)所示的稀土‑氧化锆基复合氧化物，其涂布所述核外部，所述稀土‑氧化锆基复合氧化物包含具有烧绿石结构的晶体粒子，且所述稀土‑氧化锆基复合氧化物具有3至9纳米的平均微晶直径。
载体制造方法使用排气净化催化剂

[发明专利]核壳型氧化物材料、其制造方法、使用该材料的排气净化用催化剂、和排气净化方法-CN201710196089.7在审
发明人： 熊谷直树;田边稔贵;森川彰;三浦真秀;铃木宏昌 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：一种核壳型氧化物材料，其特征在于，具备核和壳，所述核由具有烧绿石相和κ相之中的至少一种有序相的氧化铈‑氧化锆系固溶体粉末构成，所述壳配置于该核的至少一部分表面，且由氧化铝系氧化物构成。
核壳型氧化物材料制造方法使用排气净化催化剂

[发明专利]半导体装置-CN201380042956.1有效
发明人： 熊谷直树 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-02-13 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在由宽带隙半导体构成的n+半导体基板(1)的正面上，设置有n‑漂移区域(2)。在n‑漂移区域(2)的表面层选择性地设置有p沟道区域(3)。在n‑漂移区域(2)的内部，以与p沟道区域(3)的下部接触的方式设置有高浓度p+基区(4)。在高浓度p+基区(4)的内部，在n+半导体基板(1)侧选择性地设置有n+高浓度区域(11)。n+高浓度区域(11)具有在高浓度p+基区(4)排列的方向延伸的条纹状的平面布局。n+高浓度区域(11)在条纹长边方向的一个端部与JFET区域接触。另外，n+高浓度区域(11)的n+半导体基板(1)侧与n‑漂移区域(2)中被高浓度p+基区(4)与n+半导体基板(1)夹住的部分接触。
半导体装置

[发明专利]复合氧化物材料和使用该材料的废气净化催化剂-CN201380061285.3有效
发明人：三浦真秀;森川彰;田边稔贵;熊谷直树;小西佳惠 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C01G25/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供高温下的稳定性更加优异的废气净化催化剂用储氧材料。根据本发明，提供一种复合氧化物材料，其特征在于，包含氧化铈-氧化锆复合氧化物的具有烧绿石结构的晶体粒子、和存在于所述粒子表面的氧化镧-氧化锆复合氧化物的具有烧绿石结构的晶体，该氧化镧-氧化锆复合氧化物的晶体的至少一部分在该氧化铈-氧化锆复合氧化物的晶体粒子表面固溶。本发明的复合氧化物材料中，氧化铈-氧化锆复合氧化物的烧绿石结构稳定化，抑制了与向萤石型结构的相变相伴的储氧能力的降低。
复合氧化物材料使用废气净化催化剂

[发明专利]用于净化废气的催化剂载体、使用该催化剂载体的用于净化废气的催化剂及生产该用于净化废气的催化剂载体的方法-CN201380038899.X有效
发明人： 熊谷直树;森川彰;小西佳惠;佐藤仁俊;田边稔贵;须田明彦;三浦真秀;镇西勇夫;铃木宏昌 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： B01J23/72 文献下载
摘要：一种用于净化废气的催化剂载体，其包括多孔复合金属氧化物，所述多孔复合金属氧化物含有氧化铝、二氧化铈和氧化锆，并且氧化铝的含量比按质量计从5％至80％，其中，在空气中在1100℃煅烧5小时之后，多孔复合金属氧化物满足以下条件：对于多孔复合金属氧化物的100个微区域(一个微区域是长300nm×宽330nm)，铝元素、铈元素和锆元素的含量比(单位：％)的标准偏差均是19或更小，所述标准偏差通过使用配备有球差校正器的扫描透射电子显微镜利用X射线能量色散谱来确定。
用于净化废气催化剂载体使用生产方法