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[发明专利]一种高介电低模量的硅橡胶介电弹性体及其制备方法-CN202210344872.4有效
发明人：张志杰;喻研;赵云峰;费华峰;戴丽娜;汪倩 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C08G77/388 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电低模量的硅橡胶介电弹性体及其制备方法，所述硅橡胶介电弹性体是采用高极性硅油制备得到的，所述硅油包括至少一种具有式Ⅰ所示结构的聚合物。与现有技术相比，本发明的高极性硅油在硅橡胶生胶基体中不迁移、与硅橡胶生胶相容性好、高效、易于添加；本发明的硅橡胶介电弹性体介电常数高、杨氏模量低；本发明制备方法简单，易于工业化生产。#imgabs0#
一种高介电低模量硅橡胶弹性体及其制备方法

[发明专利]一种高介电低损耗高导热绝缘型环氧塑封料及其制备方法-CN202110282087.6在审
发明人：虞家桢;谢磊;邹婷婷;钱鹏菲 -专利权人：聚拓导热材料（无锡）有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电低损耗高导热绝缘型环氧塑封料及其制备方法，属于电子封装领域。本发明高介电低损耗高导热绝缘型环氧塑封料原料如下：环氧树脂、固化剂、促进剂、导热填料、偶联剂、高介电填料、脱模剂、阻燃剂以及增韧剂。制备方法：将固化剂、促进剂、偶联剂、脱模剂、增韧剂加入密炼机中，熔融混合，搅拌均匀后冷却、粉碎、过筛待用得到混合物1；将混合物1与环氧树脂、导热填料、高介电填料、阻燃剂混合均匀得到混合物2；将混合物2加入螺杆机中混炼并挤出本发明的环氧塑封料不仅绝缘性能好、热膨胀系数低、玻璃化转变温度高、应力低，而且在维持电路绝缘性的基础上具有较高的介电常数、低介电损耗、电磁屏蔽性能好、导热系数高。
一种高介电低损耗导热绝缘型环氧塑封料及制备方法

[发明专利]一种低介电纳米注塑材料-CN202010841319.2在审
发明人：迟胜南;何杰;曹建伟;马旭辉 -专利权人：东莞市奥能工程塑料有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电纳米注塑材料，包括以下重量份数的原料：聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、低介电增强体、增韧剂、成核剂、分散剂、相容剂、抗氧剂、炭黑。本发明低介电PBT材料，通过使用低介电增强体降低了增强体对体系介电常数的影响。通过添加高酸值炭黑，减少了普通炭黑对介电常数的影响。本发明低介电纳米注塑材料制备方法，与金属粘合力强，高拉拔力，低介电强度和损耗，操作简单，成本低廉，适合于工业化生产，可以满足5G终端及基站对低介电材料的性能要求。
一种低介电纳米注塑材料

[发明专利]低反射涂膜玻璃-CN201880010099.X有效
发明人：李炫周;姜贤旻;金相律;吴营勳;尹闰喜 -专利权人：金刚高丽化工玻璃制品公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供低反射涂膜玻璃，其中具有高折射率的介电层和具有低折射率的介电层交替堆叠在玻璃基板上。
反射玻璃

[发明专利]膜电容器用高介电性膜形成组合物-CN200980152187.4无效
发明人：横谷幸治;太田美晴;立道麻有子;小松信之;向井惠吏;高明天 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01G4/20 文献下载
摘要：本发明在于提供一种膜电容器用高介电性膜，该膜电容器用高介电性膜不仅以高填充率配合高介电性无机颗粒，而且能够抑制电绝缘性降低，其是通过成形膜电容器用高介电性膜形成组合物而得到的，该膜电容器用高介电性膜形成组合物含有热塑性树脂(A)和以电容率(20℃、1kHz)10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)。
电容器用高介电性膜形成组合

