“非磷非硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果906094个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]非晶硅粉体的制备方法、非晶硅粉体以及锂离子电池-CN201710777314.6有效
发明人：白岩;马书良;成信刚;董阳阳 -专利权人：北方奥钛纳米技术有限公司;银隆新能源股份有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明属于非晶硅制备技术领域，涉及一种非晶硅粉体的制备方法、非晶硅粉体以及锂离子电池。本发明提供的非晶硅粉体的制备方法，包括以下步骤：以冶金级硅为原料，采用熔炼的方式，制得母锭；采用单辊快速凝固的方式将所述母锭进行甩带，制得非晶硅带材；将所述非晶硅带材进行脆化处理，得到脆化带材；将所述脆化带材进行粉碎处理，得到非晶硅粉体。本发明提供的非晶硅粉体的制备方法，工艺简单、高效，对环境友好，成本较低，易于实现工业化生产。该非晶硅粉体，能够缓冲硅体积变化产生的应力，减轻电极的体积膨胀效应，进而提高电极材料的循环稳定性。
非晶硅粉体制备方法以及锂离子电池

[实用新型]一种HIT太阳能电池-CN201420719001.7有效
发明人：杨与胜;葛洪;张超华 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HIT太阳能电池，其包括：N型硅片：所述N型硅片的受光面为具有绒面结构的黑硅层；本征非晶硅层：所述本征非晶硅层分别沉积在黑硅层的表面和N型硅片的背光面；P型非晶硅层及N型非晶硅层：所述P型非晶硅层及N型非晶硅层之间有间隔且交替排布在N型硅片背光面的本征非晶硅层的表面上；及设在P型非晶硅层及N型非晶硅层上的栅线电极。
一种 hit 太阳能电池

[实用新型]一种太阳能电池结构-CN202123150144.X有效
发明人：杨睿;冯志强 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池结构，所述太阳能电池结构包括硅基底；所述硅基底的一侧表面依次层叠设置有第一选择性非晶硅本征层、第一非晶硅本征层和第一金属栅线；所述硅基底的另一侧表面依次层叠设置有第二选择性非晶硅本征层、第二非晶硅本征层和第二金属栅线；所述第一选择性非晶硅本征层与非第一金属栅线的位置相对应；所述第二选择性非晶硅本征层与非第二金属栅线的位置相对应。本实用新型通过选择性非晶硅本征层的设置，既解决了非晶硅薄膜外延生长带来的缺陷问题，又尽可能的减少对电流传输的影响，从而提高电池效率。
一种太阳能电池结构

[发明专利]非晶硅复合体的制造方法及非晶硅复合体的制造装置-CN202080099247.7在审
发明人：崔锺五;兪钟植 -专利权人：韩国金属硅股份公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C01B33/023 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅复合体的制造方法及非晶硅复合体的制造装置。根据本发明一实施例的非晶硅复合体的制造方法可以包括融化硅原料进行熔融以形成熔融硅的步骤、通过冷却装置冷却所述熔融硅以使所述熔融硅在结晶化之前固化，从而获得非晶硅粉末的步骤、对所述非晶硅粉末进行湿磨以获得非晶纳米硅的步骤、将第一沥青与所述非晶纳米硅混合以获得第一混合物的步骤、将第二沥青涂覆在所述第一混合物上以获得第二混合物的步骤以及对所述第二混合物进行热处理以获得非晶硅复合体的步骤。
非晶硅复合体制造方法装置

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法、基础异质结太阳能电池-CN202011578413.X在审
发明人：倪志春;符欣;魏青竹 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：该制备方法包括如下步骤：A、在硅片上制备本征非晶硅层，在本征非晶硅层上制备掺杂非晶硅层；B、在掺杂非晶硅层上制备透明导电氧化物薄膜；C、在透明导电氧化物薄膜上制备金属电极制得基础电池片；在制备本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜之前，预先在硅片表面的需进行划片的位置上放置掩膜，从而在本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜中形成有隔离沟道，隔离沟道自硅片的表面依次贯穿本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜本发明能够避免在划片分切时损伤非晶硅层和导电薄膜层。
异质结太阳能电池及其制备方法基础

