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[发明专利]可控非对称掺杂势垒纳米硅基发光器件及其制备方法-CN200810025499.6无效
发明人：韦德远;徐骏;王涛;陈德媛;韩培高;孙红程;刘宇;陈谷然;陈坤基;马忠元;李伟;徐岭 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-05-06 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅薄膜作为发光有源层；在发光有源层上淀积有磷掺杂的非晶二氧化硅薄膜作为电子势垒层；在电子势垒层上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极本发明兼具高效、平衡的载流子注入结构与Si/SiO₂发光体系两方面的优点，为高效硅基发光器件的实现提供了可能。
可控对称掺杂纳米发光器件及其制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610700380.9在审
发明人：耿梅艳;戚运东;马海庆;孟庆凯 -专利权人：山东新华联新能源科技有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：该异质结太阳能电池包括顺序层叠设置的P型氢化非晶硅层、第一钝化层、单晶硅层、第二钝化层和N型氢化非晶硅层，第一钝化层和/或第二钝化层为本征氢化非晶硅氧层。由于本征氢化非晶硅氧材料相比于本征非晶硅材料具有更低的表面缺陷密度，从而通过采用本征氢化非晶硅氧层作为异质结太阳能电池的钝化层，提高了非晶硅/单晶硅界面的钝化效果，使电池具有较高的开路电压，增强了工艺可控性；并且，由于本征氢化非晶硅氧材料相比于氢化非晶硅材料具有更宽的禁带宽度，从而增加了发射极、背电场与单晶硅层之间的势垒，大大减小了漏电流，进而提高了异质结太阳能电池的转换效率。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其制备方法-CN201910269913.6在审
发明人：高嘉庆 -专利权人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明的目的在于公开一种异质结背接触太阳能电池及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在所述N型单晶硅基体的正面依次设置前表面P+掺杂层和减反射层，在所述N型单晶硅基体的背面设置本征非晶硅层，在所述本征非晶硅层的背面分别设置有N型非晶硅掺杂层和P型非晶硅掺杂层，所述N型非晶硅掺杂层和所述P型非晶硅掺杂层之间设置有绝缘隔离层，所述N型非晶硅掺杂层通过TCO层连接有负电极，所述P型非晶硅掺杂层通过TCO层连接有正电极；与现有技术相比，降低了工艺难度，达到了与非晶硅相当的钝化效果；降低载流子的表面复合，改变电池背面发射极和背表面场的尺寸比例，避免了少子和多子在传输过程中串联电阻较大的问题。
掺杂层背接触太阳能电池本征非晶硅层异质结制备载流子绝缘隔离层背表面场背面设置表面复合传输过程串联电阻电池背面钝化效果工艺难度减反射层依次设置发射极负电极前表面正电极晶硅少子与非背面

[发明专利]一种提高N型衬底HIT太阳能电池开路电压的方法-CN201210294462.X无效
发明人：崔艳峰;袁声召;石建华;陆中丹;孟凡英;刘正新 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：根据本发明的一种N型衬底HIT太阳能电池，包括：N型晶硅衬底层；N型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征非晶硅层；第一本征非晶硅层外侧的N型非晶硅层；第二本征非晶硅层外侧的P型非晶硅层；N型非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及P型非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型非晶硅层接触。
一种提高衬底 hit 太阳能电池开路电压方法

[发明专利]一种降低P型衬底HIT太阳能电池串阻的方法-CN201210294465.3无效
发明人：崔艳峰;袁声召;石建华;陆中丹;孟凡英;刘正新 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：根据本发明的一种P型衬底HIT太阳能电池，包括：P型晶硅衬底层；P型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征非晶硅层；第一本征非晶硅层外侧的N型非晶硅层；第二本征非晶硅层外侧的P型非晶硅层；N型非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及P型非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型非晶硅层接触。
一种降低衬底 hit 太阳能电池方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN202110024415.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，其中该太阳能电池制作方法采用在第一本征非晶硅层的表面形成第一掺杂型非晶硅层后，对其进行退火；和/或，在第二本征非晶硅层的表面形成第二掺杂型非晶硅层后，对其进行退火，从而在第一掺杂型非晶硅层和/或第二掺杂型非晶硅层形成微晶或多晶结构，能够有效的将氢原子稳定于本征非晶硅层，进而提高电池效率；另一方面，在形成掺杂型非晶硅层后直接对其进行退火，退火的条件更好把控。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管用非晶硅的结晶方法-CN200310123853.6有效
发明人：金营株 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：用具有光透射部的掩模使非晶硅连续横向凝固(SLS)结晶。一种用掩模使非晶硅薄膜结晶的方法，包括在一个衬底上方形成非晶硅层；在非晶硅层上形成一个金属层；对金属层构图暴露出要形成薄膜晶体管的一个TFT区内的一部分非晶硅层；将掩模设置在被金属层暴露出的那一部分非晶硅层上方；并且用透过掩模的光透射部的激光束照射被金属层暴露出的那一部分非晶硅层，使那一部分非晶硅层结晶，并且在晶粒区内形成横向生长的晶粒。
薄膜晶体管用非晶硅结晶方法