[发明专利]多重闸极介电层的结构及其制造方法-CN03153952.1有效
发明人：杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-08-21 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供多重闸极介电层的制造方法及其结构。其中一种方法是为于具有原生氧化层的半导体基底上沉积一高介电常数介电层，其介电常数大于8。之后，移除高效能组件区的高介电常数介电层，使高介电常数介电层做为低漏电流组件区的一闸极介电层的一部分。
多重闸极介电层结构及其制造方法

[发明专利]无卤低介电组合物、积层板以及印刷电路板-CN202010098572.3在审
发明人：于达元;陈凯杨;林鸿名;苑绍杰 -专利权人：联茂(无锡)电子科技有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开一种无卤低介电组合物、积层板以及印刷电路板，其中所述无卤低介电组合物(a)100重量份的环氧树脂；(b)10至25重量份的DOPO改质硬化剂；(c)10至20重量份的苯并恶嗪树脂；(d)100本发明的无卤低介电组合物借着特定的组分及比例，可提供不含卤素的环氧树脂组合物，且其具有高玻璃转化温度、低介电常数、低介电损耗、高耐热性及高储存模数的特性。
无卤低介电组合积层板以及印刷电路板

[实用新型]多重栅极介电层的结构-CN200420059202.5无效
发明人：杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-05-25 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多重栅极介电层的结构。其中，该重栅极介电层的结构是包含一高介电常数介电层沉积于一具有原生氧化层的半导体基底上，该高介电常数介电层的介电常数大于8。该高介电常数介电层是不形成于一高效能组件区内，做为低漏电流组件区的一栅极介电层的一部分。
多重栅极介电层结构

[发明专利]方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导-CN201410515265.5有效
发明人：欧阳征标;黄浩 -专利权人：欧阳征标;深圳大学
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种方孔式正方晶格光子晶体低折射率双补偿散射柱直角波导，它由低折射率的第一介质柱在高折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列低折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的两个拐弯处分别设置低折射率的第二、三介质柱；所述第二、三介质柱为补偿散射柱；所述第二、三介质补偿散射柱为低折射率介质柱或者空气孔；所述第一介质柱为低折射率方柱或者空气方孔。本发明的结构具有极低的反射率和非常高的传输率，便于大规模光路集成，这为光子晶体的应用提供了更广阔的空间。
方孔式正方晶格光子晶体折射率补偿散射直角波导

[发明专利]一种短焦距双层液晶透镜阵列-CN201910282785.9在审
发明人：王琼华;李睿;储繁;田莉兰 -专利权人：北京航空航天大学;四川大学
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种短焦距双层液晶透镜阵列，其包括：上层玻璃基板、上层透明平面电极、上层顶部取向层、上层液晶层、上层透明低介电层、上层透明直角三棱柱高介电层、上层透明条形电极、上层底部取向层、中部玻璃基板、下层顶部取向层、下层透明条形电极、下层透明直角三棱柱高介电层、下层透明低介电层、下层液晶层、下层底部取向层、下层透明平面电极以及下层玻璃基板。由于上下两层均采用透明直角三棱柱高介电层与透明低介电层交替排列，有效地降低了该液晶透镜的工作电压。双层设计使液晶层内中央与边缘的相位差增大了一倍，从而减小了液晶透镜的焦距。
下层上层电极取向层液晶层透明直角三棱柱低介电层高介电层透明条形双层液晶透镜透明平面液晶透镜短焦距上层玻璃基板下层玻璃基板不均匀电场折射率分布玻璃基板工作电压交替排列上下两层双层设计焦距相位差有效地减小