[发明专利]一种二氧化碳梯度分层掺杂钝化非晶硅方法及太阳能电池-CN202310623520.7在审
发明人：王豫林;汤安民;闫凯;郭小勇;杨文栋;唐旋 -专利权人：眉山琏升光伏科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化碳梯度分层掺杂钝化非晶硅方法及太阳能电池，方法包括：提供制绒清洗后的晶体硅衬底，晶体硅衬底包括N面和P面；于晶体硅衬底的N面制备若干本征非晶硅层，各本征非晶硅层内包括掺杂有二氧化碳的本征非晶硅层，并于N面的本征非晶硅层上远离晶体硅衬底的一侧设置N型掺杂非晶硅层；于晶体硅衬底的P面制备若干本征非晶硅层，并于P面的本征非晶硅层上远离晶体硅衬底的一侧设置P型掺杂非晶硅层。本发明采用CO2梯度分层掺杂工艺在保证钝化效果无较大损失的情况下，由于CO2的梯度分层掺入使得电池片非晶硅层的整体禁带宽度得到拓宽
一种二氧化碳梯度分层掺杂钝化非晶硅方法太阳能电池

[发明专利]高蚀刻选择性的非晶碳膜-CN201880084977.2在审
发明人： S·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;R·普拉萨德;K·D·李;H·怀特赛尔;押尾英隆;李铜衡;D·M·R·米特尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：更具体地，在本文中描述的实施方式提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的技术。在一个实施方式中，提供了一种形成非晶碳膜的方法。方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物质植入到非晶碳膜中。掺杂剂或惰性物质选自碳、硼、氮、硅、磷、氩、氦、氖、氪、氙或其组合。方法进一步包括图案化经掺杂的非晶碳膜。方法进一步包括蚀刻底层。
蚀刻选择性非晶碳膜

[发明专利]一种非调质耐候钢及制备方法、紧固件-CN202211606530.1在审
发明人：叶振宇 -专利权人：河南国泰铂固科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非调质耐候钢，涉及有色金属生产技术领域，所述非调质耐候钢按重量计，包含如下成分：碳0.25％～0.35％、硅0.25％～0.65％、锰1.4％～2.5％、硫≤0.02％、磷0.06％～0.12本发明还提供了所述非调质耐候钢的制备方法。本发明的非调质耐候钢的屈服强度可达1660MPa，抗拉强度可大于1765MPa，并具有良好的耐候性能，可解决现有的耐候钢强度低的问题。使用该非调质耐候钢制造的紧固件，其性能等级最高可达到16.9，并具有良好的耐腐蚀能力。
一种非调质耐候钢制备方法紧固

[发明专利]一种高效硅基异质结双面电池及其制备方法-CN201510474317.3有效
发明人：杨与胜;王树林;宋广华;庄辉虎 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效硅基异质结双面电池及其制备方法，其中所述一种高效硅基异质结双面电池，包括：N型硅片；在所述N型硅片的正面依序设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、透明导电膜层、金属栅线电极；所述第二本征非晶硅层的电子带隙大于第一本征非晶硅层；在所述N型硅片的反面依序设有第三本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、透明导电膜层，金属栅线电极。本发明通过的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层分别在不同的腔室内制备完成，第一本征非晶硅层的制备温度比第二本征非晶硅层的制备温度高，从而使得第二本征非晶硅层具有相对较宽的电子带隙，其对应于晶体硅的禁带宽度
本征非晶硅层制备硅基异质结双面电池金属栅线电极透明导电膜层电子带隙空穴电学性能电子扩散电池片发射极晶体硅阻挡层禁带带宽复合室内阻挡

[发明专利]用于形成光伏器件的组合物和方法-CN200980131669.1无效
发明人： W·博兰德;J-P·马里亚 -专利权人： E.I.内穆尔杜邦公司;北卡罗来纳州立大学
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了包括硅太阳能电池的光伏电池以及用于制造此类光伏电池的方法和组合物。在具有n型硅层的硅基底上提供有氮化硅层，反应性金属与所述氮化硅层接触，并且非反应性金属与所述反应性金属接触。烧制该组合件以在所述硅基底上形成由金属氮化物和任选地金属硅化物构成的低Shottky势垒高度触点以及与所述低Shottky势垒高度触点接触的导电性金属电极。所述反应性金属可以为钛、锆、铪、钒、铌、钽以及它们的组合，所述非反应性金属可以为银、锡、铋、铅、锑、砷、铟、锌、锗、镍、磷、金、镉、铍以及它们的组合。
用于形成器件组合方法