[发明专利]非晶硅薄膜成膜方法-CN202011202115.0在审
发明人：王剑敏;葛哲玮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅薄膜成膜方法，在非晶硅薄膜成膜之前，先淀积一层采用低淀积速率形成的一层等离子增强氧化膜层，然后再淀积非晶硅薄膜层，此方法形成的非晶硅薄膜表面粗糙度低，平整度好，大幅改善非晶硅成膜质量
非晶硅薄膜方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN99126727.3无效
发明人：张宏勇;高山彻;竹村保彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1994-03-12 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种催化元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或催化元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化
制造半导体器件方法

[发明专利]一种镍-磷非晶合金复合纤维及其制备方法-CN201710000362.4在审
发明人：罗奕兵 -专利权人：罗奕兵
申请日： 2017-01-02 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： D06M11/83 文献下载
摘要：一种镍‑磷非晶合金复合纤维，复合纤维为圆形断面，包覆层为镍‑磷非晶态合金，具体成分为Ni75‑95%，P5‑25%，芯丝材质为聚合物，复合纤维外径为0.01‑0.1mm，芯丝直径为0.005‑0.08mm一种镍‑磷非晶合金复合纤维的制备方法：（1）采用框架形式布线；(2)聚合物纤维的表面处理；（3）纤维化学镀镍‑磷合金；（4）电刷镀镍‑磷非晶合金复合纤维。
复合纤维非晶合金芯丝制备非晶态合金聚合物纤维化学镀镍框架形式圆形断面聚合物包覆层电刷镀布线合金纤维

[发明专利]非晶硅薄膜形成方法-CN202110709272.9在审
发明人：朱黎敏;陆涵蔚;华光平;徐云;张博 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种非晶硅薄膜形成方法，涉及半导体集成电路领域。该非晶硅薄膜形成方法包括在半导体衬底表面形成底层非晶硅薄膜；进行n次成膜工艺处理，在所述底层非晶硅薄膜表面形成n组层叠的薄膜结构，每组薄膜结构由一层氧化硅薄膜和一层非晶硅薄膜堆叠构成；解决了采用现有工艺形成的非晶硅薄膜在高温下电阻值容易发生变化的问题；达到了稳定非晶硅薄膜在高温下的电阻值，避免红外器件因非晶硅薄膜电阻变化而失效的效果。
非晶硅薄膜形成方法

[发明专利]异质结电池的制备方法及镀膜设备-CN202111254003.4在审
发明人：姚铮;崔巍;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结电池的制备方法及镀膜设备,其中，制备方法包括：获取分别在硅基底两侧表面形成N型掺杂非晶硅层、P型掺杂非晶硅层的半成品电池；先在P型掺杂非晶硅层表面制备第一透明导电层；然后在N型掺杂非晶硅层外侧制备第二透明导电层通过上述的制备方法，先制备P型掺杂非晶硅层表面的第一透明导电层，以对P型掺杂非晶硅层进行保护，防止在后续的工艺中对P型掺杂非晶硅层产生损伤，进而提升整个异质结电池的转化效率。
异质结电池制备方法镀膜设备

[发明专利]一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法-CN201811428076.9有效
发明人：万义茂;崔艳峰;袁声召;黄强;林海峰 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，尤其是一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法；所述制备方法包括以下步骤：以P型单晶硅片作为硅衬底，首先进行抛光（或者制绒处理），硅片采用PECVD设备，在背面生长隧穿氧化硅薄膜和掺杂的p型非晶硅薄膜，采用PECVD设备，在背面沉积硼硅玻璃BSG薄膜，在KOH溶液中进行制绒处理，在电池正面形成金字塔结构，扩散炉，钝化层生长；丝网印刷、烧结，本发明中通过将非晶硅的高温晶化过程与标准磷扩散工艺在扩散管中一步完成
一种高效钝化接触太阳电池制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202010621801.5在审
发明人：龚昌鸿;李先涛;胡秀梅;陈建勋;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，具体包括：提供衬底，上述衬底上形成有非晶硅层；在上述非晶硅层上形成刻蚀辅助层，上述刻蚀辅助层的上表面平整，上述刻蚀辅助层为单一材质；以及对上述非晶硅层以及上述刻蚀辅助层进行刻蚀，以获得目标厚度的非晶硅层，刻蚀后的非晶硅层的上表面平整。根据本发明所提供的半导体器件的制造方法，能够通过简单的工艺流程有效地改善非晶硅层表面的平坦度，能够有效且精确地控制非晶硅层的厚度。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]薄膜太阳能电池-CN201210028190.9无效
发明人：彭振维;黄昭雄;曹耀中 -专利权人：联相光电股份有限公司
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：I型层包含I型非晶硅层及I型短程有序非晶硅层，I型非晶硅层位于P型层上，I型短程有序非晶硅层位于I型非晶硅层上。N型层位于I型短程有序非晶硅层上。藉由I型短程有序非晶硅层产生结晶绕射现象，降低光裂化反应，以提升薄膜太阳能电池的转换效率。
薄膜太阳能电池