[发明专利]一种自发光式生物特征识别成像传感器及其制备方法-CN201810678546.0在审
发明人：马东阁;杨德志;马远博 -专利权人：马远博
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种自发光式生物特征识别成像传感器及其制备方法，涉及生物特征识别领域，解决了现有指纹识别系统存在的识别率低、安全性低、不易于大面积制备、体积大、成本高的问题。本发明包括透明衬底；依次复合于透明衬底上的阳极层、发光层、对比度增强介电层和介电层；阳极层为氧化铟锡导电薄膜、PEDOT或银纳米线透明电极；发光层由聚合物胶水掺杂纳米发光材料混合而成；纳米发光材料为有机电致发光材料、无机电致发光材料和无机量子点发光材料中的一种或多种；对比度增强介电层由固体绝缘胶水、高介电系数材料和炭黑组成；介电层由固体绝缘胶水和高介电系数材料组成。本发明具有成本低、轻薄、分辨率高、易于大面积制备、安全可靠、寿命长。
介电层制备生物特征识别胶水纳米发光材料成像传感器对比度增强固体绝缘系数材料自发光式发光层高介电阳极层衬底无机电致发光材料氧化铟锡导电薄膜有机电致发光材料指纹识别系统无机量子点发光材料透明电极银纳米线透明聚合物识别率轻薄分辨率炭黑掺杂复合

[发明专利]圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导-CN201410515261.7有效
发明人：欧阳征标;黄浩 -专利权人：欧阳征标;深圳大学
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种圆孔式正方晶格光子晶体低折射率单补偿散射柱直角波导，它由低折射率的第一介质柱在低折射率背景介质中按正方晶格排列而成的光子晶体，在所述光子晶体中移除一排和一列高折射率的第一介质柱以形成直角波导；在所述直角波导的拐弯处设置一个高折射率的第二介质柱；所述第二介质柱为补偿散射柱或者空气孔；所述第一介质柱为圆形低折射率柱或者空气孔。本发明的结构具有极低的反射率和非常高的传输率，便于大规模光路集成，这为光子晶体的应用提供了更广阔的空间。
圆孔正方晶格光子晶体折射率补偿散射直角波导

[发明专利]一种低铂高熵合金纳米颗粒及其制备方法与应用-CN202211175337.7在审
发明人：傅志勇;卢莹莹;梁振兴;向志朋;万凯 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B22F9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种低铂高熵合金纳米颗粒及其制备方法与应用。该方法用介孔分子筛模板制备氮掺杂有序介孔碳作为还原剂及介孔限域模板；将金属盐基有机配体前躯体通过超声浸渍到氮掺杂有序介孔碳孔道内，干燥后得到固体粉末；在惰性气氛下，将管式炉提前升温至700‑1000℃，将上述固体粉末快速置于高温区进行碳热还原2‑10分钟，将所得样品撤离热源进行快速冷即得到低铂高熵合金纳米颗粒。由于碳热还原过程中的快速升温还原与冷却、氮掺杂有序介孔碳的模板限域效应，所制备低铂高熵合金纳米颗粒具有较小的粒径，约为5‑10nm。通过改变过渡金属前驱体盐的类型与比例，可制备一系列低铂高熵合金纳米颗粒且具备优异的氧还原催化活性。
一种低铂高熵合金纳米颗粒及其制备方法应用

[发明专利]高介电性膜以及包含其的半导体或电容器器件-CN202180045846.5在审
发明人：金义泰;金东玉 -专利权人：忠南大学校产学协力团
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高介电常数、低漏电流和高绝缘强度而适于制造高度集成器件的新型高介电性膜以及包括所述高介电性膜的半导体和电容器器件，具体地涉及一种高介电性膜以及包含其的半导体或电容器器件，其中高介电性膜的特征在于由介电常数为
高介电性膜以及包含半导体电容器器件

[发明专利]一种介电薄膜材料及其制备方法-CN201811119956.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：胡小玲
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种介电薄膜材料的制备方法，包括制备钕掺杂钛酸钡纳米颗粒；对钕掺杂钛酸钡纳米颗粒进行改性；将改性后的钕掺杂钛酸钡纳米颗粒超声分散于聚合物基体内成型处理后制得介电薄膜材料。上述制得的介电薄膜材料兼具高介电常数、高击穿场强、低介电损耗和高储能效率的性能。
一种薄膜材料及其制备方法