[发明专利]一种叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺-CN202010805992.0在审
发明人：邵玉林;王军;张三洋 -专利权人：无锡琨圣智能装备股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种叠加TCO透明导电薄膜的高效双面TOPCON电池工艺，包括以下步骤：S1.制绒；S2.氧化；S3.正面掺磷非晶硅/背面掺硼非晶硅；S4.退火；S5.双面沉积TCO/SiNx‑S6.丝网印刷烧结在多晶硅层表面增加AZO透明导电层，能够阻挡浆料烧穿多晶硅层，提升电池片的效率、良率，使得太阳能电池的导电浆料选择变得更加容易。对多晶硅层的导电性能要求降低，可以降低多晶硅的掺杂浓度，提升少子寿命，改善膜的质量和钝化效果，电池效率更高。
一种叠加 tco 透明导电薄膜高效双面 topcon 电池工艺

[发明专利]非晶不粘材料的制造方法及非晶不粘涂层的制造方法-CN202210761424.4有效
发明人：张明;李超;瞿义生;袁华庭 -专利权人：武汉苏泊尔炊具有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：提供了一种制造非晶不粘材料的方法，该方法包括：提供初始非晶不粘材料；以及对初始非晶不粘材料进行热处理，从而得到所述非晶不粘材料，其中，基于初始非晶不粘材料的总重量，初始非晶不粘材料包括：40wt％≤二氧化钛≤65wt％；20wt％≤氧化铁和氧化亚铁≤55wt％；3wt％≤氧化钙和氧化镁≤10wt％；0≤磷≤0.1wt％；以及0≤碳和硅≤5wt％，其中，对初始非晶不粘材料进行热处理的步骤包括：将初始非晶不粘材料加热至预定温度由该方法制造的非晶不粘材料具有改善的非晶特性。
非晶不粘材料制造方法涂层

[发明专利]薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池-CN201210041796.6无效
发明人：包健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池，具有N型晶体硅基体，N型晶体硅基体背面沉积有厚度为2～10nm的背面非晶硅本征层，背面非晶硅本征层的背面钝化后沉积有厚度为5～15nm的N型微晶硅层，N型晶体硅基体正面沉积有厚度为2～10nm的正面第一非晶硅本征层，正面第一非晶硅本征层的正面钝化后沉积有厚度为10～20nm的P型微晶硅层，P型微晶硅层正面依次沉积有厚度为5～15nm的N型非晶硅层、厚度为50～200nm的正面第二非晶硅本征层、厚度为10～20nm的P型非晶硅层。本发明可以减少非晶硅本征薄膜的厚度，可以提高对太阳光的利用率，从而提升太阳能电池的效率。
薄膜非晶硅晶体硅异质结叠层太阳能电池

[发明专利]一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法-CN202011551208.4在审
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法，其中，非晶锗硅薄膜结构，包括：U型非晶锗硅薄膜结构，在该U型非晶锗硅薄膜结构的下方、外侧和内侧均设置有高阻非晶硅层。在本发明的中，采用了U型的嵌套结构，通过将大部分的非晶锗硅薄膜层用高阻非晶硅层覆盖住，从而避免受到接触膜层、相关工艺的影响，实现高质量的产品特性。
一种非晶锗硅薄膜结构集成以及制造方法

[发明专利]一种弱光型非晶硅遥控器-CN201010560430.0无效
发明人：薛向令;郑健 -专利权人：西安孔明电子科技有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H05K5/00 文献下载
摘要：一种弱光型非晶硅遥控器，包括非晶硅太阳能电池、壳体、遥控发射器、透明导电膜、非晶硅层、背电极，其特征是壳体内有遥控发射器、非晶硅太阳能电池，非晶硅太阳能电池输出端与遥控发射器输入端相连，以此，构成一种弱光型非晶硅遥控器本发明的优点是采用非晶硅太阳能电池，减少了干电池对人体和环境造成危害，既节能又环保。
一种弱光型非晶硅遥控器